Световые приборы - Трембач В.В.
ISBN 5-06-001892-Х
Скачать (прямая ссылка):
Ci = 0,52 и для зоны q>= 110—120° (? = 5,2°, gn= 11,6°, А? = 0,896°) Ci = 1,71. Отсюда следует, что распределение яркости лучей ЭО изменяется с ростом ЭО для одного и того же отражателя и ТН.
411
Абсолютное значение яркости определяется после того, как СЭО делится на ряд равноярких участков (рис. 8.19) на основе равенства световых потоков, заключенных внутри ЭО чисто зеркальной поверхности и ЭО направленно-рассеивающей поверхности:
?тах =Рн A“iMW1A(U21 +т2Дш22+ ••• +телДш2л). (8-46)
где Ао)| — телесный угол, в пределах которого распространяется световой поток ЭО зеркальной поверхности с коэффициентом отражения рн; Ао)2ь Ао)22, Ао»2п — телесные углы равноярких ЭО, на которые разделено ЭО рассеивающей поверхности.
Для кольцевого следа ЭО
Z,m„^sl,91pHASVeP-
Определение площади и яркости изображения, создаваемого отражателем, ведется с помощью следа ЭО матированной зеркальной поверхности. Но, для того чтобы воспользоваться указанными методами, необходимо принять ступенчатое изменение яркости лучей в ЭО (см. рис. 8.19). Это допущение дает нам возможность разделить след ЭО на ряд равноярких участков и затем использовать для каждого участка известные правила расчета площади изображения.
Например, но кривой распределения яркости лучей (см. рис. 8.19) можно выделить три равноярких ЭО: 1 — с яркостью L\ толщиной 2А|ь 2 — с яркостью L2 толщиной 2Ag2, 3 — с яркостью Ьъ толщиной 2А|з. Имея как бы три следа ЭО (рис. 8.22), можно для каждого из них подсчитать коэффициент заполнения. При этом сила света, формируемая круглосимметричной зоной в некотором направлении, равна
/„ = Л9 cos о* (/.j/t.j + /,2яа2-(- L3n^)/N, (8.48)
где tiai, пао, Паз — число ячеек сетки а, |3, перекрытых фигурой светлых точек, соответствующей первому, второму, третьему ЭО.
Сила света зоны, след ЭО которой оказался сплошным (рис. 8.21),
I^=A^ COSOa^lPla -)-Z.2?2a 4“ ^ЗрЗа )/1 80. (8.49)
Выражения (8.48) и (8.49) позволяют рассчитать зональные кривые силы света для отражателя, и, следовательно, методом заполнения необходимой кривой силы света рассчитать нужную форму такого отражателя.
Поел едовательность расчета. Исходными данными для расчета светильника, отражатель которого обладает слабым рассеянием света, являются те же данные, что и для чисто зеркального светильника (см. гл. 5). Методика расчета формы матированного отражателя по заданной кривой силы света аналогич-412
*0'*.
на методике расчета зеркального отражателя. Но при расчете формы матированного отражателя следует учесть следующие особенности.
Рис. 8.22. Деление следа ЭО на равнояркие участки Да>0, С,> 1
При известных коэффициентах отражения рн и рд можно, не зная формы отражателя, рассчитать диффузную составляющую отраженного светового потока. Действительно, если будущий отражатель с известными г0, фо, \ос представить как диффузный с коэффициентом отражения, равным рд, то для расчета светового потока, излучаемого им, а также для расчета кривой силы света не обязательно знать форму отражателя. Световой поток, вышедший из отражателя Ф"~рдтФл«и, а кривая силы света
/спа ~ I Л&К "Ъ Ф,А cos а/л, (8.50)
где /сва — сила света, формируемая условным диффузным светильником в направлении а; Ф"— световой поток условного диффузного отражателя, излучаемый в результате многократных отражений.
Для расчета коэффициентов и и к следует знать Лсо и Ао, которые определяются из следующих соображений. Прежде всего следует задаться примерным значением диаметра светового отверстия будущего отражателя: 2R^2r0mrcos \0с- Коэффициент тг
414
для глубокоизлучателей находится по кривым тг(\) (см. рис. 5.31). Примерный расчет значения площади А0 отражателя проводится с помощью предположения сферичности отражателя. Радиус сферы определяется величинами г и лт.
Зная поток ф", можно рассчитать масштабный коэффициент М для перехода от условных единиц, в которых задана кривая силы света светильника, к свечам:
>И=<Ф«з + Р„Ф* + Ф’*)/Фм, (8.51)
где k — часть потока Ф", попадающая в заданный угол излучения.
Заданное светораспределение осуществляется не только направленно-рассеянным световым потоком, но и диффузным. Поэтому для получения кривой силы света, которую должен иметь отражатель за счет направленного рассеяния, следует вычесть из заданной кривой кривую силы света условного диффузного светильника [см. (8.19)]. При этом может оказаться (для широкоизлучателя), что диффузный светильник даст при малых углах а большие значения силы (рис. 8.23, кривая 2) света, чем это требует заданная кривая (рис. 8.23, кривая 1). Это указывает на большое рассеяние света материалом, из которого выполняется отражатель. Если несовпадение указанных кривых хотя бы по одному направлению превышает 10% от значения силы света заданной кривой, то материал должен быть взят с более слабым рассеянием света, у которого рн было бы большим по значению. При невозможности заменить материал отражателя нужно пересчитать необходимую кривую силы света, полученную при вычитании. При пересчете следует, сохранив форму необходимой кривой, уменьшить силу света в с раз (рис. 8.23, кривая 3):
