Аморфные полупроводники и приборы на их основе - Хамакава Й.
Скачать (прямая ссылка):
В работе Остона и др. [169] получено малое время релаксации (~30пс) для a-Si, изготовленного химическим газофазным осаждением. Однако причины процессов быстрой релаксации в отдельных случаях могут быть различными, поскольку составляющая быстрого спада, наблюдаемая экспериментально, может либо исчезнуть после отжига при 150 °С, либо сохраниться при комнатной температуре в течение недели. Диффузионная длина до захвата, оцениваемая из экспериментальных значений D = = 5,5 • 10~3 см2/с, т, = 100 пс, дает представление о суммарной плотности центров захвата, равной приблизительно 3 - 1018 см-3. Это значение также находится в согласии с теми данными, которые получались в результате других измерений [56].
154
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Thomas P.A.etal. - Phys. Rev., D18 (1978) 3059.
2. ReimerJ.A. - J. de Phys. 42 (1981) No. 10. Suppl. C4-715.
3. UedaS. etal. - J. dc Phys., 2 (1981) No. 10, Suppl. C4-729.
4. KumedaM.. Shimizu T. - Jpn. J. Appl. S'hys. 19 (1980) L197.
5. Ilasegawa S. et al. - Solid State Commun., 29 (1979) 13.
6. llasegawaS. etal. - Pliilos. Mag., B43 (1981) 149.
7. llasegawa S. et al. - J. Phys. Soc. Jpn., 49 (1980) Suppl. A. p. 1237.
8. Street R.A.. Biegelsen O.K. ~ Solid State Commun., 33 (1980) 1159.
9. Dersch II. etal. Phys. Status. Solidi, (b) 105 (1981) 265.
10. Dersch II. etal. - Phys. Status Solidi (b) 107 (1981) 307.
11. Friedrich A., Kaplin D. - J. Phys. Soc. Jpn. 49 (1980) Suppl. A. p. 1237.
12. IshiiN. etal. Jpn. J. Appl. Phys. 20 (1981) L673, L920.
13. AdlerD. - J. de Phys., 42 (1981) No. 10, Suppl. C4-3.
14. UedaS. etal. - Jpn. J. Appl. Phys. 20(1981) L399.
15. UedaS. etal. - Solid State Commun., 42 (1982) 261.
16. Shimizu T etal. - Jpn. J. Appl. Phys., 21 (1982) L351.
17. Knights J.C. et al. - J. Non-Cryst. Solids, 32 (1979) 393.
18. Nakazawa K. etal. - Jpn. J. Appl. Phys. 21 (1982) L176.
19. Shimizu T. et al. - Tctrahedrally Bonded Amorphous Semiconductors (Carefree, Arizona, 1981); A1P Conf. Proc. No. 73 (AIP, New York, 1981), p. 171
20. MorimotoA. etal. - Jpn. J. Appl. Phys., 20(1981) L833.
21. MorimotoA. etal. - Jpn. J. Appl. Phys., 21 (1982), LI 19.
22. MorimotoA. etal. - J. Appl. Phys., 53 (1982) 7299.
23. KumedaM. etal. - Phys. Status Solidi, <b) 81 (1977) K171.
24. Shimizu T. etal. - Solid State Commun., 37 (1981) 699.
25. GazeiP.ll.. Both C.C. - Solar lnergy Mater., 4 (1981) 297.
26. Ishii N. et al. - Phys. Status Solidi, (b) 116 (1983)No. 1.
27. IshiiN. etal. - Jpn. J. Appl. Phys., 21 (1982) L92.
28. IshiiN. etal. - Solid State Commun., 41 (1982) 143.
29. Cavenett B.C. - Alv. Phys., 30 (1981) 475.
30. Morigaki K. etal. - Solid State Commun., 26 (1978) 981.
31. Morigaki K. et al. - Proc. 14th Int. Conf. Phys. Semicond. (Edinburgh, 1978)p. 1163.
32. Morigaki K. etal. - Solid State Commun., 32 (1979) 795.
33. Morigaki K. etal. J. Noncrust. Solids, 35 & 36 (1980) 633.
34. Biegelsen O.K. ey al. - Phil. Mag., B37 (1978) 477.
35. Solomon I. Amprphous Semiconductors, ed M.H. Brodsky (Springer-Vcrlag, Berlin, 1979) Chap. 7.
36. Morigaki K. et al. - Solid State Commun., 39 (1981) 947.
37. Morigaki K. - J. Phys. Soc. Japan, 50 (1981) 2279.
38. MorigakiK. etal. - J. Phys. Soc'Japan. 51 (1982) 147.
39. Sano Y. etal. - Jpn. J. Appl. Phys., 21 (1982) L291.
40. Morigaki K. et al. - Solid State Commun., 43 (1982) 751.
41. Sano Y. etal. - Solid State Commun., 43 (1982) 439.
42. James J. R. etal. - Solid State Commun, 17 (1975) 969.
43. Murayama K. etal. - J. Phys. Soc. Japan, 41 (1976) 1617.
44. DuviesJ.J. etal. ~ Semicond. lnsul., 4 (1978) 101.
45. Kaplan D. etal. - J. Physique, 19 (1978) L51.
46. Dunstan D.J.. DaviesJ.J. - J. Phys., C12 (1979) 2927.
47. Movaghar B. etal. - Phil. Mag., B41 (1980) 141.
48. SuzukiM. etal. - J. Physique, 42 (1981) C4-623.
49. Depinna S.P. et al. - Solid State Commun., 41 (1982) 263.
50. Depinna S.P. et al. ~ Phil. Mag., B46 (1982) 473.
51. OkushiH. etal. - Phys. Rev., B25 (1982) 4313.
52. Derch H. etal. - Phys. Stat. Sol., (b) 105 (1981) 265.
53. Cohen J.D. etal. - Phys. Rev. Lett., 48 (1982) 109.
155
54. Cudy CD. et al. - Phys. Rev. Lett., 47 (1981) 1480. • 55. MorigakiK. et al. - Solid State Coraraun., 33 (1980) 851.
56. Hirabayashil. et al. - Jpn. J. Appl. Phys., 19 (1980), L357.
57. Hirabayashil. et al. - J. Phys. Soc. Japan, 50 (1981) 2961.
58. Morigaki K. et al. - J. Physique, 42 (1981) C4-335.
59. Pankove J.I., Berkeyheiser J.E. - Appl. Phys. Lett., 37 (1980) 705.
60. Street R.A., Biegelsen D.K. - J. Noncryst. Solids, 35 & 36 (1980) 651.
61. Street R.A. - Phys. rev., B21 (1980) 5775
62. MottN.F. - J. Phys.,C13 (1980) 5433.
63. Madan A. etal. - J. Noncryst. Solids, 20 (1976) 239.
64. Street R.A. etal. - Phys. Rev., B18(1978) 1880.
65. Tauc J. Amorphous and Liquid Semiconductors (Plenum Press, London and New York, 1974), p. 159.
66. Crandall R.S. - J. Non-Cryst. Solids, 35 and 36 (1980) 381.
67. Cody G.D. etal. - J. Non-Cryst. Solids, 35 and 36 (1980) 463.
68. Olivier M., BouchutP. - J. de Phys., 42 (1981) Suppl. p. C4-305.
