Физика полупроводниковых приборов - Зи С.М.
Скачать (прямая ссылка):
"Avalanche Effects ,in Silicon p-n Junction. II Structurally Perfect
Junctions", J. Appl. Phys., -34, 1591 (1963).
28. Kingston R. H. "Switching Time in Junction Diodes and ¦Junction
Transistors", Proc. IRE, 42, 829 (1954).
29. Ван дер Зил. Флуктуационные явления в полупроводниках. Пер. с англ.
Изд-во иностр. лит., 1969.
30. For a review, see М. Н. Norwood and Е. Shatz, "Voltage Variable
Capacitor Tuning - A Review", Proc. IEEE, 56, 788 (1968).
31. Forster J. H., Ryder R. M. "Diodes Can Do Almost Anything", Bell Labs
Rec., 39, 2 (1961).
32. Penfield P., Rafuse R. P. Varactor Applications, Cambridge, Mass.,
MIT Press, 1962.
33. McMahon М. E., Straube G. F. "Voltage Sensitive Semiconductor
Capacitor", IRE WESCON Conv. Rec., pt. 3, pp. 72-82 (August 1958).
34. Prince М. B. Diffused p-n Junction Silicon Rectifiers", Bell .Syst.
Tech. J., 35, 661 (1956).
35. Hall R. N. "Power Rectifiers and Transistors", Proc. IRE, 40, 1512
(1952).
36. Veloric H. S., Prince М. B. "High Voltage Conductivity - Modulated
Silicon Rectifier", Bell Syst. Tech. J., 36, 975 (1957).
37. Pell E. M. "Ion Drift in an n-p Junction", J. Appl. Phys., 31, 291
(1960); also J. W. Mager, Characteristics of p-i-n Junction Produced by
Ion-Drift Techniques in Silicon", J. Appl. Phys., 33, 2894
(1962).
38. Senhouse L. S. "Reverse Biased p-i-n Diode Equivalen Circuit
Parameters at Microwave Frequencies", IEEE Trans. Electron Devices, ED-
13, 314 (1966).
39. Larrabee R. D. "Current Voltage Characteristics of Forward Biased
Long p-i-n Structures", Phys. Rev., 121, 37 (1961).
40. Olsen H. M. "Design Calculation of Reverse Bias Characteristics for
Microwave p-i-n Diodes", IEEE Trans. Electron Devices, ED-14, 418 (1967).
41. Gibbons G., Sze S. M. "Avalanche Breakdown in Read Diodes and p-i-n
Diodes", Solid State Electron., 11, 225 (1968).
42. Benda H., Hoffman A., Spenke E. "Switching Processes in Alloyed p-i-n
Rectifiers", Solid State Electron., 8, 887 (1965).
43. Leenov D. "The Silicon p-i-n Diode as a Microwave Radar Protector at
Megawatt Levies", IEEE Trans. Electron Devices, ED-'ll, 53 (1964).
44. Lucovsky G., Schwarz R. F., Emmons R. B. "Transit - Time
Considerations in p-i-n Diodes", J. Appl. Phys., 35, 622 (1964).
45. Shockley W. U. S. Patent 2, 569, 347 (1951).
46. Kroemer H. "Theory of a Wide-Gap Emmiter for Transistors", Proc. IRE,
45, 1535 (1957).
47. Обзор возможных применений ем. например R. Н. Rediker,
S. Stopek and J. H. R. Ward, "Interface-Alloy Epitaxial Heterojunc-
tions", Solid State Electron., 7, 621 (1964).
48. Hinkley E. D., Rediker R. H. "GaAs - InSb Graded - Gap
Heterojunction", Solid State Electron., 10, 671 (1967).
49. Shewchun J., Wei L. Y. "Germanium - Silicon Alloy Heterojunction", J.
Electrochemical Soc., Ill, 1145 (1964).
50. Anderson R. L. "Experiments on Ge - GaAs Heterojunctions", Solid
State Electron., 5, 341 (1962).
51. Oldham W. G., Milnes A. G. "Interface States in Abrupt Semiconductor
Heterojunctions", Solid State Electron., 7, 153 (1964).
52. Chang L. L. Comments on the Junction Boundary Conditions for Heteroj
unctions", J. Appl. Phys., 37, 3908 (1966).
53. Chang L. L. "The Conduction Properties of Ge - GaAsi_xPx n-n
Heterojunctions", Solid State Electron., 8, 721 (1965).
54. В планарной технологии используются уже известные технологические
методы, такие как диффузия сквозь оксидную маску. Новым является
совместное применение этих методов, позволяющих достигнуть небывало
высокой точности контроля размеров и формы электродов и дуффузионных
областей. Название "планарная" используется в связи .с тем, что
поверхность пластин должна быть плоской. Если поверхность неровная,
жидкий фоторезист не покрывает ее достаточно равномерно, что приводит к
появлению дефектов.
Дополнительная литература.
1. Иванов С. Н., Пении Н. А., Скворцова Н. Е., Соколов Ю. Ф.
Физические основы работы полупроводниковых СВЧ диодов. М., "Советское
радио", 1965.
2. Носов Ю. Р. Полупроводниковые импульсные диоды. М., "Советское радио",
1965.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ К ГЛ. 4
1. Esaki L. "New Phenomenon in Narrow Germanium p-n Junctions", Phys.
Rev., 109, 603 (1958).
2. For a general discussion, see W. F. Chow, Principles of Tunnel Diode
Circuits, New York, John Wiley and Sons, Inc., 1964.
3. Thornber К. K., McGill Т. C., Mead C. A. "The Tunneling Time of an
Electron", J. Appl. Phys., 38, 2384 (1967).
4. Brody T. P. "Nature of the Valley Current in Tunnel Diodes", J. Appl.
Phys., 33, 100 (1962).
5. Pankove J. I. "Influence of Degeneracy on Recombination Radiation in
Germanium", Phys. Rev. Letters, 4, 20 (I960); and "Optical Absorption by
Degenerate Germanium", Phys. Rev. Letters 4, 454 (1960).
6. Mahan G. D., Conley J. W. "The Density of State in Metal -
Semiconductor Tunneling", Appl. Phys. Letters, 11, 29 (1967).
7. Kane E. О. "Thoma - Fermi Approach to Impure Semiconductor Band
Structure", Phys. Rev., 131, 79 (1963).
8. Morgan J. V., Kane E. O. "Observation of Direct Tunneling in
