Ионика твердого тела. Том 1 - Иванов-Шиц А.К.
ISBN 5-288-02746-3
Скачать (прямая ссылка):
сопровождающийся резким, скачкообразным изменением электропроводности, в
то время как при втором фазовом переходе при 7^200 К изменяется лишь
энергия активации проводимости.
Твердые растворы RbjJCi^AgJj существуют для 0<х<1 [126] и также имеют
высокую ионную проводимость. Термоэлектрические свойства MAg^j, изученные
в [30, 88, 89] (см. табл. 7 и рис* IV*1*4.13), подтверждают выводы о том,
что эти соединения обладают ра-
273
!g<7, Ом"1 * см"1
Рис IV} 4 16 Проводимость MAg^Is
л лл/т (М"К,КЬ)(поданным[2*1Э11)
It) /ft К
зулорядоченной и высокоподвижной решеткой серебра* Исследование влияния
давления [136] на характеристики фазовых переходов показали, что
температура фазовых переходов изменяется по квадратичному закону Гфп-Го =
С(р-я0у.
Значения постоянных Го, Ро и С, не зависящих от давления, приведены в
табл. 8. Спектры комбинационного рассеяния KAg^ [137] и NH^AgJ; [138]
аналогичны спектрам, полученным для RbAgJs (см. выше).
Таблица 7 ТермоЭДС МА&Ц
-0, мВ/К Литература
КА 0,092 10*/Г+ 0,276 0,088 Ю'/Г + 0,310 0,078 103(Т + 0,277 [88] [30]
[89]
0,093 10Э/Г + 0,297 0,058 \0г/Т +• 0,311
NH4Ag4ls
[88]
[89]
Таблица 8 Параметры, характеризующие изменение температур фазовых
переходов (Т$,-Т,) - С(Р-Р,) (по данным [136])
Фазовый переход Параметр Соединение
KAgJ^ NH4Ag4ls RbA^J^
Н изкотемператур- Ссь кбар^ К -0,597 -0,54 -0,529
ный Л>> кбар 1,82 3,29 5,33
Г* К 141 141 141
Высокотемпера- С0, кбар-3 К 0,111 0,113 0,111
турный JV кбар -4,27 -2,25 -0,64
Го, К 192 198 208
274
ЛИТЕРАТУРА
1 Bradley JN т Greene P О //Trans FaradaySoc 1967 Vol 63,N 530,pt II P
424
2 Oivens В В t Argue G R // Science 1967 Vol 157 P 308
3 Загороднев В H, ЛичкоеаНЗ //Изв АН СССР Неорг материалы 1983 Т 19,Хвб С
1031
4 De Rossi Mt Pistoia G, Scrosatt В //J Electrochem Soc 1969 Vol 116 P
1964
5 Scrosatt В //J Electrochem Soc 1971 Vol US, N6 P 899
6 Патент США, № 3719609,252-518 от 06 03 1973
7 ГромовОГ, ВольфсонВС, Кузьмин А /7, Кузнецов ВП //Журн прикл химии 1976
Т ХиХ,Хв5 С 1137
8 BradleyJN,GreenePP //Trans FaradaySoc 1967 Vol 63 P 1023
9 FlorG, Лйдадеош FP Я/ссятейЯ //Z Naturforsch 1975 Bd30a S 909
10 Горский 8 В //Изв АН СССР Неорг материалы 1980 Т 16, №7 С
1210
11 Schroder В'LeuteV И J Phys Chem Solids 1980 Vol 41,N8 P 827
12 Topol IE, Owens В В //J Phys Chem 1968 Vol 72,N6 P 2106
13 Chandra S t Mohabey V К //J Phys D Appl Phys 1975 Vol 8 P 576
14 Байрамов БХ, Гоффман BFt Дьяконов id И идр //Письма в Журн теор
физики 1983 Т 9, Ка 17 С 1081
15 Юрова ЛИ Устойчивость твердого электролита RbAg^ в различных
условиях и сохранность химических
источников тока на его основе Автореф кавд дис Л, 1982
16 Fullmer L D t Hiller М И J Ciyst Growth 1969 Vol 5, N5 Р 395
17 MannmgMR, Venuto CJ> Boden D P //J Electrochem Soc 1971 Vol 118,N12 P
2031
18 ArendH, Huber Wt Frendenreich W, SurbeckH //J Cryst Growth 1979 Vol
46,N2 P 286
19 МищетоА В, Иванов^ШицА К, ГоффманВГ, БоровковВС //Электрохимия 1975
Т П,Хе2 С 333
20 Мищенко А В, Иеаное^Шиц А К * Гоффман В Г, Боровков ВС И Электрохимия
1977 Т J3, № 12 С 1858
21 Popov A S, Kostadtnov IZ, Maleev MD е а // Sohd Stale Iomcs 1992 Vol
57, N 3/4 P 211
22 Ивченкова МД, Мищенко А В, Прохин ГНИ Тез докл VII Всесоюз конф по
физической химии ионных расплавов и твердых электролитов Свердловск* 1979
Т 3 С 91
23 Owens В, Argue G // J Electrochem Soc 1970 Vol 117 P 898
24 RaletghDO If J Appl Phys 1970 Vol 41 P 1876
25 Scrosatt В t Germano G, Ptstota G //J Electrochem Soc 1971 Vol 118,N 1
P 86
26 Km КSt Patk WК //J Chem and Eng Data 1975 Vol 20, N4 P 356
27 TakahashiT, Yamamoto О, Ikeda S // Denki Kagaku 1968 Vol 37 P 843
28 Иваное-ШицАК,БоровковВС /1&окл АН СССР 1975 T 22б>№6 С 330
29 Иванов*Шиц А К, Боровкое В С, Мищенко А В, Гоффман В Г // Докл АН СССР
1976 Т 228, Ка 6 С 1376
30 Shaht К, Chandra S //J Phys С Solid State Phys 1976 Vol 9,N 16 P 3105
31 Kennedy J H, Chen F, Hunter J HI Electrochem Soc 1973 Vol 120, N3 P
454
32 Гоффман В Г, Букун H Г, Укше E А //Электрохимия 1981 Т 17,№7
С 1098
33 БукунНГ, Укше ЕА, Гоффман В Г //Электрохимия 1982 Т 18*Кз5
С 653
34 Букун НГ, Гоффман В Гг Укше Е А //Электрохимия 1983 Т 19,№6
С 731
35 Укше Е А, Бунун Н Г, Гоффман В Г, Укше АЕ If Электрохимия 1989
Т 25, Кэ б С 743
36 Johnson К J tClarkC D > Artus RG С ft J Pbys D 1986 Vol 19,N5 P 835
37 Ishtda T, MondenK, Nakadal //Rev Scr Instrom 1986 Vol 57,N12 P 3081
38 Ishtda T,Nakadal, Koike M //Rev Set Instmm 1987 Vol 58,N7 P 1311
39 Иеанов-Шиц А К r Дьяков В A , Боровков В С, Пушков Б И // Электрохимия
1976 Т 12* Ка 4 С 612
40 Borovkov VS, Ivanov-Schitz А К //Electrochim Acta 1977 Vol 22
P 713
41 Lederman F L t Salomon M В, Petsi H //Sohd Stale Commun 1976 Vol
19,N2 P 147
42 Vargas RA. Salomon M В, FfynnCP //Phys Rev Lett 1976 Vol 37,N23
P 1550
43 Vargas RAfSalamonM В, FfynnCP ft Phys Rev В 1977 Vol 17*N1 P 269
44 PmkowsktA >ChterchteT, Lorenz WJ ft J Electroanal Chem 1990 Vol 285* N
1/2 P 241
45 AilenPC, LazarusD //Phys Rev В 1978 Vol 17,N4 P 1913
