Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Зи С.М. -> "Физика полупроводниковых приборов" -> 216

Физика полупроводниковых приборов - Зи С.М.

Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов — М.: Энергия, 1973. — 656 c.
Скачать (прямая ссылка): fizikapoluprovodnikovihpriborov1973.djvu
Предыдущая << 1 .. 210 211 212 213 214 215 < 216 > 217 218 219 220 221 222 .. 228 >> Следующая

(1966).
27. Halladay H. E., Van Der Ziel A. "Field - Dependent Mobility Effects
in the Excess Noise of Junction - Gate Field - Effect Transistors", IEEE
Trans. Electron Devices, ED-'14, 10 (1967).
28. Warner R. M.f Jackson W. H., Doucette E. I., Stone H. A. "А
Semiconductor Current Limiter", Proc. IRE, 47, 45 (1959).
29. Lawrence H. "А Diffused Field - Effect Current Limiter", IRE Trans.
Electron Devices, ED-9, 82 (1962).
30. Bol! H. J., Iwersen J. E., Perry E. W. "High--Speed Current
Limiters", IEEE Trans. Electron Devices, ED-13, 904 (1966).
Дополнительная литература
1. Севин JI. Полевые транзисторы. М., "Советское радио", 1969.
2. Полевые транзисторы. Физика, технология и применение. Пер. с англ. М.,
"Советское радио", 1971.
3. Бруфман С. С., Трофимов Н. А. Тиристорные переключатели переменного
тока. М., "Энергия", 1969.
4. Кузьмин В. А. Вольт-амперная характеристика приборов со структурой р-
п-р-п во включенном состоянии. - "Радиотехника и электроника", 1963, т.
8, № 1, с. 171.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ К ГЛ. 8
1. Braun F. "Uber die Stromleitung durch Schwefelmetalle", Ann. Physik
Chem., 153, 556 (1874).
2. Bose J. C. U. S. Patent 775, 840 (1904).
3. Wilson A. H. Proc. Roy. Soc., A133, 458 (193-1).
4. Schottky W. Natarwiss, 26, 843 (1938).
5. Mott N. F. "Note o,n the Contact Between a Metal and an Insulator or
Semiconductor", Proc. Camb. Phil. Soc., 34, 568 (1938).
6. Henisch H. K. Rectifying Semiconductor Contacts, Oxford at the
Clarendon Press, Oxford (1957).
7. Formenko V. S. Handbook of Thermionic Properties, edited by
G. V. Samsonov, Plenum Press Data Division, New York (1966).
8. Sze S. М., Crowell C. R., Kahng D. "Photoelectric Determination of the
Image Force Dielectric Constant for Hof Electrons in Schottky Barriers",
J. Appl. Phys., 35, 2434 (1964).
9. Salzberg C. D., Villa G. G. J. Opt. Soc. Am., 47, 244 (1957).
10. Cowley A. М., Sze S. M. "Surface States and Barrier Height of Metal -
Semiconductor Systems", J. Appl. Phys., 36, 3212 (1966).
11. Bardeen J. "Surface States and Rectification at a Metal Semiconductor
Contact", Phys.- Rev., 71, 717 (1947).
12. Mead C. A., Spitzer W. G. "Fermi - Level Position at Metal -
Semiconductor Interfaces", Phys. Rev., 134, A713 (1964).
13. Pugh D" "Surface States on the III Surface of Diamond", Phys. Rev.
Letters, 12, 390 (1964).
14. Bethe H. A. "Theory of the Boundary Layer Crystal Rectifiers", MIT
Radiation Laboratory, Report 43-12 (1942).
15. Crowell C. R. "The Richardson Constant for Thermionic Emission in
Schottky Barrier Diodes", Solid State Electron., 8, 395 (1965).
16. Crowell C. R., Sze S. M. "Current Transport in Metal-Semiconductor
Barries", Solid State Electron., 9, 1035 (1966).
16a. Padovani F. A., Stratton R. "Field and Thermionic - Field Emission
in Schottky Barriers, Solid State Electron, 9, 695 (.1966).
'47. Crowell C. R., Sze S. M. "Electron - Phonon Collector .Back-
scattering in Hot Electron Transistors", Solid State Electron., 8, 673
(1965).
18. Crowell C. R., Sze S. M. "Electron - Optical - Phonon Scattering in
the Emitter and Collector Barriers of Semiconductor - Metal-
Semiconductor Structures", Solid State Electron., 8, 979 (1965).
19. Crowell C. R., Sze S. M. "Quantum Mechanical Reflection at Metal -
Semiconductor Barriers", J. Appl. Phys., 37, 2683 (1966).
19a. Andrews J. М., Lepselter M. P. "Reverse Current - Voltage
Characteristics of Metal-Silicide Schottky Diodes", IEEE Solid State
Device Conference, Washington D. C. (Oct. 1968).
20. Scharfetter D. L. "Minority Carrier Injection and Charge in Epitaxial
Schottky Barrier Diodes", Solid State Electron., 8, 299
(1965).
21. Crowell C. R., Sarace J. C., Sze S. M. "Tungsten - Semiconductor
Schottky Barrier Diodes", Trans. Met. Soc. AIME, 233, 478
(1965).
22. Mead С. A. "Metal - Semiconductor Surface Barriers", Solid Electron,
9, 1023 (1966).
23. Vanderwal N. С. "А Microwave Schottky - Barrier Varistor Using GaAs
for Low Series Resistance", IEEE Int. Elec. Devices Mee* ting,
Washington, D. C. (Oct. >18-20, 1967).
24. Irvin J. C., Vanderwal N. C. "Schottky - Barrier Devices", a charter
of Microwave Semiconductor Devices and T'heir Circuit Applications, lEd.
H. A. Watson, McGraw - Ш11 Book Co. .(1908).
25. Lepselter M. P., Sze S. M. "Silicon Schottky Barrier Diode with Near-
Ideal 1-V Characteristics", Bell Syst. Tech. J. 47, 195
(1968).
26. Goodman A. M. "Metal Semiconductor Barrier Height Measurement by the
Differential Capacitance Method - One Carrier System", J. Appl. Phys.,
34, 329 (1963).
27. Crowell C. R., Spitzer W. G., Howarth L. E., Labate E. E.
"Attenuation Length Measurements of Hot Electrons in Metal Films", Phys.
Rev., 127, 2006 (1962).
28. Fowler R. H. Phys. Rev., 38, 45 (1931).
28a. Parker G. H., McGill Т. C., Mead C. A., Hoffman O. "Electric Field
Dependence of GaAs Schottky Barriers", Solid State Electron., 11, 201
(1968).
28b. Crowell C. R., Shore H. B., Labate E. E. "Surface State and
Предыдущая << 1 .. 210 211 212 213 214 215 < 216 > 217 218 219 220 221 222 .. 228 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed