Технология полупроводникового кремния - Фалькевич Э.С.
ISBN 5-229-00740-0
Скачать (прямая ссылка):
31. Billig E.IIРгос. Roy. Soc. 1956. А. 235. N0 1200. Р. 37-55.
32. Лоусон У.Д., Нильсен С. //Процессы роста и выращивания монокристаллов: Пер. с
англ./Под ред. H.H. Шефталя. — М.: ИЛ, 1963. С. 13—293.
33. Бузынин АН., Блецкан Н.И., Шефталь H.H.//Проблемы кристаллографии. — М.: Изд-во МГУ, 1976. - С. 272-278. Т. 2.
34. Rosi F.D.//RCA Rer. Techn. J. 1958. № 3. Р. 349-387.
35. Несовершенства в кристаллах полупроводников: Пер. с англ./Под ред. ДА. Петрова. -М.: Металлургия, 1964. — 302 с.
36. Хёрл Д. Т. //Процессы роста и выращивания монокристаллов: Пер. с англ./Под ред. H.H. Шефталя. - М.: ИЛ, 1963. С. 303-410.
37. Фриделъ Ш. Дислокации: Пер. с англ. — М.: Мир, 1967. — 643 с.
38. Franc F. С.//Deformation and Flow of Solids (Colloquim, Madrid, 1955). - Berlin: Springer-
Verlag. 1956. P. 73-80.
39. Dash W.C. I/I. Appl. Phys. 1959. V. 30. P. 459-474.
40. Рост кристаллов. Т.9.1/ФалъкевичЭ.С., Блецкан Н.И., Неймарк К.Н., Осовский М.И. — М.: Наука, 1972. С. 189-192.
41. Бевз В.Е., Осовский ММ, Фалъкевич Э.С.//Рост кристаллов. Т. 10. — М.: Наука, 1974. С. 221-225.
42. Фалъкевич Э.С.ЦФизика кристаллизации. — Калинин: Изд-во Калининского государственного университета, 1978. С. 69-76.
43. Xupc Д., Паунд Г. Испарение и конденсация: Пер. с англ. — М.: Металлургия, 1966. —
196 с. ^
44. Симашевский A.A.//Рост кристаллов. Т.6. — М.: Наука, 1976. С. 374—380.
45. Abe TJП. of Crystal Growth. 1974. V. 24. N0 2. P. 463-467.
46. Петров ДА., Русаков Т.А., Ягева С.К.//Изв. АН СССР. ОТН. Металлургия и топливо. 1962. N0 5. С. 187-190.
47. Милъвидский М.Г., Беркова А.В.//ФТТ. 1963. Т. 5. N0 2. С. 513-517.
48. Dikhoff J.A.M//Philips techn. tijdschr. 1963. V. 25. N0 4. P. 107—119.
49. Кулиш У.М., Вятки« А.П. //Поверхностные явления в расплавах и возникающих из них твердых фазах. — Кишинев: Кишиневский государственный университет. 1968. С. 37-47.
50. DayyHJIfhil. Trans. 1808. V. 98. Р. 333-340.
51. Berzelius I//GUb. Ann. 1810. V. 36. Р. 89-93.
52. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая злекіроника. — Киев: Наукова думка. 1975. — 704 с.
53. Yaws C.L., Dickerts L.L., Lutwack R., Hsu GJISol. State Techn. 1981. January. P. 87—92.
54. Meda L., Cerofolini G.F., Queirolo C.//Progress ii) Crystal Growth and Characterization.
1987. V. 15. P. 97-134.
55. Полупроводники/Под ред. Н.Б. Хеннея: Пер. с англ./Под ред. Б.Ф. Ормонта. — М.: ИЛ, 1962.-667 с.
56. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1987. — 239 с.
57. Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. — М.: Радио и связь, 1985. — 263 с.
58. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии: Пер. с англ./Под ред. С.Я. Горина. - М.: Мир, 1984. - 472 с.
40С
59. Гускина Л.Г., Данковский Ю.В., Доброхотов Г.А. и др.//Кремний и германий. — м: Металлургия, 1970. Вып.1. С. 38-52.
60. Бублик В. Т., Дубровина А.Н. Методы исследования структуры полупроводников и металлов. — М.: Металлургия, 1978. — 272 с.
61. Chihoweth A.G., Pearson G.L.IIl. Appl. Phys. 1958. V. 29. N0 7. P. 1103-1110.
62. Kurts A.D., Kulin S.A., Averbach B.I.//Phys. Rer. 1956. V. 101. N0 4. P. 1285-1291.
63. Lawrence LA. Semiconductor Silicon./Ed. by R. R. Haberecht., Б-L. Kern. N.—Y.: John Wiley a Sons. 1969. — 585 p.
64. Sitnikaya A.A., Sorokin L.M., Talartirt E.L a.o.//Phys. Stat. Sol. (a). - 1985. P. K 31-K 33.
65. Шейхет Э.Г., Трайнин Л.Л., Неймарк КН., Фалъкевич Э.С.//ФТТ. 1977. Т. 19. С. 1515— 1518.
66. Крылова И.О., Мелинг В.А., Шулъпта И.Л., Шейхет Э.Г.//ФТТ. 1986. Т. 28 С. 440-446.
67. Ситникова A.A., Сорокин Л.М., Шейхет Э.Г.//ФТТ. 1987. Т. 29. С. 2623-2628.
68. Ситникова A.A., Сорокин Л.М., Галанин И.Б. и др.//ФТТ. 1986. Т. 28. С. 1829-1833.
69. Осовский М.И., Фалъкевич Э.С., Червоный И.Ф./ІИзв. АН СССР. Неорганические материалы. 1983. Т. 19. С. 476-477.
70. Voronkov V. V.II1. Crystal. Growth. 1982. V. 59. P. 625-643.
71. Abe Т., Harada H., Chikava /.//Physica. 1983. V. BC 116. P. 139—147.
72. Шейхет Э.Г., Фалъкевич Э.С., Неймарк КН. и др.//ФТТ. 1984. Т. 26. С. 207-213.
73. Sitnikoya A.A., Sorokin L.N., Talanin І.Б. a.o.//Phys. Stat. Sol. 1984. V. 81. P. 433—438.
74. foil H., КоІЬезеп B.O.IIJ. Appl. Phys. 1975. V. 8. P. 319-331.
75. PetroffPM., Kock A.LR. Ifl. Crystal Growth. 1975. V. 30. P. 117-128.
76. Данковский Ю.В., Трубицын Ю.В., Ыкляр Б.Л. //Тезисы VIII Всесоюзной конференции по методам получения и анализа высокочистых веществ (химии высокочистых веществ), 1988. Ч. 3. — Горький, Институт химии АН СССР, 1988. С. 76—78.
77. Шкляр Б.Л., Шершелъ В.А., Данковский Ю.В./IЖурнал прикладной спектроскопии.
1988. Т. 48. С. 817-819.
78. Watanabe М., Usami Т., Muraoka H. a.o.//Semiconduct. Silicon 1981, Ргос. 4th Internat. Symp. Silicon Mater. Sei., 1981. — 11—15 May. N.—Y.: Bennington, 1981. P. 126—137.
79. AulichH.A„ Schulze F.W., Grabmoier LGJtVDl-Ber. 1982. N0 545. S. 1227-1256.
