Ионика твердого тела. Том 1 - Иванов-Шиц А.К.
ISBN 5-288-02746-3
Скачать (прямая ссылка):
Pb 850 1,9-Ю*7 850-900 1,42 0,147
Ba 850 2,810'7 850-900 5,25 0,109
Наивысшие значения а = 2Юэ Ом'^см'1 при 800°С среди кристаллов со
структурой p-Fe2(S04)3 отмечены для ZnZr4(P04)*> а а = 8-10"4 Ом ^см'1
при S00°C у соединений со структурой NASICON - для MnZr4(P04)6 [45]
(табл. 4),
Из общих соображений ясно, что трудно ожидать высокой подвижности
высокозарядных ионов в кристалле, поскольку они сильно связаны за счет
электростатического взаимодействия с кристаллической решеткой. Тем не
менее Адачи с соавторами [50, 51] изучили проводимость А1а(\?04)э и
доказали, что в данном соединении транспорт обусловлен катионами А13+.
Это обусловлено особой кристаллической решеткой Al2(W04)3 (структурный
тип Sc2(W04)j), в которой можно выделить каналы с расположенными в них
катионами А1^. На рис. IV.6.2.3 показана температурная зависимость о
вольфрамата алюминия; из него следует, что при 800°С о*2*ИГ5 Ом'^см"1.
Твердые растворы системы A12(W04)3- Sc2{W04)3-Lu(W04)3 со структурой типа
1дст, Ом"1' ш'1 ^гТ|ЗВ
Рис IV 6.2$. Зависимости проводимости (1) и энергии активации (2) от
ионного рздвдса катиона М в семействе Mj{W04)j(W04) прз Т - бОО^С [55]
б$9
Sc2(W04)3 обладают улучшенными электрофизическими характеристиками, как
это видно из рис. IV,6,2*3 [52]. Высокая ионная проводимость была найдена
и в шоструктурных соединениях Ln2(W04b (Ln = Sc, Y, ?т) [53-55].
На рис. IV.6.2.5 показаны зависимости ионной проводимости вольфраматов от
ионного радиуса трехвалентного иона Ln3*; как видно, наивысшее значение и
= 6,5*1 (Г5 Ом-1*см-1 при 600°С имеет Sc2(W04)j Поскольку для данного
материала энергия активации минимальна, это означает, что для иона
скандия выполняются оптимальные соотношения между его размером и размером
каналов проводимости (см рис IV,6 2.3). В нестехиометрических фазах
(Sci^Gdjr)2(W04)3 максимум электропроводности достигается для состава с х
= 0,2 [56]
ЛИТЕРАТУРА
1 ТороптНА //Докл АН СССР 1935 Т I, №2/3 С 147
2 Горохов НАt Стукалова ММ //Докл АН СССР 1939 Т 24, №5 С 458
3 ТороповИА , Стукаяова ММ // Докл АН СССР 1940 Т 27, №9 С 974
4 JyiH Takehawa S, Kunum S if 3 Sohd State Chem 1985 VoJ 59,N2 P 250
5 YaoY-FY,KummerJT ft) Inorg Nucl Chem 1967 Vol 29 P 2453
6 Ktrchnerova Jt Petrie A, Potion AD, Bale С W tt Mai Res Bull 1991 Vo!
26,N9 P 909
7 Gang И, Hayasaka Yt Narushtma T e a_ // J Ceram Soc Japan 1997 Vol
105, N2 P 1067
8 HeGfNarus?w7taTfGotoTebfn Ceram Soc Japan 1998 Vol 106,N11 P 1048
9 Dunn В FarrmgtonGС //Mat Res Bui! 1980 Vol 15,N12 P 1773
10 Farrington G С ( Dunn В ff Solid State lomcs 1982 Vol 7, N 4 P 267
11 SattarS, GhosatB, Underwood ML ea.//J Solid State Chem. 1986 Vol 65,
N2 P 231
12 TegertfeldJ, Underwood M* Farrington ОС //Solid State lomcs 1986 Vol
18/19, pt Q P 668
13 DunnBt OstromR M, Seevers R, Farrington G С //Solid State lomcs 1981
Vol 5 P 203
14 Seevers R, DeNuszioJ* Farrington G C, Dunn В //J Sohd State Chem 1983
Vol 50, N2 P 146
15 Whiter JT, FreyDJ //Solid State lomcs 1985 Vol 17, N1 P 1
16 NiJ, Tsai У Tt Whitmore DM U Solid State lomcs 1981 Vol 5 P 199
17 WenZ~YtLmZ-X, TumS-B ff Sohd State lomcs 1990 Vol 40/41,pU P 91
18 АШпМ, Thomas JO, Farrington G С //Sohd State lomcs 1981 Vol 5 P 205
19 Thomas JO , Aidin M, Farrington GC tf Soltd State lomcs 1983 Vol 9/10,
pt I P 301
20 BodotJF, Cotomtan Ph, Lee MR ea,// Ibid P 315
21 АМёпМ, Thomas JO* Farrington G С //Acta Cryst 1984 Vol C40, N12 P 1763
22 Thomas JO r АШпМ, McIntyre GJt Farrington GC tf Acta Cryst 1984 Vol
B40, N 3 P 208
23 CariUa-Cabrera W, Thomas J О, Farrmgton GC ft Sohd State lomcs 1985
Vol 17, N 3 P 223
24 Hayes Wf Kjaer К, Pratt FL, ЗсНбфШ В ft J Phys С 1985 Vol 18,N20 P
L567
25 Kjaer К, Mayes Wf SchonfeldB fJS Phys С 1987 Vol 20, N35 P 6089
26 Farrington G С, Dunn В, Thomas JO //Appl Phys A 1983 Vol A32, N3 P 159
27 GhosalВ, MangleE A, TappMR e a.//Solid State lomcs 1983 Vol 9/10, ptl
P 273
28 Dunn В, Farrmgton G С //Solid State lomcs 1986 Vol 18/19, ptl P 31
29 Dunn В YangDL, Vivien D ttl Solid State Chem 1988 Vol 73, N1 P 235
30 Kohler J, Balzer-Jollenbeck G, UrlandW tt J Solid Stale Chem 1996 Vol
122,N2 P 315
31 Davies P К, PetfordA , О'Keeffe M ft Solid State tomes 1986 Vol 18/19,
ptn P 624
32 PechentkA, Whitmore D И, Ratner M A tf J Solid State Chem 1985 Vol
58, N 1 P 103
33 Dunn В, Farrmgton G С, Thomas JO //Mat Res Soc Bull 1989 Vol 14 P 22
34 TtetzF, UrlandW //Solid State lomcs 1995 Vol 78, N1/2 P 35
35 КШег J, UrlandW ft S Solid State Chem 1996 Vo! 127,N2 P 161
36 YamaguchiSJguchiYJmatA tt Sohd State Ionics 1990 Vol 40/41,ptl P 87
37 Jansen M, AlJreyAJ, StatsuddOM ca,//Opt Lett 1984 Vol 9,N4 P 119
38 Saltzberg MA, Davies P К, Farrmgton G С it Mat Res Bull 1986 Vol 21,
N12 P 1533
39 BrvwnAP>SimkmDJ ff! Chem Phys 1988 Vol 89,N9 P 5377
40 NetoJM,AbnttaT //Phys Stat Sol (a) 1988 Vol A108,N2 P 795
41 Thomas JO, Momoda LA , Dunn В, Farrmgton GC tt Solid State lomcs 1990
Vol 40/41* pt L P 63
42 Wot/M, WendsjoA, Thomas JO, BamcJD //ActaCtyst 1993 Vol B49,N4 P 610
