Физика полупроводниковых приборов Книга 1 - Зи С.
Скачать (прямая ссылка):
потенциала в центре скрытого канала ПЗС. Для сравнения приведен
соответствующий профиль потенциала в аналогичном ПЗС с поверхностным
каналом [67].
450
Глава 7
ного заряда его пространственное распределение становится более широким и
сдвигается в сторону границы раздела с окислом.
Результаты двумерного численного расчета изменения потенциала вдоль
скрытого канала приведены на рис. 56. Для сравнения здесь также показана
соответствующая зависимость в аналогичном приборе с поверхностным
каналом. Ясно, что больший градиент потенциала в ПЗС со скрытым каналом
под центром затвора (краевое поле) будет способствовать более высокой
скорости переноса заряда. Действительно, как оказалось, значения
неэффективности переноса е ~ 10-4:-10-5 сравнительно легко достигаются в
ПЗС со скрытым каналом, что на порядок меньше, чем в типичных
конструкциях ПЗС с поверхностным каналом тех же геометрических размеров.
ЛИТЕРАТУРА
1. Moll J. L. Variable Capacitance with Large Capacity Change, Wescon
Conv. Rec., Pt. 3, p. 32 (1959).
2. Pfann W. G., Garrett C. G. Semiconductor Varactor Using Space-
Charge Layers, Proc. IRE, 47, 2011 (1959).
3. Frankl D. R. Some Effects of Material Parameters on the Design of
Surface Space-Charge Varactor, Solid State Electron., 2, 71 (1961).
4. Lindner R. Semiconductor Surface Varactor, Bell Syst. Tech. J., 41,
803 (1962).
5. Termann L. M. An Investigation of Surface States at a
Silicon/Silicon Dioxide Interface Employing Metal - Oxide - Silicon
Diodes, Solid State Electron., 5, 285 (1962).
6. Lehovec K., Slobodsky A. Field-Effect Capacitance Analysis of
Surface States on Silicon, Phys. Status Solidi, 3, 447 (1963).
7. Nicollian E. H., Brews J. R. MOS Physics and Technology, Wiley, N.
Y., 1982.
8. Boyle W. S., Smith G. E. Charge Coupled Semiconductor Devices, Bell
Syst. Tech. J., 49, 587 (1970).
9. Amelio G. F., Tompsett M. F., Smith G. E. Experimental Verification
of the Charge Coupled Diode Concept, Bell Syst. Tech. J., 49, 593 (1970).
10. Sequin С. H., Tompsett M. F, Charge Transfer Devices, Academic, N.
Y., 1975.
11. Kim С. K. The Physics of Charge-Coupled Devices, in Howes M. J.,
Morgan D. V., Eds., Charge-Coupled Devices and Systems, Wiley, N. Y,,
1979, p. 1.
12. Melen R., Buss D., Eds. Charge-Coupled Devices: Technology and
Applications, IEEE Press, N. Y., 1977.
13. Garrett C. G. B., Brattain W. H. Physical Theory of Semiconductor
Surfaces, Phys. Rev., 99, 376 (1955).
14. Kingston R. H., Neustadter S. F. Calculation of the Space Charge,
Electric Field, and Free Carrier Concentration at the Surface of a
Semiconductor, J. Appl. Phys., 26, 718 (1955).
15. Hofstein S. R., Warfield G. Physical Limitation on the
Frequency Response
of a Semiconductor Surface Inversion Layer, Solid State Electron., 8, 321
(1965).
16. Grove A. S., Deal В. E., Snow E. H., Sah С. T.
Investigation of Thermally Oxidized Silicon Surfaces Using
Metal - Oxide - Semiconductor Struc-
tures, Solid State Electron., 8, 145 (1965).
МДП-структуры. Приборы с зарядовой связью 451
17. Grove A. S., Snow Е. Н., Deal В. Е., Sah С. Т. Simple Physical
Model for the Space-Charge Cpacitance of Metal - Oxide - Semiconductor
Structures, J. Appl. Phys., 33, 2458 (1964).
18. Goetzberger A. Ideal MOS Curves for Silicon, Bell Syst. Tech. J.,
45, 1097
(1966).
19. Deal В. E. Standardized Terminology for Oxide Charges Asscciated
with Thermally Oxidized Silicon, IEEE Trans. Electron Devices, ED-27, 606
(1980).
20. Tamm I. Ober eine mogliche Art der Elektronenbindung an
Kristallober-flachen, Phys. Z. Sowietunion, 1, 733 (1933).
21. Shockley W. On the Surface States Associated with a Periodic
Potential, Phys. Rev., 56, 317 (1939).
22. Shockley W., Pearson G. L. Modulation of Conductance of Thin Films
of Semiconductors by Surface Charges, Phys. Rev., 74, 232 (1948).
23. Allen F. G., Gobeli G. W. Work Function, Photoelectric Threshold
and Surface States of Atomically Clean Silicon, Phys. Rev., 127, 150
(1962).
24. Nicollian E. H., Goetzberger A. MOS Conductance Technique for
Measuring Surface State Parameters, Appl. Phys. Lett., 7, 216 (1965).
25. Berglund C. N. Surface States at Steam-Grown Silicon - Silicon
Dioxide Interface, IEEE Trans. Electron Devices, ED-13, 701 (1966).
26. Nicollian E. H., Goetzberger A. The Si - Si02 Interface-Electrical
Properties as Determined by the MIS Conductance Technique, Bell Syst.
Tech. J.,
46, 1055 (1967).
27. White W. H-, Cricchi J. R, Characterization of Thin-Oxide MNOS
Memory Transistors, IEEE Trans. Electron Devices, ED-19, 1280 (1972).
28. Deal В. E., Sklar М., Grove A. S., Snow E. H. Characteristics of
the Surface-State Charge (Qss) of Thermally Oxidized Silicon, J.
Electrochem. Soc., 114, 266 (1967).
29. Ligenza J. R. Effect of Crystal Orientation of Oxidation Rates of
Silicon in High Pressure Steam, J. Phys. Chem., 65, 2011 (1961).
30. Snow E. H., Grove A. S., Deal В. E., Sah С. T. Ion Transport
