Эффект Ганна - Левинштейн М.Е.
Скачать (прямая ссылка):
p. 512-517.
39. Гельмонт Б. Л., Шур М. С. Домены
сильного поля в диодах Ганна с двумя сортами носителей. - "ЖЭТФ", 1971,
т. 60, № 6,
с. 2296-2307.
40. Прохоров Э. Д., Шалаев В. А. Влияние магнитного поля на
генерируемые доменом сильного поля носители в условиях ударной ионизации
при эффекте Ганна.-"ФТП",
1970, т. 4, № 10, с. 1993-1995.
41. Southgate P. D. Role of ionization inhomogeneties in the S-type
characteristic of moderately heavily doped п-GaAs. - "J. Appl. Phys.",
1972, v. 43, № 3, p. 1038-1041.
42. Thim H. W., Knight S. Carrier generation and switching phenomena in
п-GaAs devices.-"Appl. Phys. Lett.", 1967, v. 11, № 3 (August), p. 83-85.
43. Гельмонт Б. Л., Шур М. С. S-образная характеристика в
сильнолегированных ганновских диодах. - "ФТТ", 1970, т. 12, № 6, с. 1645-
1651.
44. Гельмонт Б. Л., Шур М. С. S-образная вольтамперная характеристика в
диодах Ганна с глубокими центрами. Сравнение теории с экспериментом. -
"ФТП", 1973, т. 7, № 3, с. 538.
45. Gelmont В. L., Shur М. S. S-type current-voltage characteristic in
Gunn diodes.-"J. Phys. D: Appl. Phys.",
1973, v. 6, № 7, p. 842-850.
46. Бонч-Бруевич В. Л., Хомутова М. Д. К теории статических
электрических доменов в полупроводниках с горячими электронами.
Биполярный случай,-"ФТП", 1968, т. 2, № 7, 955-960.
276
47. Petzinger К- G., Hahn А. Е. Jr., Matzelle A. CW three-terminal GaAs
oscillator. - "IEEE Trans.", 1967, v. ED-17, № 7, p. 403-404.
48. Dalai V. L. Hole velocity in р-GaAs.- "Appl. Phys. Lett.", 19'70,
v. 16, № 12, p. 489-491.
49. Гельмонт Б. Л., Шур М. С. Новый
тип неустойчивости в полупроводнике с двумя сортами носителей -
неустойчивость квазинейтральных
волн.- "ФТП", 1971, т. 5, № 6,
с. 1082-1086.
50. Киквидзе Р. Р., Рухаздзе А. А., Фетисов Е. П. Возбуждение
электромагнитных волн в плазме твердого тела при наличии отрицательной
вольт-амперной характеристики. - "ФТТ", 1967, т. 9, № 10, с. 1349- 1356.
51. Gelmont В. L., Shur М. S. The instability of quasineutral waves in
a semiconductor with two kinds of carriers.- "Phys. Lett.", 1971, v. 35A,
№ 5, p. 353-354.
52. Смит P. А. Полупроводники. Пер. с англ., М., ИЛ, 1962.
53. Haynes J. R., Shockley W. The mobility and life of injected holes
and electrons in germanium. - "Phys. Rev.", 1951, v. 81, № 5, p. 835-843.
54. Ruch J. G., Kino G. S. Transport properties of GaAs.-"Phys. Rev.",
1968, v. 174, № 3, p. 921-931.
55. Gelmont B. L., Shur M. S. High field Gunn domains in the presence
of electron-hole pairs.-"Phys. Lett.",
1971, v. 36A, № 4, p. 305-306.
56. Бородовский П. А., Розенцвайг И. Ф. Движущийся высокополевой домен
в образце гг-InSb, находящемся во внешнем магнитном поле. - "ФТП",
1972, т. 6, № 12, с. 2347-3353.
57. Boers Р. М. Measurements on dipole domains in indium phosphide.-
"Phys. Lett.", 1971, v. 34A, № 6, p. 329- 330.
58. Guetin P. Contribution to the experimental study of the Gunn effect
in long GaAs samples.-"IEEE Trans.", 1967, v. ED-14, № 9, p. 552-562.
59. Гельмонт Б. Л., Шур М. С. Рекомбинационные домены сильного поля в
полупроводниках с двумя сортами носителей. - "ЖЭТФ", 1971, т. 61, № 6, с.
2419-2428.
СПИСОК ДОПОЛНИТЕЛЬНОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1. Gelmont В. L., Shur М. S. Slow high-field domains in Gunn diodes
with two kinds of carriers.-"J. Phys. D.", 1974, v. 7, № 9, p. 1279-1286.
2. Судзиловский В. Ю. Стимулированное излучение из диодов Ганна.-
"ФТП", "1973, т. 7, № 4, с. 661-670.
3. Судзнловский В. Ю. Ударная ионизация в диодах Ганна. Накопление
электронно-дырочных пар,-"ФТП",
1973, т. 7, № 3, с.572-578.
А. Судзнловский В. Ю. Ударная ионизация в диодах Ганна. Форма домена и
характер его движения.- "ФТП". т. 7, № з, с. 563-571.
К г л а в е 8
1. Copeland J. A. GaAs bulk oscillators
stir millimeter waves.-"Electronics", 1967, v. 40, № 12 (June 12),
p. 91-96.
2. Gunn J. B. Effect of domain and circuit properties on oscillations
in GaAs.-"IBM J. Res. Dev.", 1966, v. 10, № 4, 310-320.
3. Copeland J. A. Characterization of bulk negative-resistance diode
behavior.-"IEEE Trans.", 1967, v. ED-14, № 9, p. 461-463.
4. B. van der Pol. The nonlinear theory of electric oscillations.-
"Proc. IRE", 1934, v. 22, № 9, p. 1051-1086.
5. Sterzer F. Power output and efficiency of voltage-controlled
negative resistance oscillators.-"IEEE Trans.",
1967, v. ED-14, № 10, p. 718-719.
6. Кэррол Дж. СВЧ генер&торы на горячих электронах. Пер. с англ. М.,
"Мир", 1972.
7. Low frequency analog for a Gunn-effect oscillator. - "IEEE Trans.",
v. ED-14, № 10, p. 640-656.
S. Copeland J. A. Theoretical study of a Gunn diode in a resonant
circuit.- "IEEE Trans.", 1967, v. ED-14, № 2, p. 55-58.
9. Robson P. N., Mahrous S. N. Some aspects of Gunn effect
oscillators.- "Radio Electron. Engr.", 1965, v. 345-352, v. 30, i№ 6, p.
345-352. "Зарубежная радиоэлектроника",
1966, № 10, с. 71.
30. Warner F. L. Extension of the Gunn effect theory given by Robson
and Mahrous.-"Electron. Lett.", 1966, v. 2, № 7 (July), p. 260-261.
