Физика полупроводников - Лазарь С.С.
Скачать (прямая ссылка):
ix=iy=
ду
Q = h-Ra0D (3.6)
" 1 Г (2г + 5/2) (г+ 1) ,,
G~ AL | 2г + 1/2 "х
w FZr+v/r " (г + 2) (2г+3/2) ,,
Х ^*2г-1/2 " 2r + V2
Коэффициент Риги -
Ледюка
., F2r+l/2Fr+l , (г + 2)2 Fr+l\
F 2т-1/2 ' r+l Fr J
-?/№¦)
ix=iy=Wy=o
S = -Ra0-~- G (3.7)
XQ
ПРОДОЛЖЕНИЕ ТАБЛ. 3
Название коэффициента и
определение
Условие
измерения
Формула
дТ
}v~ дх ~
¦^Г = ("с0)"М (3.8)
ду
1х~!у -
ду
-""а " (ад
]х = 1у =
ду
Дх (Я)
= (т-)21? (^o)2(^-V) (3.10)
Коэффициенты, зависящие от степени
вырождения и механизма рассеяния
Магнетосопротивле-
ние
4р (Н)_
Ро
СТ° (<т (Я) Оо)
Магнитотермо-э. д. с.
Да (Я) а (Я) - а0
ао
а0
Относительное изме-
нение теплопро-
водности в маг-
нитном поле
Ах (Я)_
х0 ~
_ хэ (Я)
- х
х0э+х
Ф
Зг(г + 1)
(2г + 1/2)а
F2
2r-i/a
JV=D-M+
(>¦ + 2) Зл f3r-ifr+i
(2л+1/?)3
rZr-V %
fi
I/ (Зл + 2) (л + 1) зг^_(-
гг
" (^+V2)a ,|r_1/f-
о (Зг+1)(г + 2) ^зЛ+1
(2r + i/2)2 F2
2г-1/2
ix = iy=wv
Дх (Я)
(3.11)
Зл (л+ 2)2
(2Л + 1/2)2(Л+1) f2
2л-1/2 г
Обозначения: ко- постоянная Больцмана; q-заряд носителя тока; Я - напряженность магнитного поля; Е -
напряженность электрического поля; /- плотность тока;
ОО
Fn = Fо (р*) = \ --; dx - интеграл Ферми;
J 1 +е ^
р*- приведенный уровень химического потенциала; W - плотность потока энергии.
Примечание. Образцы имеют форму прямоугольных параллелепипедов; Я направлено по оси г; Е, VT - в
плоскости (х, у).
ПРОДОЛЖЕНИЕ ТАБЛ. 3
Название коэффициента и
определение
Условие
измерения
Формула
дТ
}v~ дх ~
¦^Г = ("о0)"М (3.8)
ду
1х~!у -
ду
-""а " (ад
]х = 1у =
ду
Дх (Я)
= (т-)21? (^o)2(^-V) (3.10)
Коэффициенты, зависящие от степени
вырождения и механизма рассеяния
Магнетосопротивле-
ние
4р (Н)_
Ро
СТ° (<т (Я) о0)
Магнитотермо-э. д. с.
Да (Я) а (Я) - а0
ао
а0
Относительное изме-
нение теплопро-
водности в маг-
нитном поле
Ах (Я)_
х0 ~
_ хэ (Я)
- х
х0э+х
Ф
М =
Зг(г +
1)
(2г + 1/2)а
F2
Г2Г-1/2
N=D-M-f
(г+ 2) Зл F3r_tFr+l
(2л+1/?)3
rZr-V %
fi
I/ (Зл + 2) (л + 1) зг^_(-
гг
" (^+V2)a ,|r_1/f-
о (Зг+1)(г + 2) ^зЛ+1
(2r + i/2)2 F2
21 2г-1/2
ix = iy=wv
Дх (Я)
(3.11)
Зл (л+ 2)2
(2Л + 1/2)2(Л+1) f2
2л-1/2 г
Обозначения: k3 - постоянная Больцмана; q-заряд носителя тока; Я - напряженность магнитного поля; Е -
напряженность электрического поля; /- плотность тока;
ОО
Fn = Fо (р*) = \ --; dx - интеграл Ферми;
J 1 +е ^
р*- приведенный уровень химического потенциала; W - плотность потока энергии.
Примечание. Образцы имеют форму прямоугольных параллелепипедов; Я направлено по оси г; Е, VT - в
плоскости (х, у).
8
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ
8.1. ОСОБЕННОСТИ КОНТАКТНЫХ ЯВЛЕНИЙ
Во многих случаях требуется, чтобы контакт обладал
минимальным сопротивлением и был омическим: такой контакт не
искажает форму переменного синусоидального тока, не вносит
гармоник и пропускает без искажений импульсы (рис. 8.1, а).
Идеализированная характеристика выпрямляющего контакта
должна иметь вид, представленный на рис. 8.1, б, в пропускном
направлении его сопротивление должно быть равным нулю, в
запорном - бесконечным.
Требования нелинейности контакта возникают всякий раз,
когда требуется преобразование сигнала, для выпрямления и
детектирования, модуляции и умножения частоты, ограничения
сигналов и стабилизации напряжений, для усиления и генерации и
т. д.
Кроме этого, как мы видели в гл. 1, контакт дырочного и
электронного полупроводника обладает чрезвычайно важным
свойством, на котором основана вся транзисторная электроника,-
способностью инжектировать неосновные носители.
В зависимости от конкретной задачи, выполняемой
нелинейным контактом, к нему предъявляются различные
требования.
Как уже упоминалось, для технических выпрямителей
желательно, чтобы сопротивление и допустимое напряжение в
запорном направлении были бы максимальными. Для этого в
контакте не должны происходить так называемые явления в
сильных полях (электростатическая
362
и ударная ионизация), р-п переход не должен быть слишком
толстым, чтобы в нем не мог развиться лавинный эффект. В то же
время контакт должен быть достаточно толстым, чтобы
исключить туннельный эффект, и длина свободного пробега в нем
не должна быть велика, чтобы исключить ударную ионизацию.
Рис. 8.1. Вольтамперная характеристика идеального омического (а) и
идеального выпрямляющего (б) контактов.
Однако прямая характеристика толстого запорного слоя хуже,
чем тонкого, поэтому здесь приходится идти на известный
компромисс *>.
При пропускном направлении тока электроны диффундируют в
p-область и там рекомбинируют с дырками,
*) Здесь следует отметить, что слишком толстый контакт вообще теряет
выпрямляющие свойства. Критерием в данном случае является отношение
двух характерных длин: дебаевского радиуса экранировки r0 = V х/сГ/4ле2га
(где п- число подвижных носителей заряда их - диэлектрическая
