Аморфные полупроводники и приборы на их основе - Хамакава Й.
Скачать (прямая ссылка):
1.3. СОДЕРЖАНИЕ ГЛАВ
Наиболее сложной задачей редакционной коллегии был выбор тематики статей из имеющихся в литературе научных направлений, развиваемых в национальных лабораториях. В настоящем сборнике основное внимание уделяется аморфным полупроводникам с тетраэцрической координацией связей — новым материалам электронной техники, в. материаловедении которых в настоящее время наблюдается наибольший прогресс.
В гл. 1 дается исторический обзор развития науки об аморфных полупроводниках в Японии. Обсуждаются некоторые новые возможности технологического использования локализованных состояний в монокристаллах и аморфных полупроводниках с точки зрения их приборного применения и физики твердого тела.
Гл. 2 посвящена некоторым новым теоретическим и экспериментальным работам, выполненным за последние годы. Прогресс в вакуумном и компьютерном оснащении приборов обеспечил заметные успехи в развитии методов исследования аморфных полупроводников.
В гл. 3 дается обзор новых методов исследования структуры, электрофизических и оптических свойств пленок аморфного кремния и родственных материалов. Проведенные измерения статических параметров материалов (коэффициента оптического поглощения, электропроводности по постоянному току, плотности локализованных состояний) и динамических параметров (диффузионной длины носителей заряда ?, подвижности 1л, скорости поверхностной рекомбинации х) оказываются полезными и для исследования совершенных монокристаллов.
Обзор исследований в области технологии получения аморфных полупроводниковых соединений приводится в гл. 4. В ней обсуждаются вопросы физики и технологии аморфных полупроводниковых твердых растворов, таких как а-51х _ЖСХ, а-8ц _хСех, а-^х ХЫХ, а также микрокристаллического кремния (мк-БГ). Здесь же освещены технологические особенности получения и приборного применения этих материалов.
Гл. 5 посвящена наиболее активно развиваемым вопросам науки об аморфных полупроводниках - физике и технологии солнечных батарей. Здесь дается обзор достижений физики приборов в период с 1981 до 1983 года после открытия фотоволыаического эффекта дрейфового типа. Обсуждаются также результаты недавних исследований пленочных материалов, объясняющих возможность их использования в солнечных
19
элементах. Здесь же читатель познакомиться с технологией каскадных солнечных батарей и солнечных элементов большой площади, включая и элементы на эластичной основе. Сообщается также о новых материалах для многослойных солнечных элементов.
Достижения твердотельной электроники на аморфных полупроводниках описаны в гл. 6. Показаны возможности аморфного кремния в технологии тонкопленочных транзисторов и интегральных схем, снабженных для вывода информации экраном на жидких кристаллах. Обсуждены физические аспекты создания на аморфном кремнии эффективного барьера Шоттки.
Гл. 7 знакомит читателя с результатами некоторых исследований, имеющих целью установить возможность применения аморфных полупроводников в оптоэлектронике. Здесь рассмотрены предпринятые в 1981-1982 гг. попытки создания фотоэлементов, в том числе цвето-чувствительных и светоизобразительных приборов. Представлены результаты разработок в области оптических запоминающих устройств и интегральных схем. В последнем разделе главы приведены данные о Применении аморфного кремния в электрофотографических устройствах, а также о технологии производства последних в Японии.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Masuyama Е., Hirai Т., Fujita Т. ас. - Proc. 6th Conference on Solid State Devices. Tokyo, 1974, p. 97.
2. Kuwano Y. et al. - Proc. Regular Meeting of Appl. Phys. Electronics Div. Jpn. Soc. Appl. Phys. 370 (1977). 71.
3. Zembutsu S. etal. - Appl. opt.. 14 (1975), 3073.
4. Hamakawa Y., Yoshida M.. Yamanaka K. - J.Non-cryst. Solids. 8-10 (1972), 868.
5. Okamoto #., Enomoto K.. Hamakawa Y. - Proc. Regular Meeting of Appl. Phys. Electronics Div., Jpn. Soc. Appl. Phys., 370 (1977), 5.
6. YoshikawaA. etal. - Appl. Phys. Lett., 29 (1976) 677. 1. Spear W.E., LeComber P.G. - Phys. Mag., 33 (1976) 935.
8. Carlson D.E. - IEEE Trans, on Electron. Devices. ED-24 (1977) 449. 9 Okamoto H. et al; - Surface Sci. 86 (1979) 449. 10. Kuwano Y. et al - Jpn. J. Appl. Phys., 19 (1980) 137.
11 Uchidaetal - Proc. 15th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (Florida, 1981).
12. Hamakawa Y., OkamotoH., Nitta Y. - Appl. Phys. Lett. 35 (1979) 187.
13. Okamoto H. Nitta Y.. Hamakawa Y. Jpn. J. Appl. Phys., 19 (1980) Suppl. 19-1. 545.
14. HanakJ.J. - Non-cryst. Solids. 35/36 (1980) 775.
15. Hamakawa Y. - Solar Energy Mater. 8 (1982) 101.
16. Uchida Y. et al. - Proc. 15th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (Florida. 1981) 992.
17. OhnishiM., Kuwano Y. - Sunshine J., 3 (1982) 13.
18. Tawada Y. etal. - J. Appl. Phys., 53 (1982) 5273.
19. Okamoto H. et al. - JARECT Amorphous Semiconductor Technologies and Devices (ed. Y. Hamakawa) (OHM * North-Holland. Tokyo. Amsterdam, 1982), p. 134.
20. Аморфные полупроводники/ Под ред. Бродски М. : Пер. с англ. М.: Мир, 1982, с. 355.
