Физическая энциклопедия Том 4 - Порохов А.М.
Скачать (прямая ссылка):
В Р. к. для изучения монокристаллов образец обыч-бо закрепляют в гоииометрич. головке (рис. 1). В ней отцентрированный относительно пучка образец можно поворачивать вокруг двух взаимно * перпендикулярных осей, отсчитывая углы поворота по шкалам, и перемещать’ образец в процессе рентгенографировання. Т. о. выводят крнсталлографач. плоскости в отражаю-
Pnc. 1. Гониометрическая головка: О — образец; Д — дуговые аадразляющие для наклона образца во взаимно перпендикулярных направлениях; МЦ — механизм центрировки образца, служащий, для выведения центра, дуг, в котором находится образец, на ось вращения камеры или па ось коллиматора.
щее положение в соответствие с геометрией используемого метода. Узел установки образца в камере для поликристаллов, кроме фиксации образца, обеспечивает его вращение относительно оси цилиндрич. кассеты или в плоскости образца (для плоских образцов). Для снятия проявления крупнокристалличности на, дебаеграм-ме предусмотрено посту пат. перемещение образца.
Кассеты Р. к. обеспечивают строго определ. расположение фотоплёнки при рентгеиографировании. Форма кассеты (плоская, цилиндрическая или состоящая иа секций) определяется геометрией используемого метода (фяс. 2). Больший диаметр кассеты при правильной (Лорке схемы (юстировке) даёт обычно более высокую Точность измерений.1
’Для исследования поликристаллич. образцов (рис. 3) применяют как параллельные (дебаевскяе Р. к.), так и расходящиеся (фоиусирУюЩйе Р. к.) первичные пучки. В'тіосяеднем случае в рентгеиографировании участвует
Рис. 2. Схемы расположения узлов основных топов рентгеновских камер для исследования монокристаллов: а — камера для исследования неподвижных монокристаллов по методу Лауз; б — камера вращения-колебания; вращение образца осуществляется с помощью шестерёнок J иг, колебание — через каноид 3 и рычаг 4\ в — рентгеновская камера гониостат для определения размеров и формы элементарной ячейки. Механизм установки камеры у рентгеновской трубки и экраны защиты от рассеянного излучения на схеме не показаны. О — образец; ГГ — гониометрическая головка; у — лимб и ось поворота гониометрической головки; KJI — коллиматор; К — кассета с фотоплёнкой Ф; КЭ — кассета для съёмка эпиграмм (обратная съёмка); МД — механизм прйщеиия и колебания образца; <р — лимб и ось колебания образца; б — дуговая направляющая наклонов оси гониометрической головки; CJI — слоевые линии рентгенограмм.
ббльшая поверхность образца, что повышает светосилу прибора. Широко расходящийся пучок используется также при исследовании дефектов кристаллич. структуры почти совершенных монокристаллов.
Однозначность регистрации реитг. отражений монокристалла реализуется в рентгеновских гониометрах за
Рис. 3. Схемы расположения узлов основных типов рентгеновских камер для исследования поликристаллов: а — дебаевск&я камера; 6—фокусирующая камера с изогнутым кристаллом-монохроматором для исследования образцов «на просвет» (область «передних» углов дифракции); в — фокусирующая камера для обратной съёмки (большие углы дифракции) на плоскую кассету. Стрелками показаны направления прямого и дифрагированного пучков. Механизмы движения образца, установки камеры у рентгеновской трубки и защита от рассеянного излучения на схеме не приведены. О — образец; F — фёкус рентгеновской трубки; M — кристалл-монохроматор; К — кассета с ?(?, топлёнкой Ф; Л — ловушка, перехватывающая первичный пучок; ФО — окружность фокусировки дифракционных максимумов; КЛ — коллиматор; МЦ — механизм центрировке образца.
счёт развёртки отдельной слоевой линии яа плоскость плёнки. Достигается раэвёртка установкой в камере экрана, выделяющего поле только одной слойвой линия; и синхронным вращением и смещением нассёты (пооту-пат. перемещение или вращенке). v. “
Р. к. используют в структурном анализе в гож слу* чае, когда исследуют пространственное распределение-,; фракц. излучения в значат; области углов дифриіциа
Ж
РЕНТГЕНОВСКАЯ
<
Ilf
їм
?
in
Дифракцию в узком интервале углов с высокой точностью изучают с помощью более сложной (и более дорогой) аппаратуры — рентгеновских дифрактометров.
JIum,: У канский М.М., Аппаратура рентгеноструктурных исследований, М., 1960; Г и н ь е А., Рентгенография кристаллов, пер. с франц.. М., 1961; Фнннель В. А., Высокотемпературная рентгенография металлов, М., 1968; его же, Низкотемпературная рентгенография металлов, М., 1971.
В. В. Зубенко.
РЕНТГЕНОВСКАЯ ЛИТОГРАФИЯ — метод микроэлектронной технологии, заключающийся в формировании с субмикронным разрешением защитной маски заданного црофиля на поверхности подложки; осуществляется при помощи рентг. излучения ДЛИНОЙ волны X ~ 0,4—5 нм; один из методов микролитографии. Маска изготовляется нз стойкого к технол. воздействиям материала — полимерного резиста; необходимый рисунок формируется с помощью рентгеношаблоиа. Поток рентг. излучения направляют на рентгеиошаб-лон (рнс. 1), к-рыи этот поток пространственно модули-
Рис. 1. Схема рентгеновской литографии. Излучение рентгеновского источника I с размером излучающей области d попадает на рентгеношаблон, расположенный на раостоянив L от него и состоящий из прозрачной для излучения мембраны 2 и сильно-поглощающего покрытия 3, в к-ром сформирован рисунок. Пройдя через свободные от маскирующего покрытия участки шаблона, излучение экспонирует плёнку реаиста 4, покрывающую поверхность подложки 5. 8 — расстояние между шаблоном и подложкой.
