Легирование полупроводников методом ядерных реакций - Смирнов Л.С.
Скачать (прямая ссылка):
22. Мейер Дж,, Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. М., Мир, 1973. 296 с.
23. Коваль Ю. П., Мордкович В. Н., Темпер Э. М., Харченко В. А. Оптические свойства кремния, облученного нейтронами.— Физ. и техн. полупр., 1972, т. 6, вып. 7, с. 1317—1322.
24. Glairon P., Meese J. Isochronal Annealing of Resistivity in Floatzone and'Czochralski NTD Silicon.—In: Neutron Transmutation Doping in Semiconductors. Proc. 2-th Intern. Conf. Columbia, Missouri, April 23—26, 1978. Ed. J. M. Meese. IX. Y.— London, Plenum Press, 1979, p. 219—305.
25. Греськов И. М., Ефимович О. Н., Соловьев С. П., Харченко В. А., Шапиро В. Г. Отжиг радиационных дефектов в кремнии, облученном нейтронами и быстрыми электронами.— Физ. и химия обработки матер., 1976, № 5, с. 31—34.
26. Харченко В. А., Воронов И. Н., Мордкович В. Н., Смирнов Б. В.* Соловьев С. П. Электрофизические свойства радиационно-легированного кремния, полученного методом Чохральского.— В кн.: Вторая конф. по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов (тезисы докл.). М., 1972.
27. Мордкович В. Н., Соловьев С. П., Темпер Э. М., Харченко В. А. Проводимость кремния, подвергнутого нейтронному облучению И отжигу.— физ. й техн. полупров., 1974, т. 8, вып. 1, с. 210—213.
28. Ефимович О. Н., Соловьев С. П., Харченко В. А. Нейтронографическое исследование дефектной структуры облученных монокристаллов кремния.—В кн.: Третье Всесогоз. совещ. Дефекты структуры в полупроводниках (тезисы докл.). Ч. II. Новосибирск, 1978, с. 182.
29. Греськов И. М., Соловьев С. П., Харченко В. А. Влияние ростовых дефектов на изменение проводимости кремния, облученного нейтронами.— Физ. и техн. полупр., 1977, т. 11, вып. 8, с. 1598—1601.
30. De Kock A. Microdefects in Dislocation-Free Silicon Crystals.— Phys. Res. Rep., 1973, Suppl. 1, p. 1—106.
31. Греськов И. М., Соловьев С. П., Харченко В. А. Зависимость некоторых изменений электрофизических свойств и микроструктуры кремния от условий облучения и свойств исходного материала.— В кн.: Радиационные эффекты в кремнии. Препринт КИЯИ-76-23. Киев, 1976, с. 26-27.
32. Гусев В. М., Титов В. В. Исследование отжига дефектов, введенных в кремний путем облучения ионами Si+. — В кн.: Радиационная физика кристаллов и р — n-переходов. Минск, Наука и техника, 1972, с. 95.
33. Карманов В. Т., Павлов П. В., Зорин Е. И., Тетельбаум Д. И., Хохлов А. Ф. Отсутствие донорных свойств фосфора при диффузии в кре.м-Ш1Й, подвергнутый ионной бомбардировке.— Физ. и техн. нолупров., 1975, т. 9, вып. 9, с. 1786—1789.
34. Hill М., Yan Iseqhein P., Zimmerman W. Preparation and Application of Neutron Transmutation Doped Silicon for Power Device Research.— IEEE Trans. Electr. Dev., 1976, v. ED-23, № 8, p. 809—813.
35. Полупроводники/Под ред. H. Б. Хеннея. М., ИЛ, 1962. 667 с.
36. Hart R., Albert L., Skinner N. Measurement of 31P Concentrations Produced by Neutron Transmutation Doping of Silicon.— In: Neutron Transmutation Doping in Semiconductors. Proc. 2-th Intern. Conf. Columbia, Missouri, April 23—26, 1978. Ed. J. M. Meese. N. Y.— London, Plenum Press, 1979, p. 345-354.
37. Смит P. Полупроводники, М., ИЛ, 1962. 467 с.
38. Дирнли Дж., Нортроп Д. Полупроводниковые счетчики ядерных излучений. М., Мир, 1966, 359 с.
39. Харченко В. А., Смирнов Б. В., Соловьев С. П., Фетисова Г. А., Воронов И. Н., Банэ В. Э. Влияние термообработки на электрофизические свойства радиационно-легированного кремния.— Изв. АН СССР. Неорганич. матер., 1971, т. 7, вып. 12, с. 2142—2145. .
40. Киреев П. С. Физика полупроводников. М., Высшая школа, 1975. 584 с.
41. Мордкович В. П., Соловьев С, П., Темпер Э. М., Харченко В. А. Проводимость кремния, подвергнутого нейтронному облучению и отжигу,— В кн.: Радиационные дефекты в полупроводниках (расширенные тезисы). Минск, 1972, с. 92—93.
42. Cleland J., Fleming P., Westbrook Д., Wood R., Young R. Electrical Property Studies of Neutron Transmutation Doped Silicon.— In: Neutron Transmutation Doping in Semiconductors. Proc. 2-th Intern. Conf. Columbia, Missouri, April 23—26, 1978. Ed. J. M. Meese. N. Y.— London, Plenum Press, 1979, p. 261—279,
43. Лымарь Г. Ф. Измерение удельного сопротивления кремниевых эпи-¦ таксиальных слоев методом сопротивления растекания точечного
зонда.— Электронная техника. Сер. 2. -Полупроводниковые приборы, 1970, вып. 4 (54), с. 3—5.
44. Афонин Л. Н., Мордкович В. II., Смирнов Б. В., Соловьев С. П., Темпер Э. М., Харченко В. А. Радиационно-легированными кремний для высоковольтных приборов. Электронная промышленность, 1976, вып. 6 (54), с. 53—54.
45. Herrmann Н., Herzer Н. Doping of Silicon by Neutron Irradiation.— J. Electrochem. Soc., 1975, v. 122, № 11, p. 1568—1569.
46. Mahnros 0. The Minority Carrier Lifetime of Neutron Doped Silicon.— In: Neutron Transmutation Doping in Semiconductors. Proc. 2-th Intern. Conf. Columbia, Missouri, April 23—26, 1978. Ed. J. M. Meese. N. Y.— London, Plenum Press, 1979, p. 249—259.
178
47. Senes A., Sifre G., Breanfc M. Stabilization of Transmutation D '^ing Silicon. — In: Semiconductor Silicon, 1977. Eds H. Huff, E. Sirtl. Princeton, The Electrochem Soc., p. 135—141.
