Военные нанотехнологии -
ISBN 5-94836-096-2
Скачать (прямая ссылка):
6. Министерство торговли. Работы координирует и заказывает Национальный институт стандартов и технологий (National Institute of Standards and Technology - N 1ST). На период 2005-2008 финансовых годов запланированный в рамках NNI объем финансирования составляет ~ 297 млн долл.
?, Министерство внутренней безопасна:™ (Department of Homeland Security - DHS). '418 Взгяд со стороны на зарубежные программы
Надо отметить, что в США принято различать понятия «нанонау-ка» (nanoscience) и «нанотехнологий» (nanotechnology). Нанонаука, объединяя в себе нанозлектронику, наномеханику, наноматериалы и основываясь на достижениях в различных областях естественных наук (прежде всего в таких областях, как физика, химия, биология, математика и информатика), обеспечивает появление и развитие нанотехнологий, Бюджетное финансирование исследований в области нанонауки осуществляется в рамках бюджетной категории «фундаментальные исследования» (basic research).
На период 2001 -2006 финансовых годов основная часть фундаментальных исследований Министерства обороны США (МО США) в области нанонауки сконцентрирована в программе «Оборонные исследования университетов в области нанотехнологии» — Defense University Research Initiative on NanoTechnology (DURINT). Данная программа является составной частью программы «Междисциплинарные исследования в системе высшего образования» (MURI) (входит в бюджетную программу «Университетские исследования» - University Research Initiative (URl)). Объем финансирования URI в 2005 финансовом году - 294,254 млн долл. (Проекты 0601 ЮЗА, 0601103N, 0601103F). В рамках DURlNT выделено 15 научно-технических на правлений исследований:
1. Наноразмерные машины и двигатели. Координатор работ: Отдел научных исследований Армии США (Army Research Office - ARO). Головной исполнитель: University of Colorado.
2. Молекулярное управление процессами формирования наноэлек-тронных и наномагнитных структур. Молекулярные ансамбли (molecular assemblies, selfaggregated systems), единичные молекулы -«функциональные» молекулы (smart molecules), наноразмерные молекулярные стержни и проволоки (molecular rods and wires). Координатор работ: Отдел научных исследований Армии США. Головной исполнитель: University of Washington.
3. Наноматериалы и наноконструкции для источников энергии (наноразмерные элементы и системы для источников и преобразователей энергии). Координатор работ: Отдел научных исследований Армии США. Головной исполнитель: University of Washington.
4. Методы оценки свойств и характеристик наноразмерных элементов, устройств и систем (методы комплексного диагностирования свойств наноструктур). Координатор работ: Отдел научных исследований Армии США. Головной исполнитель: Stevens Institute of Technology. татары работ; Отдел оборонных і
МО США CDSO DARPA) и Отдел ш-BBC США (AFOSR). Tc
University Ofi
: работ: Отдел оборонных наук Управ-разработок МО США CDSO DARPA) и Отдел науч аний ВМС CUiA (ONR). Го-
США (DARPA) объединяются в ]
-№0601IO IE» работы: , (DSO) DARPA).
Обы
T« эо IJ0
Q
П.5.
(ФП И и TP) МО США в iTE JIbCTBO "ТЕХНОСФЕРА"
УСКУ КНИГУ:
КРЕМНИЙ - МАТЕРИАЛ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
Глава 4 Методы полі
4.1. Фундамента
4.2. Рост и особе
4.3. Особенное™ создания гетероструктур S-Ge с г 4.4.1
4.5. Cb
4.6. По Глава 5
Синтез проводящих и полупроводниковых соединений в кремнии
5.1. Наноструктурированные слои дисилицида кобальта на поверхности кремния, образующиеся при внедрении ионов Со+ в подложку кремния
5.2. Ионный синтез соединений AHIBV в Si-мэтрице
5.3. Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур с нанокластерами InAs в матрице Si Глава 6
Формирование наноразмерных структур при ионном распылении поверхности полупроводников
6.1. Экспериментальные данные
6.2. Теоретическая модель
Глава 7
Нанокристаллы кремния, получаемые разными способами
7.1. Получение нанокристаллических пленок кремния методом CVD
7.2. Нанокристаллы кремния, полученные с помощью электрохимического процесса
7.3. Образование собственных нанокристаллов в монсжрисгаллтеском кремнии
7.4. Нанокристаллы кремния в матрице аморфного кремния
7.5. Получение нанокристаллов кремния через образовал« пористого кремния
7.6. Формирование нанопршожж кремния
Глава 8
Квантовые точки из монокристаллического Si, сформированные ионной имплантацией в пленках Si02
8.1. Нанокристаллы Si и Ge в Si02, полученные без применения ионной имплантации
8.2. Нанокристаллы Si и Ge в Si02, полученные методом ионной имплантации
8.3. Влияние легирующих примесей на люминесценцию,связанную с намжристаллами Si в матрице Si02
8.4. Оптические и люминесцентные свойства St02
6.5. Образование нанокристаллов кремния между пленками диоксида кремния
Глава 9
Перспективы кремниевой наноэлектроники
9.1. Использование синхротронного излучения для анализа наноразмерных струхтур
9.2. Методы локальной модификации поверхности при помощи сканирующей зондовой микроскопии
