Физика твердого тела - Ашкрофт Н.
Скачать (прямая ссылка):
Брэгговские плоскости I 107, 108
и почти свободные электроны I 162—166
Брэгговское отражение I 108, 109 — — порядок I 106
Вакансии II 233, 234. См. также Дефекты
в кристаллах Валентные зоны I 155
в металлах I 197
волновые функции I 197—199
— — сравнение с волновыми функциями
ионного остова I 198 в полупроводниках II 185 Валентные электроны I 18 и фундаментальные трудности в модели
свободных электронов I 72 разрешение трудностей I 226 Вандерваальсовские силы см. Флуктуацион-
но-дипольные силы Вариационный принцип для уравнения Боль-цмана I 327, 328
— — для уравнения Шредингера с пе-
риодическим потенциалом I 383, 384 Взаимодействие см. Дальнодействующее взаимодействие; Дипольное магнитное взаимодействие; Ион-ионное взаимодействие; Магнитное взаимодействие; Электрон-ионное взаимодействие; Электрон-фононное взаимодействие; Электр он-электронное взаимодействие
Вектор Бюргерса II 250—252 Векторный потенциал в полуклассических уравнениях движения I 385
— — и магнетизм электронов II 261
Верхнее критическое поле II 346
Вигнеровский кристалл II 299
Винтовая дислокация II 249, 250. См. также
Дислокации Винтовая ось I 121 (с), 134 Вихревые линии в сверхпроводниках II 347,
348
и квант магнитного потока II 348 (с)
и теория Гинзбурга — Ландау II 363 (с) Волновой вектор Ферми I 49, 51
выраженный через rs I 49
и электронная плотность в приближении свободных электронов I 49
соотношение с дебаевским волновым вектором II 86 (с) Волновые векторы, их плотность I 48, 143 Волновые пакеты фононные II 124
— — электронные I 219, 220 Волновые' функции электронов в атоме
и межатомное расстояние I 181, II 6 Волны спиновой плотности II 299 Восприимчивость магнитная II 260 антиферромагнетиков II 315 атомная II 261—265, 268—270 атомов инертных газов II 264 в приближении молекулярного поля (закон Кюри — Вейсса) II 332 высокотемпературная (в модели Гейзен-берга) II 323—326
— и вычисление критической температуры
II 326
диамагнитная Ландау II 280, 282 диамагнитная Лармора II 263—265 Ланжевена II 264 (с) ионов в щелочно-галоидных соединениях II 264
ионов с частично заполненными оболочками II 268—270
молярная II 264
особенность при Тс II 315
парамагнитная Паули см. Парамагнетизм Время между столкновениями см. Время
релаксации Время рекомбинации II 223 Время релаксации I 21
выраженное через удельное сопротивление I 23
для изотропного упругого рассеяния электронов на примесях I 326 для фононов II 126—131
— — в процессах переброса и нормаль-
ных процессах II 135 для электрон-фононного рассеяния II 151 для электрон-электронного рассеяния I
346—348
зависящее от координат I 250 (с)
— — — в полупроводниках II 221, 223 и вероятность столкновения I 316
и распределение Пуассона I 40, 41 Вронскиан I 154 Второй звук II 133—135 Выпрямляющее действие р — гс-перехода II
217 — 220, 225—230 Вырожденные полупроводники II 195; см.
также Полупроводники
394
Предметный указатель
Газ классический
распространение звука в нем II 134, 135 сравнение с газом фононов II 128 (с), 131 (с), 134
— — электронами в невырожденных полупроводниках II 207, 208
Газ электронов см. Приближение свободных электронов; Электронный газ
Гальваномагнитные эффекты см. Магнето-сопротивление; Эффект Холла
Гармонический осциллятор (квантовый) II 371
Гармоническое приближение II 52, 53, 115 динамический структурный фактор в этом
приближении II 383—385 его недостаточность II 115, 116 и бесконечная теплопроводность II 124 и зависимость частот нормальных колебаний от объема II 118, 119 используемое для описания колебаний решетки II 50—78 и теория теплоемкости II 79—96 квантовая теория II 371—374 отличие от предположения о малой амплитуде колебаний II 115 форма в случае парного потенциала II 53 энергетические уровни iV-ионного кристалла II 80. См. также Ангармонические члены; Колебания решетки; Фононы Гексагональная кристаллическая система I 126, 127
Гексагональная плотноупакованная структура I 86—91
и гранецентрированная кубическая решетка Бравэ I 90
и плотная упаковка сфер I 90
и почти свободные электроны I 173—175, 299, 300
отношение с/а I 89, 90
спин-орбитальное взаимодействие в ней I 175, 299
структурный фактор I 117, 118
элементы с этой структурой I 89.
См. также Простая гексагональная решетка Бравэ Гелий твердый
давление кристаллизации (при Т = 0) II 28 (с)
и гармоническое приближение II 53 и предположение о малой амплитуде колебаний II 115, 117
и ррассеяние нейтронов (в Не3) II 97
и теория квантовых кристаллов II 51 (с)
Геликоны I 41, 42
Генерация носителей тока II 223. См. также
Полупроводники Геометрический структурный фактор см.
Структурный фактор Ц Гибридизация I 185 Гистерезис (магнитный) II 335 Глубина проникновения II 353. См. также
Сверхпроводимость; Уравнение Лон-
донов
«Голые» ионы II 142
Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ I 81, 82 зоны Бриллюэна выше первой I 169 р-зоны в методе сильной связи I 193 s-зоны в методе сильной связи I 186—188 и гексагональная плотноупакованная структура I 90, 91 и плотная упаковка сфер I 91 координационное число I 83 основные векторы I 81 основные векторы обратной решетки I 97, 98
