Физика полупроводников - Лазарь С.С.
Скачать (прямая ссылка):
на контакте металл - полупроводник 64
, толщина 380
Столкновение 248-251 Столкновения,
вероятность 21 9, 246
- межэлектронные, неупругие, упругие, почти упругие 251, 252, 254-258, 268,
269,283, 284, 314-316 Столкновения фононов с дефектами, с
фононами 54, 219, 320
, 2-3-и 4-фононные 320
-, частота 21 9, 246
- электронов сфононами 54, 251, 253, 254,
258 Тепловое возбуждение электрона 15, 20
, частота следования 15, 18
Теплоемкость решетки 43, 49, 50, 52, 184-189, 317
- фотонная 329
- электронного газа 44, 311
Теплопроводность 244, 256, 270, 271
- решеточная 14, 43, 46- 49, 219, 317-329, 351
- фотонная 311, 329-330
- электронная 43-44, 46, 257,264,311-316, 351, 356
- -, отношение к электропроводности 44,
45 Термомагнитные коэффициенты 257, 270
Термомагнитные явления 83, 85, 98-100, 244, 331, 334, 355-357
Термоэлектрические явления 75, 76, 78, 82, 100,244, 264 292-311,315, 351,422- 423
Томсона коэффициент 77
- соотношения 76-77
- теплота 77
- явление 75, 77, 79
Туннельный диод 165, 280, 286, 364, 396-399
- эффект 11, 59, 62, 66, 193, 285, 363, 368, 373, 392, 396 Увлечение электронов
фононами 299-304
Уровень (энергетический) см. энергетический
Уровень Ферми (см. также потенциал химический) 33, 34, 59, 71, 80, 81, 105, 433 в
невырожденном полупроводнике 82, 229-232, 234
в невырожденном полупроводнике, температурная зависимость 35, 36,232,
233
- -, температурная зависимость 35, 36 Фазовая скорость 177, 179, 180, 253
Фазовое пространство 265-267, 328 Ферми - Дирака статистика 199, 431
- интегралы 241, 243, 299
- поверхность 314, 339, 342
- распределение 32-34, 224-226, 328, 417, 431 Фонона энергия 53, 104, 118,
253-255
Фононы 49, 54, 104, 118, 186, 187, 255, 299-303, 317, 318, 324, 405-407
-, групповая скорость 317
Фотовольтаические эффекты 421-426
Фотодиод 425, 426
Фотоионизация 384
Фотоноситель 100, 413, 421
Фотопроводимость 100-103, 108, 409-421
- примесная, собственная 41 0-41 2
- стационарная 1 03
Фоточувствительность 1 07, 1 09, 11 0, 409, 41 0 Фото-э. д. с. 421 Фотоэффект 1 00, 1 09
- вентильный 423-
426 -, квантовый выход
423 -, красная граница 41
0
- примесный 409 -"собственный" 409
Фундаментальное поглощение, см. поглощение
Химическая связь 143-147
Холла постоянная 87-91, 347, 349-352
- э. д. с. 90, 341, 349
- эффект 86, 92, 341-352, 356 Холловское поле 87, 90,
91, 346, 351, 354 Центр рекомбинации примесный 101, 105, 110
Цепочка двухатомная 180-182 Циклотронный резонанс 334,
426-430
Шокли - Рида статистика рекомбинации 416-421
Шредингера уравнение 128-134, 190, 274
для нестационарных процессов 131-138
для электронов в адиабатическом приближении 192
в одноэлектронном приближении 195
невозмущенное 135
Эйнштейна соотношение 69, 174, 370 Экситоны 106,
111,196,407- 409 Экстракция 75
Электрическое поле сильное 278-291, 362
Электронный газ, вырожденное состояние 30-32, 34, 237-239, 256, 262, 406, 407,
435
, невырожденное состояние 30, 31, 35, 44, 77, 81, 227, 238, 239, 256, 262, 299
невырожденный, статистика (для полупроводников) 226-231
, плотность 36
Электронный газ, сохранение теплового равновесия с кристаллом 257
Электрон-фононное взаимодействие 255
Электрохимический потенциал 79, 224, 293
Элементарная ячейка - см. ячейка
Эллипсоид энергии 21 6
Энергетический уровень захвата 41 6
электрона в кристалле 236
Энергетический спектр электронов в кристалле 10-13, 20, 209, 236, 244, 249 Энергия
активации 11, 19, 27, 31, 172, 339, 341, 407 оптическая 410, 412,413
примесных электронов 22, 35, 120, 166, 233, 287, 368, 373
термическая 410, 412, 413
- тепловых колебаний атомов кинетическая средняя 49, 52
потенциальная средняя 50
- электронов в направленном потоке средняя 40, 80, 81, 293
тепловая (кинетическая) средняя 40, 242-243
Эттингсгаузена эффект 91, 92, 349-351
Ячейка (решетки кристаллической) элементарная 111, 152-155, 157, 160, 183
ПРЕДИСЛОВИЕ
Несмотря на то, что полупроводниковые материалы и приборы
уже давно вышли за пределы физических лабораторий, до
настоящего времени в мировой литературе вряд ли можно найти
книгу, посвященную физике полупроводников и рассчитанную на
достаточно широкий круг читателей: инженеров и научных
работников, занимающихся разработкой полупроводниковых
материалов и приборов, и студентов соответствующих
специальностей. Автор поставил своей целью восполнить этот
пробел.
В гл. 1 описаны основные явления в полупроводниках и
основные свойства полупроводников в качественной форме почти
без математических выкладок, последующие восемь глав
посвящены количественному анализу основных вопросов физики
полупроводников, но и в них автор старался на первый план
выдвинуть физическую сущность явлений, а затем уже вывести и
основные математические соотношения.
По ряду основных проблем физики полупроводников уже
имеются прекрасные монографии советских авторов и ряд
переводных книг. Поэтому вопросам, рассмотренным в этих
