Эффект Ганна - Левинштейн М.Е.
Скачать (прямая ссылка):
IEEE",
1966, v. 54, № 85, p. 799-801.
79. Левинштейн М. E. Динамика низкочастотных осцилляций диодов Ганна.-
"Письма в ЖЭТФ", 1968, т. 7, № 9, с. 318-321.
80. Абкевич И. И. Автоманипуляция генерируемых СВЧ-колебапнй в диодах
на эффекте Ганна.-В кн. Физика электронно-дырочных переходов и
полупроводниковых приборов. М.-Л., "Наука", 1969, с. 230.
81. Camp W. О., Jr. Experimental obser-
vations of relaxation oscillator waveforms in GaAs from less than
transit-time frequency to several times transit-time frequency. -
"Proc.
IEEE", 1971, v. 59, № 8, p. 1248- 1250.
82. Jaskolski S. W., Ishii Т. K. Simulta-
neous low-frequency relaxation and high-frequency microwave oscillation
of a bulk GaAs CW oscillator.- "Electron Lett.", 1967. v. 3, № I.
p. 13-14.
83. Lanza C., Esposito R. Bulk negative
resistance device operated in a re-
laxation mode.-"Sol.-St. Electron",
1969, v. 12, № 6, p. 463-467.
84. Tsai W. C., Rosenbaum F. J. Bias circuit oscillations in Gunn
devices.- "IEEE Trans.. 1969, v. ED-16, № 2, p. 196-202.
85. Банис Т. Я-. Паршелюнас И., По-
жела Ю. Абсолютно отрицательное сопротивление арсенида галлия при
воздействии па него сильным СВЧ полем. "ФТП", 1971, т. 5, №
10,
с. 1990-1992.
86. Banys Т., Parseliunas J., Porela J.
Hoi electrons in n-type GaAs at microwave high electric fields. - In.:
279
Proc. 11th Int. Conf. on Phys. Semi-cond., 1972, Warshawa, p. 63>8-643.
87. Банке Т. Я., Пожела Ю. K-, Ряп-шас К. К. Исследования постоянной
электродвижущей силы, возникающей в полупроводнике в сильном переменном
электрическом поле. - "Литов, физ. сборник", 1966, т. 6, № 3, с. 415-425.
СПИСОК ДОПОЛНИТЕЛЬНОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1. Tang D., Lomax R. J., Haddad G. I.
Effect of circuit load on the phase of bias tuning in transferred-
electron devices.-"Electron. Lett.", 1973, v. 9, № 24, p. 564-565.
2. В e r s о n В. E. Transferred-Eleeiron Devices Take on More Roles
in Microwave Systems.-"Electronics", 1972, v. 45, № 25, p. 102-108.
3. Parkers E. P., Taylor В. C. The effect of Temperature on Epitaxial
InP Transferred-electron Devices.-"IEEE Trans.", 1973, v. ED-20, № 10, p.
852- 855.
4. Joshi J. S., Cornick 1. A. F. Some
General Observations on the Tuning Characteristics of "Electromechanical-
lv" Tuned Gunn Oscillators.-"IEEE Trans.", 1973, v. MTT-21, №
9,
p. 582-586.
5. Herbst H., Ataman A. Q-dependence
of Gunn Oscillator F. M. Noise. - "IEEE Trans.", v. MTT-21, № 2,
p. 114-115.
6. Haus H. A., Statz H., Pucel R. A.,
Noise in Gunn Oscillators. - "IEEE
Trans.", 1974, v. ED-21, № 4,
p. 368-371.
7. Freeman K- R., Hobson G. S. A survey of CW and Pulsed Gunn
Oscillators by Computer Simulations.- "IEEE Trans.", 1973, v. ED-20, №
10, p. 891-903.
8. Dean М., Howes M. J. An Electronically tuned Gunn Oscillator
Circuit.-"IEEE Trans.", 1973, v. ED-20, № 6, p. 597-598.
К главе 9
1. Kroemer H. External negative conductance of a semiconductor with
negative differential mobility.-"Proc. IEEE", 1965, v. 53, № 9, p. 1246.
2. Copeiand J. A. A new mode of operation for bulk negative resistance
oscillators.--"Proc. IEEE", 1966, v. 54, № 10, p. 1479-1480.
3. Copeland J. A. LSA oscillator diode theory. - "J. Appl. Phys.",
1967, v. 38, № 8, p. 3096-3101.
4. Shuskus A. J., Shaw M. P. Current instabilities in gallium
arsenide.- "Proc. IEEE", 1965, v. 53, № 11, p. 1804-1805.
5. Kennedy W. K. Jr., Eastman L. F.
High power pulsed microwave generation in gallium arsenide. - "Proc.
IEEE", 1967, v. 55, № 3, p. 434-435.
6. Кэррол Дж. СВЧ генераторы на горячих электронах. Пер. с англ., М.,
"Мир", 1972.
7. Harrison R. J., Denker S. P., Had-
ley M. L. Characteristic ranges for LSA oscillation. - "IEEE Trans.",
1968, v. ED-15, № 10, p. 792-793.
8. Kennedy W. K. Jr., Eastman L. F.,
Gilbert R. J. LSA operation of large volume bulk GaAs samples.-"IEEE
Trans.", 1967, v. ED-14, № 9,
p. 500-504.
9. Mueller R. R., Nitz B. Analogue-com-puter model for a gallium-
arsenide LSA diode. - "Electron. Lett.", 1969, v. 5, № 20, p. 498-499.
10. Copeland J. A. Theoretical study of a Gunn diode in a resonant
circuit. - "IEEE Trans.", 1967, v. ED-14, № 2, p. 55-58.
11. Fawcett W. Computer simulation of Gunn and LSA microwave
oscillators.-"Electronic. Component", 1968, November, p. 12-17.
12. Mantena N. R., Wright M. L. Circuit model simulation of Gunn effect
devices. - "IEEE Trans.", 1969" v. MTT-17, № 7, p. 363-373.
13. Bott J. B., Hilsum C. An analytic approach to the LSA mode.-"IEEE
Trans.", 1967, v. ED-14, № 9, p. 492- 497.
14. Hobson G. S. Effect of Johnson
noise on LSA oscillators. - "Electron. Lett.", 1968, v. 4, № 11,
p. 230-232.
15. Heinle W. Simple theory for LSA operation of Gunn-effect
semiconductors.-"Electron. Lett.", 1967, v. 3, № 9, p. 429-430.
16. Copeland J. A. Doping uniformity and geometry of LSA oscillator
diodes.-"IEEE Trans.", 1967, v. ED-14, № 9, p. 497-500.
17. Thim W. Computer study of bulk
GaAs devices with random and dimensional doping fluctuations. - "J. Appl.
