Физика полупроводниковых приборов Книга 1 - Зи С.
Скачать (прямая ссылка):
0,5 В, величина а0 уменьшается до 0,96, а при дальнейшем повышении
напряжения на базе а0 резко снижается. При базовой сетке с достаточно
малыми меж-электродными зазорами и при соответствующих концентрациях
носителей за счет барьерного ограничения тока можно получить высокие
плотности управляемых токов и, как следствие, большую крутизну и высокую
предельную частоту /макс прибора. Название "транзистор с проницаемой
базой" происходит из аналогии с биполярным транзистором (протекание тока,
управляемого барьером) и из аналогии (по структуре) с транзистором с
металлической базой [70 ]. На первых образцах приборов [70 ] были
получены /макс ^ 17 ГГц, коэффициент усиления 13 дБ на 4 ГГц, коэффициент
шума 3,5 дБ на 4ГГц. Численное моделирование указывает на возможность
значительного увеличения /макс при соответствующем масштабировании
размеров.
ЛИТЕРАТУРА
1. Bardeen J., Brattain W. Н. The Transistor, A Semiconductor Triode,
Phys. Rev., 74, 230 (1948).
2. Shockley W. The Theory of p- n Junctions in Semiconductors and p -
n Junction Transistors, Bell Syst. Tech. J., 28, 435 (1949).
3. Hall R. N., Dunlap W. C. p - n Junctions Prepared by Impurity
Diffusion, Phys. Rev., 80, 467 (1950).
Биполярные транзисторы
199
4. Teal G. К., Sparks М., Buehlor Е. Growth of Geimanium Single
Crystals Containing p - n Junctions, Phys, Rev., 81, '637 (1951).
5. Pfann W. H. Principles of Zone-Refining, Trans. A1ME, J94, 747
(1952),
6. Tanenbaum М., Thomas D. E. Diffused Emitter and Base Silicon
Transistor, Bell Syst. Tech. J., 35, 1 (1956).
7. Theuere'r H. C., Kleimack J. J., 'Loat H. H., Christenson H.
Epitaxial Diffused Transistors, Proc. IRE, 48, 1642 (1960).
8. Hoerni J. A. Planar Silicon Transistor and Diodes, IRE Electron
Devices Meet., Washington, D. C., I960.
9. Lespelter M. P. Beam-Lead Technology, Bell Syst. Tech, J., 45, 233
(1966).
10. Shockley W., U. S. Patent 2,787,564 (1954). For a view on ion
implantation, see Gibbons J. F. Ion Implantation in Semiconductors - Part
I, Range Distribution Theory and Experiments, Proc. IEEE, 56, 295 (1968).
11. Labuda E. F., Clemens J. T. Integrated Circuit Technology, in Kirk
R, E., Othmer D. F., Eds., Encyclopedia of Chemical Technology, Wiley, N.
Y., 1980.
12. Phillips A. B. Transistor Engineering, McGraw-Hill, N. Y., 1962.
13. Gartner W. W. Transistors, Principle, Design and Application, D.
Van Nost-rand, Princeton, N. Y., 1960.
14. SEEC (Semiconductor Electronics Education Committee), 4 vols.
(1) Adler R. B., Smith A. C., Longini R. L. Introduction to
Semiconductor Physics. SEEC, Vol. 1, Wiley, N. Y., 1966.
(2) Gray P. E., DeWitt D., Boothroyd A. R., Gibbons J. F. Physical
Electronics and Circuit Models of Transistors, SEEC, Vol. 2, Wiley, N.
Y., 1966.
(3) Searle C. L., Boothroyd A. R., Angelo E. J., Gray P. E., Pederson
D. O, Elementary Circuit Properties of Transistors, SEEC, Vol. 3, Wiley,
N. Y" 1966.
(4) Thornton R. D., DeWitt D., Chenette E. R., Gray P. E.
Characteristics and Limitations of Transistors, SEEC, Vol. 4, Wiley, N.
Y., 1966.
15. Pritchard R. L. Electrical Characteristics of Transistors, McGraw-
Hill, N. Y., 1967.
16. Ghandhi S. K. Semiconductor Power Devices, Wiley, N. Y., 1977.
17. Muller R. S., Kamins Т. I. Device Electronics for Integrated
Circuits, Wiley, N. Y., 1977.
18. Johnson E. O. Physical Limitations on Frequency and Power
Parameters of Transistors, IEEE Int. Conv. Rec., Pt. 5, p. 27 (1965).
19. Moll J. L., Ross I. M. The Dependence of Transistor Parameters on
the Distribution of Base Layer Resistivity, Proc. IRE, 44, 72 (1956).
20. Jespers P. G. A. Measurements for Bipolar Devices, in Van de Wiele
F., Engl W. L., Jespers P. G., Eds., Process and Device Modeling for
Integrated Circuit Design, Noordhoff, Leyden, 1977.
21. Gummel H. K. Measurement of the Number of Impurities in the Base
Layer of a Transistor, Proc. IRE, 49, 834 (1961).
22. Payne R. S., Scavuzzo R. J., Olson К. H., Nacci J. М., Moline R. A,
Fully Ion-Implanted Bipolar Transistors, IEEE Trans. Electron Devices,
ED-21, 273 (1974).
23. Sah С. Т., Noyce R. N., Shockley W. Carrier Generation and
Recombination in p - n Junction and p - n Junction Characteristics, Proc.
IRE, 45, 1228 (1957).
24. Werner W. M. The Influence of Fixed Interface Cahrges on Current
Gain Fallout of Planar n - p - n Transistors, J. Eledrochewi. Soc., 123,
540 (1976).
25. Webster W. M. On the Variation of Junction-Transistor Current
Amplification Factor with Emitter Current, Proc. IRE, 42, 914 (1954).
26. Lanyon H. P. D., Tuft R. A. Bandgap Narrowing in Heavily Doped
Silicon, IEEE Tech. Dig., Int. Electron Device Meet., 1978, p. 316.
200
Глава 3
27. McGrath Е. J., Navon D. H. Factors Limiting Current Gain in Power
Transistors, IEEE Trans. Electron Devices, ED-24, 1255 (1977).
28. Poon H. C., Gummel H. K., Scharfetter D. L. High Injection in
Epitaxial Transistors, IEEE Trans. Electron Devices, ED-16, 455 (1969).
