Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках - Вавилов В.С.
Скачать (прямая ссылка):
CsBr, Csl, (тепловой процесс
ZnBr2 распыления)
о-; 0,54 AgBr, Pbl2 Отсутствие сигнала, Металл [12]
обусловленного ато
мами металла *
о-; 0.1---1,5 LiF, NaF, Парциальное давле Частично [13]
XaCl, KC1 ние металл
е~; 1,5 LiF, KC1 ОЭС » [13]
е~; 1 KI » » [14]
е~; 2 KC1 » » [15]
Аг+; 2 CuF2, ЭСХА Металл [16]
XiF2 **
Аг+; 2 CuC]2 » » [16]
«Воздух»; 4 ArBr Электронография на » [21]
отражение
Хе+; 6 Cdl2, BbCl, Определение dN/dE Частнчнс [17, 18]
для атомов металла металл
(тепловой процесс
распыления)
Хе+; G AgBr, Отсутствие сигнала, Металл [17]
I'ul... »** обусловленного ато
мами металла (теп
ловой процесс рас-
лылешш)
11е+; Хе+, Nal Определение dN/dE Частично [19]
Аг+; Кг+, для атомов металла металл
Хс; *¦; 20 (тепловой процесс
распыления)
* Для РЫ2 проводился такн;е анализ методом обратного рассея-тш; сигнал атомов галогена, был нестационарным как для AgBr, так и
ДЛЯ РЪЬ [У].
** Соединение NiF2 в конечном счете восстанавливалось до Ni. но для этого требовалась более высокая доза ионов, чем в случае C11F2 [13]. Восстановление CoF2 до Co. a FeF2 До Fe происходило при столь высоких дозах [idj, что можно считать эти галогениды устойчивыми.
*** В случае AgBr сигнал, обусловленный атомами металла при термическом распылении AgBr, отсутствовал, а в РЫ2 был очень малым [14]. Эти соединения служат примером полной металлизации поверхности галогенидов.
ЭСХА — электронная спектроскопия для химического анализа; ОЭС—> оже-электроиная спектроскопия.
366
ДОПОЛНЕНИЕ ПРИ КОРРЕКТУРЕ
стояние при энергии лазерного импульса, блпзкой к пороговому значению.
Как показано в [24], лазерный импульс доиороговой интенсивности вызывает образование точечных дефектов в Si, подобных тем, которые возникают при ^-облучении. Наблюдалось изменение величин н температурных зависимостей темновой концентрации и подвижности дырок в результате воздействия па p-Si одного или нескольких импульсов допороговой интенсивности (мощность W= = 20 МВт, т = 50 не) неодимового лазера. При этом возникают уровни ?„+0,21 эВ. Скорость введения дефектов при лазерной вспышке прнмерпо 1020 —1021 см~3-с-1.
Введение дополнительных дефектов в аморфизированный слой создает локальное «глубокое резупорядочеппе», вызывающее переход в кристаллическую фазу. При этом существенной является роль примесных центров кристаллизации и ориентирующей иод-ложкп [25].
Стимулирующее влияние ионизации и ТД на восстановление кристаллической структуры отмечено в работах [26 — 29]. В [30] исследовался отжиг нопно-юшлантироваппых слоев в Si и GaAs при облучении импульсами электронов с энергиями выше порога упругого дефектообразования. Сделан вывод о существенной роли генерируемых пар Френкеля в перестройке дефектов в аморфных областях.
В [25] подчеркивается роль электронной подсистемы в процессах рекристаллизации иопно-имплантировапных слоев. Рассматриваются факторы, усиливающие кристаллизационные эффекты в возбуждаемых попами областях кремния.
Наиболее проста ситуация с ориентационным фактором, так как хорошо известна стимулирующая роль подложки в кристаллизационных процессах.
Сложнее обстоит дело с зависимостью от плотности тока попов. Каким образом за время жизни в возбужденном состоянии ~10-11—10~9 с пик смещений успевает почувствовать влияние иопов, тормозящихся в мишени иа расстоянии друг от друга? Оценки показывают, что скорость, с которой происходит торможение, составляет «4-10' см/с. Такие скорости недоступны фопоппой подсистеме (скорость звука в кремнии ~7-106 см/с) и могут быть обеспечены только электронной подсистемой. Корреляционный эффект’ взаимодействия между возбуждаемыми ионами областями осуществляется через электронную подсистему. Согласно оценкам электронной тормозной способности 50 кэВ-й ион Р+ теряет иа возбуждение электронной подсистемы примерно 17 кэВ, т. е. когда наблюдается иопио-стимулироваппая кристаллизация, из 1 = 5 Вт/см2 примерно 1,7 Вт/см2 расходуется па генерацию неравновесных носителей заряда, взаимодействие которых с возбужденным пиком смещений стимулирует его кристаллизацию. Это взаимодействие следует связать с миграцией и последующей рекомбинацией неравновесных носителей заряда в области пика смещений. Выделяющаяся энергия поддерживает возбуждение, и, следовательно, увеличивается вероятность кристаллизации.
