Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Электротехника -> Фалькевич Э.С. -> "Технология полупроводникового кремния" -> 128

Технология полупроводникового кремния - Фалькевич Э.С.

Фалькевич Э.С., Пульнер Э.О., Червоный И.Ф. Технология полупроводникового кремния — М.: Металлургия, 1992. — 408 c.
ISBN 5-229-00740-0
Скачать (прямая ссылка): tehpolkremniya1992.djvu
Предыдущая << 1 .. 122 123 124 125 126 127 < 128 > 129 130 131 132 133 134 .. 162 >> Следующая


CJC0 = Cl2ID2,

где C1 и C0 — заданная концентрация примеси в монокристалле и концентрация примеси в прутке-подложке, ат/см3; d и D - диаметры

323
прутка-подложки и поликристаллического стержня кремния, полученного водородным восстановлением хлорсиланов, мм.

При легировании бором через пруток-подложку получаются наилучшие результаты, так как в процессе пЛавки перераспределения и испарения примеси практически не происходит. При легировании ф ])о-ром задача усложняется из-за малого коэффициента распредели, аия примесей (Jt0 = 0,35) и интенсивного испарения фосфора из зоны расплава (при плавке в вакууме).

При легировании твердой лигатурой навески чистого легирую- tero элемента или лигатуры (сплав кремния с легирующим элемег ом) специальной формы помещают в предварительно созданные механическим путем углубления (по длине исходного стержня или в начале стержня). Место расположения навески зависит от коэффициента сегрегации легирующего элемента. Если k < 1, навеску помещают а начальной части стержня, если к > 1 - в нескольких углублениях по длине стержня. Этот метод прост и дает удовлетворительные результаты, особенно при легировании примесями с к0 < 0,1 [например, галлием (к0 = 0,008) или индием (к0 = 0,0004)]. Массу навески m для получения требуемой концентрации примеси в монокристалле определяют из соотношения [229]:

т = H2{M/Nд){С JkQ)V,

где M ~ атомная масса примеси; Na - число Авогадро; C1 - требуемая концентрация примеси; V - объем зоны расплава.

При легировании газом поток, содержащий легирующее вещество, направляется на поверхность зоны расплава в процессе выращивания монокристалла (рис. 151). Для получения равномерного распределения примеси по длине монокристалла необходимо очень точно выдерживать направление подачи и количество подаваемого легирующего вещества в зону расплава. Большое влияние на воспроизводимость легирования оказывают режимы выращивания, форма и объем камеры выращивания. Хороших результатов удается добиться при разработке и использовании калибровочных графиков и таблиц индивидуально для каждой установки.

Аппаратурно метод газового легирования при выращивании в газовой среде оформлен аналогично легированию при выращивании монокристаллов в вакууме (см. рис. 151). При выращивании в газовой среде испарение легирующего элемента с поверхности зоны расплава значительно уменьшается, что способствует более точному и воспроизводимому легированию.

Изучение процесса легирования из газовой фазы начато авторами работы [245] и в дальнейшем интенсивно проводилось многими исследователями [173, 229, 246]. На основе анализа материального баланса

324
Wo

Рис. 1S1. Схема легирования из газовой фазы:

I — KOHTdteep с лигатурой; 2 — запорный вентиль; 3 — дроссель; 4 — дозирующий клапан; 5 — камера выращивания; 6 — слиток; 7 — зона расплава; 8 — индуктор

примеси'в [173] получена зависимость, применяемая на практике и учитывающая наличие в атмосфере выращивания легирующей примеси:

af C3-

vS Cn-C,

tTI-cCT

(41)

где C0, Cp и Cet - начальная, равновесная и стационарная (постоянная) концентрации примеси в расплаве, ат/см3; C3 - заданная концентрация примеси в кристалле, ат/см3; к - коэффициент испарения, см/с; F -площадь поверхности зоны расплава, см2; v - скорость выращивания, см/с; 5 - площадь поперечного сечения кристалла, см2.

По уравнению (41) можно оценить соотношение концентраций и определить условия проведения процесса выращивания. Уравнение (41) выведено с учетом предположения, что фосфор в исходном поли-кристаллическом стержне достаточно однородно распределен по объему. Выполненные в [246] исследования позволили установить величину допустимой компенсации бором и точность подачи фосфора к зоне расплава при получении монокристаллов с заданным разбросом УЭС (рис. 152).

На практике для оценки качества поликристаллического кремния можно пользоваться упрощенными соотношениями, учитывающими степень компенсации, которые получили название показатель качества (ПК):

для л-типа

ПК = PmaxPmin/(Pmax — Pmin) ^ 50Рц/6

11*—214

32S
Рис. 152. Зависимость допустимой компенсации К основной примеси от требуемого значения радиальной неоднородности Ap в монокристаллах при различной точности подачи (отклонение от средней величины) легирующей примеси, %'.

1-20;2~15;3-1В;4-5;5-2

Рис. 153. Зависимость радиальной неоднородности распределения фосфора AC от величины смещения оси плавящегося слитка е

для р-типа ПК = PmaxPminAPmax ~ PminP 50 Ри/бри,

где Ртах и Pmin - максимальное и минимальное значения УЭС, Ом • см; ри - номинальное значение УЭС кремния требуемой марки, Ом • см; бри - допустимое относительное отклонение УЭС от номинального значения кремния требуемой марки, %.

На распределение легирующего элемента по торцевому сечению монокристалла оказывают влияние асимметрии нагрева зоны расплава [247J; скорость вращения монокристалла [229, 247]; форма и размеры индуктора [229, 248]; степень компенсации. основной легирующей примеси [248-251]; эффект грани [46- 48,252].
Предыдущая << 1 .. 122 123 124 125 126 127 < 128 > 129 130 131 132 133 134 .. 162 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed