Физика полупроводниковых приборов - Зи С.М.
Скачать (прямая ссылка):
Electron Devices, ED-14, 464 (1967).
37. Thim H. W. "Temperature Effects in Bulk GaAs Amplifiers", IEEE Trans.
Electron Devices, ED-14, 59 (1967).
38. Kroemer H. "Effect of Parasitic Series Resistance on the Per-formace
of Bulk Negative Conductivity Amplifiers", Proc. I'E'EE, 54, 1980 (1966).
39. Copeland J. A. "Electrostatic Domains in Two - Valley
Semiconductors", IEEE Trans. Electron Devices, ED-13, 187 (1966).
40. Copeland J. A. "Stable Space-Charge Layers in Two - Valley
Semiconductors", Appl. Phys., 37, 3602 (1966).
41. Butcher P. N.. Fawcett W.f Ogg N. R. "Effect of Field Dependent
Diffusion on Stable Domain Propagation in the Gunn Effect", Brit. J.
Appl. Phys., 18, 755 (1967).
42. Butcher P. N. "Theory of Stable Domain Propagation in the Gunn
Effect", Phys. Letters, 19, 546 (1963).
46. Butcher P. N.. Fawcett W" Hilsum С. "А .Simple Analysis of Stable
Domain Propagation in the Gunn Effect", Brit. J. Appl. Phys., 17, 841
(1966).
44. Fukui H. "New Method of Observing Current Waveforms in Bulk GaAs",
Proc. IEEE, 54, 792 (1966).
45. Thim H. W. "Computer Study of Bulk GaAs Devices With Random One -
Dimensional Doping Flucinations", J. Appl. Phys., 39, 3897 (1968).
46. Copeland J. A. "Theoretical Study of a Gunn Diode in a Resonant
Circuit", IEEE Trans. Electron Devices, ED-14, 55 (1967).
47. Carroll J. E. "Oscillations Covering 4 GHz to 31 Ghz from a Single
Gunn Diode", Electronics Letters, 2, 141 (1966).
48. Thim H. W" Barber M. R. "Observation of Multiple High - Field Domains
in п-GaAs", Proc. IEEE, 56, 110 (1968).
49. Copeland J. А. "А New Mode of Operation for Bulk Negative Resistance
Oscillators", Proc. IEEE, 54, 1479 (1966).
50. Copeland J. A. "LSA Oscillator Diode Theory", J. Appl. Phys., 38,
3096 (1967).
51. Burber M. R. "High Power Quenched Gunn Oscillators", Proc. IEEE, 56,
752 (1968).
52. Engelmann R. W. H. "Circuit Performance of Field - Controlled
Negative - Conductivity Devices", Presented at the Informal Conference on
Active Microwave Effect in Bulk Semiconductors, New York. Feb. 3 (1966),
also "Gunn Effect Divices", Technical Penort ECOM - П1758-1 and 2. U. S.
Armv Electronics Command, Fort Monmouth, N. J., March and August 1966.
53. Bott I. B., Hilsum C. "An Analvtic Approach to the LSA Mo-de", IEEE
Trans. Electron Devices, ED-14, 492 (1967).
54. Dow D. G., Mosher С. H., Vane A. B. "High Peak Power Gallium Arsenide
Oscillators", IEEE Trans. Electron Devices, ED-13, 105
(1966).
55. -Shoji M. "Functional Bulk Semiconductor Oscillators", IEEE Trans.
Electron Devices, ED-14, 535 (1967).
56. Petzinger К. E., Hahn A. E., Jr., Matzelle A. "CW Three-¦ Terminal
GaAs Oscillator", IEEE Trans Electron Devices, ED-14, 403
(1967).
57. Heeks J. S. "Some Properties of Moving High Domains in Gunn Effect
Devices", IEEE Trans. Electron Devices, ED-13, 69
(1966).
58. Liu S. G. "Infrared and Microwave Radiations Associated with a
Current Controlled Instability in GaAs", Appl. Phys. Letters, 9, 79
(1966).
59. Guetin P. "Contribution to the Experimental Study of the Gunn Effect
in Long GaAs Samples", IEEE Trans, Electron Devices, ED-14, 552 (1967).
60. Southgate P. D. "Laser Action in Field - Ionized Bulk GaAs", Appl.
Phys. Letters, 12, 61 (1968).
61. Backer J. A., Green С. B., Pearson G. L. "Properties and Uses of
Thermistors - The Thermally Sensitive Resistor", Trans. AIEE, 65, 711
(1946).
62. Scarry R. W. A., Setterington R. A. "Thermistors, Their Theory,
Manufacture and Application", Proc. IEEE, 107, 395 (1960).
63. Bulman W. E. "Applications of the Hall Effect", Solid State
Electron., 9, 361 (1966).
Дополнительная литература
1. Новые методы полупроводниковой СВЧ-электроникн. Эффект Ганна и его
применение. Сб. статей. Пер. с англ. Под ред. В. И. Ста-феева. М., "Мнр",
1968.
2. Овчаренко Н. И. Гальваномагнитные явления в полупроводниках и их
техническое использование. М., "Вышая школа", 1961.
3. Пасынков В. В., Савельев Г. А., Чиркин Л. К. Нелинейные
полупроводниковые сопротивления. Л., Судпромгиз, 1962.
4. Конуэлл Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных
электрических полях. М., "Мир", 1970.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие к русскому изданию................................ 3
Предисловие автора ........................................... 5
ЧАСТЬ I. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Глава первая. Введение...................................Ю
1. Краткое содержание................................... Ю
2. Классификация полупроводниковых приборов . 11
3. Примечания...........................................17
ЧАСТЬ II. ПРИБОРЫ С р-п ПЕРЕХОДАМИ
Глава вторая. Физика и свойства полупроводников 19
1. Введение........................................... 19
2 Кристаллическая структура.............................20
3. Энергетические зоны..................................25
4. Концентрация носителей заряда при термодинамическом
равновесии........................................31
5. Явления переноса.....................................44
