Аморфные полупроводники и приборы на их основе - Хамакава Й.
Скачать (прямая ссылка):
Сравнительные характеристики этих солнечных элементов сведены в табл. 5.5.3. По сравнению с солнечными элементами на основе р-і-п/ОИО, в которых используется аморфный слой и-типа, к.п.д. элементов с мк-Si на зеркально-отполированной пластине нержавеющей стали повышается до 7,0 %, а на полиимидной пленке с напыленным слоем нержавеющей стали — до 6,36 %.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
I.Carlson D.E., WronskiC.R. Appl. Phys. Lett., 28 (1976) 671. I.Carlson D.E. - IEEE Trans, on Electron Devices, ED-24 0977) 449. l.Okamoto H. et al. - Surf. Sci.. 86 (1979) 486.
4.Hamakawa Y.. Amorphous Semiconductors Technologies and Devices, ed. Y. Hana-
kawa (Ohm * North-Holland, 1982) p. 134. S.Yamaguchi T. et al. - Jpn J. Appl. Phys., 20 (1981) Suppl. 20 2. 195. 6.Okamoto H, Yamaguchi Т., Hamakawa Y. J. Phvs. Soc. Japan. 49 (1980) Suppl.
A. 1213.
l.MortJ. etal. - Appl. Phys. Lett., 38 (1981) 277.
8.Hamakawa Y., Okamoto H, Nitta Y.: Proc. 14-th IEEE Photovoltaic Specialists Conf.
(San. Diego, 1980) p. 1074. 9.0kamotoH. etal. - J. do Physique, 42 (1981) Suppl. 10. C4 507.
I O.Pai D.M.,Enck R.C. - Phys. Rev. Lett., 11 (1975) 5163.
II .Nonomure S. et al.: 3rd Photovoltaic Eng. and Sci. Conf. in Japan (Kyokto. 1982). H.Nonomura S. etal.: 1982 Int. Conf. on Solid State Devices (Tokyo, 1982).'
13. OkamotoH. etal. - Solar Cells, 8 (1983) 317. U.ChemI.,MortJ. - Appl. Phys. Lett., 37 (1980)'952.
IS.Konagai M. et al.: Proc. 3rd Photovoltaic Eng. and Sci. Conf. in Japan (Kyoko. 1982)
16. Nonomura S. etal. - J. dc Physique, 42 (1981) Suppl., 10. C4 761.
M.Nonomura S., Okamoto H., Hamakawa Y. Jpn. J. Appl. Phys. Lett., 21 (1982) 464
\8.EsserB. - Phys. Stat. Sol., 51 (b) (1972) 735.
19. Street R.A. et al: - J. Phys, C7 (1974) 1582.
20.Fukada N. et al - Proc. 3rd Photovoltaic Eng. and Sci. Conf. in Japan (Kyoko. 1 982):
M.Okuno etal: Solid State Commun., 34 (1980), 493. 21.Tawada Y. etal - Energy Mat., 6 (1982) 229. 22.Takakura H. etal. - Jpn. J. Appl. Phys., (1982).
23 Hamakawa Y., Okamoto H., Nitta Y. - Appl. Phys. Lett.. 35 (1979) 187. 24.Okamoto H., Nitta Y., Hamakawa Y. Jpn. J. Appl. Phys.. 19 1 (1980) 545. IS.Dalal V.L. 111! Trans, on 1 leetron Devices, ID 27 (1 980) 662. 26.Nakamura G., Sata K., Yukimoto Y.: Proc. 3rd Photovoltaic Sci. and Ing. Conf. in Japan (Kyoko, 1982).
21.Uchida Y. et al: Proc. 15th И I 1 Photovoltaic Specialists Conf. (Florida, 1981) 922. 280
IS.Hamakawa Y. - Surf. Sci., 86 (1979) 444. 29.0kamotoH. etal. - Solar Energy Mat., 2 (1980) 313.
30.Boer W.D., Strijp R.M.: Proc. 1982 Photovoltaic Solar Energy Conf. (Stresa, 1982).
31. YablonovichE., Cody G.D.: IEEE Trans. Electon Devices, ED-29 (1982) 300.
32.WronskiC.R.: Proc. 16th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (San Diego, 1982)
33.Spear W.E., LeComder P.G.: Solid Commun., 17 (1975) 1193.
34.Carlson D.E. - Appl. Phys. Lett., 28 (1976)671.
35.Carlson D.E., Wronski C.R. - J. Electron. Mater.. 6 (1977) 95.
36.Kuwano Y. etal: 4th EC Photovoltaic Solar Energy Conf. (1982) p. 169.
31.Madan A.: Proc. 9th Int. Conf. Amorphous and Liquid Semicon. (Grenoble, 1981)
(North - Holland Publishing Co., Amsterdam, 1981). 38.Carlson D.E., Smith R.W.: Proc. 15th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (Florida,
1981) (IEEE Inc.) p. 694. 39.Kuwano Y. et al: Proc. 2nd Photovoliaic Science and Engineering Conf. in Japan
(1980) p. 213.
40.Kuwano Y. et al: Proc. 1st Phoiovoltaic Science and Engineering Conf. in Japan (1979) 137.
41.Kuwano Y. - J. Electronic Engineering, 17 (1980) 72.
Al.Kuwano Y., TsudaS., OhnishiN. Jpn. J. Appl. Phys., 21 (1982) 235.
43.Kuwano Y., Ohnishi M.: Proc. 9th International Conference on Amorphous and Liquid Semiconductors (1981) p. 1155.
44.Hanak J J.: Proc. 14th IEEE Photovolaic Soccialists Conf. (1980) p. 623.
45. Wronski C.R., Carlson D.E., Daniel R.E.: Appl. Phys. Leu . 29 (1976) 602.
46.Okamoto H. et al: Proc. Out. Conf. on Solid Films and Surfaces (Tokyo. 1978) and Surface Sci.. 8b (1979) 486.
47 Carlson D.E.: Solar Energy Materials, 3 (1980) 503.
48.Uchida Y. etal. J. dc Physique 42 (1981) Suppl. 10, C4- 265.
49.Uchida Y. etal. J. Electrochcm. Soc, 130 (1983) 712.
50.Haruki H. et al. Jpn. J. Appl. Phys., 21 (1982) Suppl. 21 1.283.
5\.Hamasaki T. etal Appl. Phys. Lcit.. 38 (1980) 1084.
Sl.Matsuda A. etal. Jpn. J. Appl. Phys., 20 (1980) L183.
53.Uhida Y. etal. - Jpn. J. Appl. Phys. (1982) L586.
54.Hovel H.J.: Semiconductors and Semiinetals, Vol. 11 Solar Cells (Academic Press.
New York, 1975) p. 203. 55. Uchida Y. etal. Fuji Electric Rev.. 27 (1981) 34. Sb.StaehlerD.L.. WronskiC.R. Appl. Phys. Leu., 31 (1977) 392. 57 StaeblerD.I.., CrandallR.S., WilliamsR. Appl. Phys. Lcit.. 39 (1981) 733. SH.Nakamura G. et al.: Phoiovoltaic Solar Energy Conf. (PVSEC) (Stresa. 1982) 616. 59.Nakamura G. et al 1 uripcan PVSEC (Cannes. 1980). 60.Nakamura G. etal. J. dc Plnsiquc. 42 (1981) Suppl. 10. C4 1131. 6\.~Masden G.W., Backus C.E.: Proc. 13th 11 1 1 Photovoltaic Specialists Conf., (PVSPC)
