Физика полупроводниковых приборов - Зи С.М.
Скачать (прямая ссылка):
25. Bowman L. S., Burrus C. A., Jr. "Pulse-Driven Silicon p-n Junction
Avalanche Oscillators for the 0,9 to 20 mm Band", IEEE Trans. Electron
Devices, ED-14, 411 (1967).
26. Iglesias D. E" Evans W. J. "High Efficiency CW IMPATT Operation",
Proc. IEEE (1968).
27. Prager H. J., Chang К. K. N.. Weisbrod S. "High Power, High
Efficiency Silicon Avalanche Diodes at Ultrahigh Frequencies", Proc.
IEEE, 55, 586 (1967).
28. Kovel S. R., Gibbons G. "The Effect of Unswep Epitaxial Material on
the Microwave Efficiency of IMPATT Diodes", Proc. IEEE, 55, 2066 (1967).
29. Swan S. B., Misawa Т., Marinaccio L. "Composite Avalanche Diode
Structures for Increased Power Capability", IEEE Trans. Electron Devices,
ED-14, 684 (1967).
30. Magalhaes F. М., Schlosser W. О. "А. Series Connection of IMPATT
Diodes", Inter. Solid State Circuit Conf. Philadelphia (Feb. 1968).
31. Fukui H. "Frequency Locking and Modulation of Microwave Silicon
Avalanche Diode Oscillators", Proc. IEEE, 54, 1475 (1966).
32. Hewlett-Packard Electronic Test Instruments, Hawlett-Packard Co.,
Paio Alto, California, 1961.
Дополнительная литература.
1. Тагер А. С., Мельников А. И., Кобельков Г. П., Цебиев А. М.
Генерация и усиление радиоволн сантиметрового и дециметрового диапазонов
с помощью полупроводникового диода в области положительного наклона его
статической вольт-амперной характеристики. Диплом на открытие № 24,
приоритет 27/Х 1959.
2. Вальд-Перлов В. М., Красилов А. В., Тагер А. С. Лавинно-пролетный диод
- новый полупроводниковый СВЧ прибор.-"Радиотехника и электроника", 1966,
11, с. 2008.
3. Тагер А. С, Вальд-Перлов В. М. Лавинно-пролетные диоды и их применение
в технике СВЧ. М., "Советское радио", 1968.
4. Захаров A. JI. Расчет симметричного слоя умножения.- "Труды совещания
по ударной ионизации в полупроводниках". Баку, Изд-во АН АзССР, 1962.
5. Захаров А. Л., Мартиросов И. М. Теория электрических свойств лавинно-
умножеиия в обратносмещенном рп-переходе.- "Физика и техника
полупроводников", 1967, т. I, № 12, с. 1777.
6. Захаров A. JL, Мартиросов И. М. Электрические свойства слоя умножения.
Сб. "Полупроводниковые приборы и их применение". Под ред. Я. А. Федотова.
Вып. 18. М., "Советское радио", 1967.
7. Аладинский В. К. Туннельный пробой в р-п переходах и генерация СВЧ
колебаний. - "ФТП". 1968, т. 2, № 5, с. '617.
8. Аладинский В. К. О влиянии формы пробоя на высокочастотную
проводимость р-п переходов. - "ФТП". 1970, т. 4, № 7, с. 1328.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ К ГЛ. 6
4. Bardeen J. and Brattain W. H. "Tihe Transistor, A Semiconductor Тг-
iode", Phys. Rev., 74, 230 (1948).
2. Shockley W. "The Theory of p-n Junctions in Semiconductors and p-n
Junction Transistors", Bell Syst. Tech. J., 2'8, 435 (1949).
8. Hall R. N. and Duniap W. C. "р-n Junctions Prepared by Impurity
Diffusion", Phys. Rev., 80, 467 (1050).
3a. Teal G. K., Sparks M. and Buchlor E. "Growth of Germanium Single
Crystals Containing p-n Junctions", Phys. Rev., 31, 637 (195il).
3b. Pfann W. H. "Principles of Zone--Refining", Trans AIME, 1.94, 747
(1962).
3c. Tanenbaum M. and Thomas D. E. "Diffused Emitter and Base Silicon
Transistor", Bell. Syst. Tech. J., 35, 1 (1956).
3d. Lee С. А. "А High Frequency Diffused Base Germanium Transistor",
Bell. Syst. Tech. J., 35, 23 (T96-6).
3e. Frosch C. J. and Derrick L. "Surface Protection -and Selective
Masking During Diffusion in Silicon", J. lElectrochem. Soc., 104, 547
(1057).
4. Theuerer H. C., Kleimack J. J., Loar H. H. and Christenson H.
"Epitaxial Diffused Transistors", Proc. IiRE, 48, 1642 (1960).
5. Hoerni J. A. "Planar Silicon Transistor and Diodes", IRE Electron
Devices Meeting, Washington, D. C. -(i960).
6. Lepselter M. P., MacDonald R. W. "Beam-Lead-Devices", also M. P.
Lepselter, H. A. Wa-ggener, Davis R. E. "Beam-Leaded and Intraconnected
Integrated Circuits", IEEE Electron Device Meeting, Washington, D. C.
(1964); and M. P. Lepselter "Beam-Lead Technology", Bell Syst Tech. J.,
45, 233 (1966).
7. -Shockley W. U. S. Patent 2,787, 564 (1954), For a view on -ion
implantation see J. F. Gibbons, "Ion Implantation in Semiconductors - pt
I, Range Distribution Theory and Experiments", Proc IEEE, 56, 295 (1968).
8. Biondi F. J., Ed. Transistor Technology, vol. I and II, D Van N-
ostrand Co., Inc., Princeton, N. Y., (1958).
9. Шайв Дж. H. Физические свойства и конструкции полупроводниковых
приборов. М.- Л., Г-осэнергоиздат, 1963.
10. Phillips А. В. Transistor Engineering. New York, McGra-w Hill Book
Co., Inc., 1962.
11. Gartner W. W. Transistor, Principle, Design and Application, D Van N-
ostrand Co., -Inc., Prince'ton, N. Y. (1960).
11a. Pritchard R. L. Electrical Characteristics of Transistors, McGraw-
Hill Book Co., (-1967).
'12. S'BEC (Semiconductor Electronics Eduction Committee), vol. 1-4.
(1) Adler R. B., Smith A. C., Longini R. L. Introduction to Semiconductor
Physics, SEEC Vol. 1, New York, John Wiley and Sons, Inc., 1966.
(2) Gray P. E., DeWitt D., Boothroyd A. R., Gibbons J. F. Physical
