Технология полупроводникового кремния - Фалькевич Э.С.
ISBN 5-229-00740-0
Скачать (прямая ссылка):
402
124. Девятых Г.Г., Семенов А.И., ЛегриК Д.Г.//Труды Всесоюзной KoltlWjn^ Методы получения и анализа веществ особой чистоты. - М.: Наука, її /и. и 117-Ц9.
125. Семенов AM., Ефремов A.A., Петрик А.Г., Зелъвенский Я.Д. //Электронная техника. Материалы, 1974. Вып. 2. С. 62—67.
126. Шварцман Л.Я., Петрик AS., Семенов AM, Макаров Г.Г.//Труды по химии и химической технологии. - М.: Наука, 1973. Вып. 4. С. 34-35.
127. ГОСТ 26239. 1.-84. Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей. М.: Изд-во стандартов, 1985. -16 с.
128. Сивошинская TM-, Васильев B.C., Новиков в.В. и др.//Цветные металлы. 1986. N0 12. С. 53—55.
129. Sirtl E., HuntLp., Sawer D.H.//}. Electrochem. Soc. 1972. v. 121. N0 7. P. 919-925.
130. Kyoshy H.llBull. Japan. Inst. Metals. 1981. V. 20. N0 I. p. 29-35.
131. Laskafeld O.//Chemicky pnimysl. 1969. roc. 19/44. № 2. S. 58—63.
132. Bawa M.S., Goodman R.C., Truitt D.F-I/Chem. Vapour Depos. 4th Int. Conf. Electrochem. Soc. 1973. N0 7. P. 63-73.
133. Gregolin J.R.A., Capocchi J.D.J., Filho M.P.C.//Metallurgia A.B.M. 1981. V. 37. N0 280. P, 139-143.
134. Петрусевич ИЗ., Нисельсон Л.A., Беляев А.И./ІИзв. вузов. Цветная металлургия. 1966. N0 2. С. 86-91.
135. Киперман С.Л. Введение в кинетику гетерогенных каталитических реакций. — М.: Наука, 1964. - 608 с.
136. Рузайкин М.П. //Кристаллография. 1982. Т. 27. N0 2. С. 368-374.
137. Spenke E., Heywang W.//Siemens—Zeit—Schrift. 1981. Bd 55. N0 4.1. S. 7—12.
138. Dietze W., Keller W., Muhlbauer A.//Crystal Growth. Properties and Applecations. V. 5: Berlin-Heidelberg. Springe—Verlag. 1981. N0 48. P, 5.
139. KyoshyH., Masaru A.//J. Mining Met. Inst. Jap. 1971. V. 87. № 995. P. 91—96.
140. Стиоп Я.И., Смирное Н.П., Чирков ?.3.//Цветные металлы. 1976..N0 7. С. 56—58.
141. Строителев С.А. Кристаллографический аспект технологии полупроводников. — Новосибирск: Наука, 1976. —191 с.
142. Чащинов Ю.М.//Фтнкл кристаллизации. — Калинин: Калининский государственный университет. Вып. 8. С. 77—81.
143. SirtlE., Spielmann VI.IIZ. Angew. Phys. 1963. Bd 15. N0 4. S. 295—306.
144. Hadamoisky H..F.//Probleme der Festkorperelektronik. 1977. N0 9. S. 203—228.
145. Мигай Л.Л., Верижникова Г.Н., Аронс В.И./ІЦветная металлургия. 1983. N0 19. C. 39-40.
146. Dietze W., Muhlbauer ^.//Chemiker-Zeitung. 1973. Bd 97. N0 3. S. 151-155.
147. Гашенко CM., Девяткин Б.Д., Дегтярик Н.Б., Тимченко Я.М.//Цветные металлы. 1970. N0 7. С. 56-57.
148. Бочкарев Э.П., Иванов Л.С., Прокошин В.Д. //Исследования в области полупроводниковых материалов. — М.: Гиредмет, 1983. С. 104—109.
149. Яркин В.Н., Петрик AS., Иванов Л.С. и др.//Цветные металлы. 1983. N0 7. С. 70—73.
150. Чащинов Ю.М., Фалъкевич Э.С., Петрик AS. н др.//Цветные металлы. 1986. N0 4. С. 65—
67.
151. Новикова ИМ., Воробьев ЮМ., Воронова С.А. и др.//Сб. науч. тр. Гиредмета. Т. XXV. — М.: Металлургия, 1969. С. 52-55.
152. Чесноков В.П., Бабайцев И.В., Тарадайко В.П. и др.//Пожарная опасность веществ и материалов, применяемых в промышленности. — М.: ВНИИПО, 1987. С. 27—33.
153. WohIerF., BuffH. //Liebig Ann. der Chem. 1857. Bd 103. S. 218-219.
154. Гренков И.В., Захаров-Черенков В.К., Иванов Л.С., Сивошинская TM. Производство полупроводникового кремния за рубежом. — М.: ЦНИИНветмет, 1983. — 37 с.
155. Гренков И.В., Иванов Я. С. //Цветные металлы. 1986. № 6. С. 60—64.
156. Plant construction for the production of semiconductor silicon//Chem. Eng. 1986. V. 93. N0 4. P. 15.
157. Жиг ач А.Ф., Стасиневич Д.С. Химия гидридов. — П.: Химия, 1969. — 676 с.
403
158. Jemejcic J., Skerjanc J., Smuc M.//Vestnik Sovenskogo Kemickego Drustra. 1964. Bd. 11. N0 I - 4. S. 19 - 23.
159. Bbem GiXing I././/VLSI Electronics: Microstructure Science. 1985. V. 12. P. 89—139.
160. Jasinski J.M., Meyerson B.S., Scott ?.A.//Ann. Rey. Phys. Chem. 1987. V. 38. P. 109—140.
161. Stock A., Somieski C./IBer. 1916. Bd 49. S. 111-121,157.
162. Hogness T.R., Wilson T.L., Johnson W.C.//J. Amer. Chem. Soc. 1936. V. 58. P. 108—112.
163. Петрик AS., Фалъкевич Э.С., Устинова Н.К.ЦКремний и германий/Под ред. Э.С. Фалъ-кевича, Д.И. Левинзона. - М.: Металлургия, 1969. С. 7. - 14.
164. Super high—purity silicon//CEER. Chem. Econ. Eng. Rey. 1976. V. 8. № 4 (94). P. 53.
165. Hsu G., Hogle R., Rohatyi N. а.о./Д. Electrochem. Soc. 1986. V. 131. N0 3. P. 660—663.
166. Хамакава И., Окамато X. //Аморфные полупроводники и приборы на их основе: Пер. с англ. - М.: Металлургия, 1986. С. 208-235.
167. Rea S.N./II. Crystal Growth. 1981. V. 54. P. 267.
168. Dugges T.G., Shima R./lI. Crystal Growth. 1980. V. 50. P. 865.
169. Жвирблянский В.Ю., Степанова Г.М.//Цветные металлы. 1982. N0 9. С. 64—66.
170. Пиеинский Ю.Е., Ромашин AS. Кварцевая керамика. — М.: Металлургия, 1974. — 264 с.
171. Выдрик Г.А., Соловьева Т.В., Харитонов Ф.Я. Прозрачная керамика. — М.: Энергия,
1980.-96 с.
172. Ботвинкин O.K., Запорожский А.И. Кварцевое стекло. — М.: Стройиздат, 1965. — 259 с.
