Оптические свойства полупроводников - Уиллардон Р.
Скачать (прямая ссылка):
0 124
0 125
0 120
0 128
0 129
0 1-Ю
0 132
0 133
0 135
0 136
0 138
0 139
0 141
0 144
0 146
0 148
0,091 0 149
0,087 0 151
0,083 0 153
0,080 0 155
0,075 0 157
0 072 0 159
0,069 0 161
0,068 0 163
0,075 0 165
0,094 0 167
0,111 0 170
0,132 0 172
0,162 0 175
0,178 0 177
0,194 0 180
0,205 0 182
0,210 0 185
0,218 0 188
0,232 0 191
0,246 0 194
0,266 0 197
0,298 0 200
0,3()0 0 203
0,301 0 207
0,303 0 210
0,305 0 214
0,309 0 217
0,311 0 221
0,316 0 225
0,320 0 229
0,325 0 234
0,330 0 238
0,336 0 243
0,343 0 248
0,359 0 253
0,366 0 258
0,370 0 264
0,376 0,380 0,385 0,390 0,395 0,407 0,409 0,414 0,419 0,423 0,428 0 /,30 0,432 0,433 0,432 0,431 0,429 0,427 0,422 0,417 0,410 0,^08 0,415 0,429 0,442 0,452 0,465 0,477 0,490 0,504 0,517 0,528 0,544 0,553 0,538 0,524 0,491
Л, -«к
0,269 0,275 0,282 0,288 0,295 0,302 0,310 0,318 0,326 0 335 О; 344 0,354 0,375 0,.487 0,399 0,413 0,427 0,443 0,459 0,477 0,496 0,517 0,539 0,563 0,590 0,620 0,652 0,689 0,729 0,775 0,826 (1,885 0,953 1,033 1,126 1,240
Рейнольде и др. [69] наблюдали дублет. Они вычислили коэффициент поглощения по отношению интенсивностей прошедшего и падающего света на поликристаллическом образце « типа с сопротивлением 30 ом см (потери на отражение учитывались).
Позже ]Тти и Тернер [70] измерили методом призмы показатель преломления между 1 и 2 мк При температурах 298 и 77°К. Призма с углом при вершине около 15° была вырезана из материала п-типа с концентрацией носителей 5Ю1в показатель
31—1289 Г>. Серпфин. X. Пеннгтт
преломления определялся по углу наименьшего отклонения. Точность измерений оценивалась, как +0,0003. По методу наименьших квадратов может быть проведена подгонка данных, с точностью до 0,0007, при лепользовании соотношения
„а a^ ВХ2 /я\
где А = 7,255 (7,781), В = 2,316 (ItRtii) и C2 = 0,3922-IDft (0,4397'IO8) при температуре 298° К (77° К), если А. выражается в ангстремах.
В табл. 1(> для области от 5 до J5 мк приводятся значения показателя преломления, измеренные Осуолдом [71].
Кардона [58] исследовал температурную зависимость показателя преломления, измеряя интерференцию тонких монокристаллических пленок при разных температурах. Для образца л-типа с концентрацией IO17 см'3 он получил соотношение
-^-^-=(2,7 + 0,3)10"3 град-t (9)
(температура — по шкале Цельсия).
§ 7. АРСЕНИД ИНДИЯ
Так же как и в случае GaAs, Филипп и Эренрайх вычислили оптические параметры TnAs в области длин волн 0,05—2,5 мк по данным об отражении, пользуясь дисперсионными соотношениями между фазой и коэффициентом отражения [25—28]. Для таких расчетов необходимо, чтобы спектр отражения был измерен при всех длинах волн. Довольно точные значения для п и Ar можно получить, если в интервал измерений входит основная наиболее интенсивная структура в высокоэнергетической области и если сделать правильные предположения о процедуре экстраполяции вне этой области. В случае измерений Филиппа и Эреп-райха оба эти предположения выполняются. Моррисоя [36 [ провел аналогичный анализ при обработке данных своих очень тщательных, но охватывающих область только до 0,2 лік, измерений отражения. Оптические параметры весьма чувствительны к процедуре экстраполяции, особенно если область измерений ограничена со стороны высоких энергий. Это говорит о том, что плазменное поглощение, оставшееся вне области измерений Моррисона, вносит существенный вклад в дисперсионный интеграл.
Филипп и Эренрайх не приводят характеристик исследованного ими кристалла. По можно предположить, что в охваченной их измерениями области длин волн (между 0,05 и 1,38 лік) оптические параметры не зависят от типа проводимости и плотности Гл. 11. Оптические параметры ряда соединений
475
носителей тока. Существенное значение играет обработка поверхности. Можно принять как некое эмпирическое правило, что лучше всего такая обработка поверхности, которая обеспечивает наибольшее значение коэффициента отражения в широкой спектральной области. В пользу этого правила говорят проведенные Моррисоном исследования зависимости коэффициента отражения от типа полировки поверхности. Наибольшие значения отражения, полученные им после полировки на шелке, только на 3—5% ниже данных Филиппа и Эренрайха, полученных на травлених образцах, по выше значений, приводимых Тауцем и Абрагамом 1351, в средпем на 4—Г» %.
Ряд оптических исследований проведен в области кран фундаментального поглощения Ї72 —771. Особенно важное значение имеют измерения на наиболее чистом из имеющихся материалов, так как тип и плотность примеси в кристалле могут влиять на форму и положение края поглощения. Диксону и Эллису 178], измерившим коэффициент поглощения веи^ества, содержащего только 3,8-IOie см-3 носителей (определено по температурной зависимости эффекта Холла), удалось объяснить расхождение результатов более ранних измерений. Коэффициент поглощения а вычислялся по пропусканию T на основе соотношения (3). Диксон и Эллис установили, что в случае невырожденного кристалла зависимость коэффициента поглощения от энергии фотона E при а IO3 см~1 удовлетворяет следующему соотношению;
