Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Электротехника -> Фалькевич Э.С. -> "Технология полупроводникового кремния" -> 127

Технология полупроводникового кремния - Фалькевич Э.С.

Фалькевич Э.С., Пульнер Э.О., Червоный И.Ф. Технология полупроводникового кремния — М.: Металлургия, 1992. — 408 c.
ISBN 5-229-00740-0
Скачать (прямая ссылка): tehpolkremniya1992.djvu
Предыдущая << 1 .. 121 122 123 124 125 126 < 127 > 128 129 130 131 132 133 .. 162 >> Следующая


1 Паї. 244153. ГДР. 1987. 320
Рис. 148. Торцевое сечение монокристалла с дефектами аномального травления. XI1O

очищенный в специальных установках. Аргон имеет меньшее пробивное напряжение, чем водород, HO, являясь инертным по отношению к кремнию, он практически не растворяется в расплавленной зоне и позволяет выращивать плотные, без газовых включений монокристаллы.

При выращивании в среде аргона (и в вакууме) важным является предотвращение электрического разряда на токоподводах индуктора. Возникновение электрического разряда в процессе плавки создает аварийную ситуацию, в результате такого разряда возможно появление загрязнения из материала индуктора в растущем монокристалле до

IO14-IOis ат/см3 [243]. Эту особенность плавки в атмосфере аргона следует учитывать при разработке высокочастотных генераторов, индукционных систем и при текущих ремонте и наладке генераторов.

Применение газовой среды при , выращивании монокристаллов приводит к повышению градиентов температуры в кристалле. Это связано с увеличением теплоотвода от кристалла за счет теплопроводности и конвекции газа внутри камеры. Увеличивая градиент температуры в выращиваемом монокристалле, можно повысить максимальную скорость выращивания (см. рис. 117). На практике для ускорения охлаждения специально обдувают монокристалл защитным газом1, обеспечивая этим увеличение его скорости выращивания.

Как уже указывалось, в бездислокационных монокристаллах, выращиваемых бестигельной зонной плавкой, были обнаружены структурные микродефекты. Характер распределения микродефектов А- и ?-типов зависит от технологических параметров роста (скорости выращивания V и скорости вращения монокристалла и). Шаг полос микро-дефектов обычно связан с распределением примесей и может быть определен из выражения: h = v/to. Как показано в работе [244], подбором соответствующих условий роста можно добиться равномерного распределения микродефектов, если в процессе роста будет выполняться соотношение: v/to < \/7V/C , где N - количество атомов примеси в

1 Пат. 237333. ГДР. 1986.

11-214

321
і

Рис. 149. Однородное распределение микродефектов Л-типа в поперечном (а) н продольном (б) сечениях монокристалла кремния, х 1,0

одном микродефекте; С - концентрация примеси в монокристалле;

V - скорость выращивания, см/с.

С учетом этого неравенства были определены условия выращивания монокристаллов с равномерным распределением микродефектов (рис. 149).

При уменьшении скорости выращивания (v < 2 мм/мин) концентрация микродефектов A-типа понижается, они увеличиваются в размерах и располагаются в объеме равномерно. При еще меньших скоростях роста (v < 1 мм/мин), когда размеры микродефектов А-типа достигают еще больших значений (~ 40 мкм), в монокристаллах образуются дислокации.

Дислокации генерируются из микродефектов в центре монокристалла под действием сжимающих напряжений, являющихся результатом совместного действия радиального и осевого температурного градиентов (см. рис. 56).

Таким образом, изменяя условия роста, можно получить монокристаллы с различными типами микродефектов и разным характером их распределения.

Как уже отмечалось, решающее влияние на образование микродефектов оказывает градиент температуры в выращиваемом монокристалле [69]. При этом для определенной величины градиента температуры в выращиваемом монокристалле существует своя минимальная скорость выращивания, по достижении или превышении которой создаются условия для получения монокристаллов без свирл-дефектов (рис. 150).

322
Рис. 150. Осевой градиент температуры ДТ и мини- VoxfhK/мин

мальная скорость охлаждения »охл, обеспечивающие получение монокристаллов без свнрл-дефектов

120 130 AT, К/CM

При производстве бездислокационных монокристаллов заданной марки с помощью измерительных приборов (например, оптических пирометров) определяют температурный градиент в выращиваемом монокристалле и по графику (см. рис. 150) вычисляют необходимую скорость выращивания. Это обеспечивает получение монокристаллов без свирл-дефектов. Вырастить бездислокационные монокристаллы без микродефектов D-типа в промышленных условиях Пока не удается. По-видимому, этого можно будет добиться, уменьшив содержание углерода и кислорода в монокристаллах [72}.

Методы легирования

Монокристаллы кремния должны иметь заданные электрофизические свойства: тип и величину электропроводности, однородность ее распределения (разброс), тннз. Тип и величину электропроводности обеспечивают, вводя в выращиваемый монокристалл легирующие элементы (в основном бор или фосфор).

При бестигельной зонной плавке применяют следующие методы легирования: через подложку; твердой лигатурой; газового легирования при выращивании в вакууме и в газовой среде; нейтронно-трансмута-ционного легирования.

При легировании через подложку осаждение кремния в процессе водородного восстановления хлорсиланов проводят на пруток-подложку, содержащий заданное количество легирующей примеси (с учетом, естественно, осаждаемого чистого слоя). В процессе бестигельной зонной плавки легирующая примесь из прутка-подложки переходит в зону расплава и распределяется по всему объему монокристалла. Концентрация легирующей примеси в прутке-подложке для достижения заданного уровня примеси в выращиваемом монокристалле определяется из соотношения:
Предыдущая << 1 .. 121 122 123 124 125 126 < 127 > 128 129 130 131 132 133 .. 162 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed