Аморфные полупроводники и приборы на их основе - Хамакава Й.
Аморфные полупроводники и приборы на их основе
Автор: Хамакава Й.Издательство: М.: Металлургия, под редакцией докт.техн.наук С.С. Горелика
Год издания: 1986
Страницы: 376
Читать: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153
Скачать:
JAPAN ANNUAL REVIEWS IN ELECTRONICS, COMPUTERS & TELECOMMUNICATIONS
AMORPHOUS SEMICONDUCTOR
TECHNOLOGIES & DEVICES
1983
Editor Y. HAMAKAWA
OHM NORTH-HOLLAND
Tokyo-Osaka-Kyoto Amsterdam-New York-Oxford
АМОРФНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ И ПРИБОРЫ НА ИХ ОСНОВЕ
Под ред. Й. ХАМАКАВЫ
Перевод с английского канд. физ.-мат. наук А.Н.Морозова, канд.техн.наук Ю.С. Сафонова, В.А. Исаакяна
Под ред. докт.техн.наук С.С. Горелика
МОСКВА "МЕТАЛЛУРГИЯ" 1986
УДК 539.213.2:537.311.33/621.382
УДК 539.213.2:537.311.33/621.382
Аморфные полупроводники и приборь Мер. с англ./ Под ред. Ха-макавы Й. - М.: Металлургия, 1986. 376 с.
Рассмотрены структура и классификация аморфных полупроводников, их электронное строение, структурные дефекты и примеси, оптические и электрические свойства, оптически стимулированные явления в халькогенидных стеклах. Приведены данные о выращивании и свойствах аморфных гидридов кремния. Показаны области применения аморфных полупроводников.
Для научных работников и специалистов металлургической, машиностроительной, авиационной, судостроительной промышленности, занимающихся вопросами материаловедения, полупроводниковой и электронной техники.
Научное издание
АМОРФНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ И ПРИБОРЫ ПА ИХ ОСНОВЕ
Под редакцией Й.Хамакавы
Псренод с английского. Под редакцией С.С.Горелика
Редактор издательства Л.А.Левченкова Художественный редактор А.А.Якубенко Технический редактор Е.К.Астафьева
Корректор В.С.Колганова Обложка художника И.В.Вавиденко
ИБ № 2984
Подписано в печать 11.08.86 "ФсЩіСІат бумаги 60x90 1/16 Бумага офсетная №2 Печать офсетная Усл. псч. л. 23,5 Усл. кр.-огт. 23,5 ' Уч.-изд. п. 27,32 Тираж 2070 экз. Заказ 537 Цена 4 р. 40 к. Изд№ 1232
Набрано в издательстве "Металлургия" на НПТ операторами И.В.Котляровой, Т.Ю.Смирновой, С.Н.Ставничук
Ордена Трудового Красного Знамени издательство "Металлургия", 119857, ГСП, Москва, Г-34, , 2-й Обыденский пер., д. 14
Московская типография № 8 Союзполиграфпрома при Государственном комитете СССР по делам издательств, полиграфии и книжной торговли 101898 Центр Москва, Хохловский пер., д. 7
2605000000-213
А——---45-86
040(01) -86
со 1983 by OHMSHA, LTD © Перевод ми русский язык, "Металлургия", 1986
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие к русскому изданию............................ 7
Предисловие......................................... П
1. Хамакава Й. История развития технологии аморфных полупроводников
и приборов на их основе................................ 12
Библиографический список............................... 20
2. Некоторые сведения нз физики аморфных полупроводников......... 21
2.1. Йонезава Ф. Теория аморфных полупроводников в связи с новыми перспективами их применения..................... 21
2.2. Абе Ш., Тойозава Ю. Плотность состояний электронов и край оп-тического поглощения в аморфных полупроводниках.......... 33
2.3. Катайама Й., Шимада Т. Структура связей в сетках a-S?.......... 48
2.4. Ширафуджи Дж., Инуиши И. Дисперсионный перенос в a-Si : H..... 64
Библиографический список................................ 77
3. Новые методы исследования аморфных полупроводников.......... 81
3.1. Шимизу Т. Электронный парамагнитный (ЭПР) и ядерный магнитный (ЯМР) резонансы.............................. 81
3.2. Моригаки К., Сано Е., Хирабаяши И. Оптически детектируемый магнитный резонанс (ОДМР) в гидрогенизированном аморфном кремнии....................................... "93
3.3. Ташка К., Ямасаки С. Фотоакустическая спектроскопия (ФАС). Оптическое поглощение в a-Si : H при энергиях, меньших ширины запрещенной зоны................................. 104
3.4. Окуши X., Oxeda X., Ташка К. Спектроскопия состояний в запрещенной зоне................................... 117
3.5. Ода Ш., Томита X., Шимизу И. Изучение фотопроводимости методом видикоиа................................... 132
3.6. Аояги Е., Сегава Ю., ОкамотЗX. Пикосекундная спектроскопия. . . . 144 Библиографический список............................... 155
4. Новые сплавы на основе кремния, получаемые в тлеющем разряде..... 158
4.1. Юкимото Й. Гидрогенизированные сплавы a-Sii-x^e* и их оггго" электронные свойства.............................. 158
4.2. ТавадаЙ. Управление типом и концентрацией носителей заряда в a-SiC:H........... ........................... 170
4.3. Ташка К., МатсудаА. Основные свойства мк-Si, полученного плазменным осаждением............................. 185
4.4. ХиросеМ. Получение и свойства твердых растворов a-Si^N, _х : H . . 197 Библиографический список............................... 206
5. Солнечные элементы на основе аморфного кремния.............. 208
5.1. Хамакава Й., Окамото X. Физика прнбораи оптимальная конструкция солнечных элементов на основе аморфного кремния........ 208
5.2. Кувано Ю., Охниши М. Интегральные солнечные модули на основе аморфного кремния............................... 235
5.3. Харуки X., Учида Ю. Солнечные элементы на основе аморфного кремния на подложке из нержавеющей стали................ 245
