Структурная электронография - Вайнштей Б.К.
Скачать (прямая ссылка):
электронограммы. Это замечание относится, конечно, и к другим этапам
исследования - к определению ячейки, оценке интенсивностей и т. д.
К эффектам, маскирующим закон погашений для данной структуры и приводящим
к появлению запрещенных отражений, относится в первую очередь двумерная
диффракция, когда, например, вследствие малой толщины кристалликов,
рефлекс АА1, растягиваясь в направлении с*, дает некоторую плотность узла
на месте рефлекса ААО, который в действительности погашен. Однако наличие
двумерности легко проследить: запрещенный рефлекс должен быть непрерывно
геометрически связан с породившим его узлом, а это обнаруживается при
повороте препарата.
Другой маскирующий эффект возможен в случае возникновения в некоторых
условиях вторичных отраженных пучков (об этих условиях будет сказано в §
8 главы III), что иллюстрирует электронограмма XIV. Монокристальный
препарат серебра дал настолько сильные рассеянные пучки, что они, как и
центральный пучок, сами дали диффракцию (вторичное рассеяние) от
нанесенной на серебро пленки парафина (кольца) [6]. Эффект вторичного
рассеяния в одном и том же веществе наблюдался в работах [7] и [III, 26].
Вторичное отражение (рассеяние), возможное на различных структурах, не
менее вероятно при наличии сильных пучков в одной и той же структуре.
Однако существование его во втором случае не проявляется так же наглядно,
ибо отраженные вторично пучки попадают на точечной электронограмме в
места, совпадающие с первичными рефлексами от центрального пучка. Схема
такого совпадения дана на рис. 29. Центр вторичной картины, более слабой,
чем основная, следует совместить с каким-либо сильным рефлексом основной
картины. Очевидно, общая диффракционная картина от вторично рассеивающего
52
кристалла будет представлять собой суперпозицию первичной картины и
вторичных картин, интенсивность каждой из которых в целом пропорциональна
интенсивности породившего их пучка.
Схема рис. 29 соответствует электронограмме с погашенными нечетными
порядками отражения по одной из осей. Вторичное рассеяние при этом
приводит к возникновению "запрещенных" отражений, по сути дела являющихся
незапрещенными и происшедших от какого-либо сильного пучка, который
сыграл роль начального. Непосредственным доказательством "вторнчности"
таких отражений может служить поворот препарата вокруг оси, на которой
имеются погашения, на иррациональный угол, т. е. угол, при котором все
остальные отражения пропадают (или становятся слабыми). Тогда источником
вторичного отражения будут лишь рефлексы, расположенные на данной оси,
которые не могут дать отражений на запрещенных местах. Действительно,
если на этой оси имеются погашения, то узлы расположены вдоль нее с
периодом, вдвое большим истинного периода, который выявляется на других
прямых в обратной решетке, параллельных данной оси, но уже
не имеющих погашений. Поскольку все остальные отражения, отвечающие
истинному периоду, исключены поворотом на указанный угол, вторичное
рассеяние пучков, дающих рефлексы рассматриваемой оси, не изменит
присущего ей удвоенного периода, т. е. не даст запрещенных отражений на
местах, соответствующих истинному периоду.
Суперпозиция всех вторичных (а может быть и "третичных" и т. д.) картин
усиливает все слабые рефлексы диффракционной картины и искажает
интенсивности, нивелируя их. Этим объясняется тот факт, что иногда при
сравнении найденных из точечных электронограмм интенсивностей с
вычисленными их экспериментальные значения для слабых рефлексов идут не
ниже определенного уровня и систематически превышают теоретические.
Необходимые поправки [7; III, 26] можно внести расчетным путем.
Образцы, дающие вторичное рассеяние, встречаются довольно редко. Однако
если оно осуществляется, но не учтено при расчетах, то результаты
исследования ухудшаются. Критерием наличия вторичного рассеяния в
кристалле может служить как раз возникновение хотя бы
Рис. 29. Схема наложения первичной (белые кружки) и вторичной (черные
точки) диффракционной картины при вторичном рассеянии в одном и том же
веществе.
Погашены рефлексы hOO при h ф 2п, расположенные по горизонтальной оси.
53
слабых запрещенных рефлексов. Установление закона погашений лучше всего
проводить по электронограммам, содержащим узловые прямые, при
иррациональном угле поворота.
Суммируя все изложенное в данном параграфе относительно точечных
электронограмм, можно сказать следующее. Использование их для структурных
исследований вполне возможно и целесообразно, что подтверждает и практика
структурных определений. Однако при работе с точечными электронограммами
следует проявлять осторожность, особенно при оценке интенсивностей и
установлении закона погашений, ввиду того, что в монокристальных
препаратах часто могут быть крупные блоки, что приводит к нежелательным
для структурных определений эффектам. Наличие крупных блоков
обнаруживается по характеру самих электронограмм. Ценные сведения о
