Спутник гальваника - Зальцман Л.Г.
ISBN 5—335—00257—3
Скачать (прямая ссылка):
При пол 0.1 мм). Поз
е 2—3 мин. ы необходимо учи-иеров деталей (до ги строго вы; ержи-
шусов от коррозии. Многослс
ларок ХЧ
примесей, лектрофи-
Химическое никелирование обеспечивает восстановление никеля из водньх раствороь его солеи гипосульфитом натрия (табл. 49, состав 3). Оптимальная толщина слоя никеля — 2—3 мкм. При этом обеспечивается необходимое смачивание и растекание серебряных и медно-серебряных припоев
Детали из сплавов (молибденово-медных и вольфрамо-ао-медных) п'^ред покрыт' ем никелем отжигают 60 мин в водороде при- темпе) атуре 960 С, после овательно обрабатывают в подогретом четыреххлористом углероде, травят 3—5 мин в соляной кислоте, активируют в течение 5—10 с в рас.вор хлорист( го палла „я (табл. 52) при рН=3...5, а затем обрабатывают в растворе следующего состава, г л:
П.лофосфит натрия............. 15—25
Хлорид аммония .............. 45—55
Цитрат натрия................ 40—50
PH...................... 8—9
Процесс проводят при 70 'С. Затем детали из сплавов помещают в термошкаф, в котором при температуре 800 0C в течение 30 мин в атмосфере в города вжигают никель с последующим повторным осаждением на поверхность химического никеля.
Если строго придерживаться описанной технологии осадок нит еля будет CBt гло-серебристого цвета с легким жгл-оватым оттенком, без подтеков и следов неотмытых
Гальваническое никелирование обеспечивает получение более плотных осадков с повышенной адгезией. Состав электролита для гальванического никелирования приведен в табл. 32. Скорость осаждения равна 0,1— 9,4 мкм/мин.
В полупроводниковом прои нодстве широко приме-1 яются детали из керамики, с молибденово-марганцевой металлизацией. При молибденово марганцевой технологии используют пасту, состоящую из 55 % металлического молибдена и 18 % марганца, 23 % оксида^юлибдена, 4 % порошкозого стекла, 20 мл связующего и 22,5 мл амилацетата на 100 г шихты.
При температуре 1400 0C производят вжигание пасты в керамику в течение 26 млн в атмосфере во, орода и азота, взятых в соотношении 1 : 2. При этом, получают слой толщиной 20—30 мкм.
Для обеспечения прочной адгезии никеля с молибде-н марганцевым слоем детали сначала подтравливают в 20 °м -иом растворе плавиковой кислоты в течение 3—4 с, а затем электрохимическим способом осаждают никель в электролите следующего состава, г/л:
Сульфгт никеля . Сульфат магния
Лимонн Я FB„ т. Хлористый натрий
Осаждение проводят при температуре электролита 18—25 С при плотности тока 0,5—1,0 А/да2 и рН = = 5,2...5,8.
Золочение деталей изделий микроэлектроники. Золотое покрытие является одним из наиболее распространенных в микроэлектронике видов покрытий, использование которого оговаривается ОСТ4.021.202—85 (Драгоценные металлы и сплавы. Руководство по выбору. Ред. 1—73).
Применение золочения позволяет применять термокомпрессию в качестве способа присоединения к полупро-в ,дниковому кристаллу, посадки кристалла в корпус с обеспечением надежного контакта; проводить химическую обработку микросхемы в растворах, содержащих плавиковую, азотную и уксусную кислоты; улучшить электропроводность контактов и т. д.
В применяемых электролитах золочения имеются примеси из меди, цинка, олова, свинца и другие, в том числе металлов, из которых изготовлены покрываемые детали, аноды и монтажные приспособления. Присутствие перечисленных примесей в электролите влияет на качество осадка, вызывая изменения переходного сопротивления, цвета, износостойкости, твердости, эвтектических и других свойств. Например, содержание в растворе золочения более 0,1 % железа способствует появлению трещин в осадке, более 0,1 % свинца — увеличению пористости и ухудшению паяемости покрытия, более 0,04 % кобальта и никеля изменяет твердость. Присутствие углерода в растворе ухудшает блеск, повышает пористость и внутренние напряжения золотых покрытий, ухудшает свариваемость и паяемость. Наличие калия усиливает эрозию золоченых контактов.
Требования к золотым покрытиям следующие: твердость покрытия — не бо iee 80 кГ мм2; стойкость к кратковременному нагреву 450 °С — 2 мин и 380 °С — 8—10 мин; толщина слоя — не менее 3-4 мкм.
табл. 46 номерного и пл<
тературои рас вор
в различных операциях- очистка поверхности травление пленки для создания микроэлектрет фов, изготовл ние многосчойных металличес повышение проводимости межсоединении.
Тонкие пленки наносятся на какой-лиС (подложку), который не должен взаимодег пленкой Подл <ка служит также проводнике, нерируемого пленкой Свойств? подложки дс совместимы с процессами саж [сния и всеми i применяемыми при обрь. огке и изготовл' .да ночных схем. Особые требования прелъявлят честву поверхности подлож. к, особенно к ее шер
Применяемые в технике пленки имеют : J.005 до 0,5 мкм, следовательно шероховатое г
Например,
нок, эффективная :пени поверхности
точке, если шероховат
Для уменьшения жек, кроме механическ
[ NaOH (Ь %) J Na2CO3 (0,1 %)
С.02
Перед исполь: ованием подложки олжны быть очищены до гам й степени, чтобы оставшиеся загрязнения не препятствие ли адп ии саж laeiwux в вакууме пл( чок.
