Полупроводники - Смит Р.
Скачать (прямая ссылка):
103. Herring S., Proceedings of Atlantic City Photo-conductivity
Conference, Chapman and Hall, John Wiley and Sons, 1956, p. 81.
104. Garreta 0., Grovalet J., Progress in Semiconductors, Heywood, 1,
1956, p. 165.
105. De Wore H. B., Phys. Rev., 102, 86 (1956).
106. Gartner VP., Phys. Rev., 105, 823 (1957).
107. Goodwin D. VP., Report of Meeting on Semiconductors, London Physical
Society, 1956, p. 137.
108. Jayaraman S., Lee С. H., Appl. Phys. Lett., 20, 392 (1972).
109. Gibson A. F., Maggs P. N. D., Journ. Phys., D7, 292 (1974).
110. Кикоин И. К., Носков М. М., Phys. Zs. Sowjet., 5, 586 (1934).
111. Френкель Я-, Phys. Zs. Sowjet., 8, 185 (1935).
112. Moss T. S., Pincherle L., Woodward Alice М., Proc. Phys. Soc., B66,
743 (1953).
113. Aigrain P., Bulliard H., C. R. Acad. Sci., Paris, 230, 595 (1953).
114. Roosbroeck №. Van, Bull. Amer. Phys. Soc., 30, 10 (1955).
115. Pincherle L., Proceedings of Atlantic City Photoconductivity
Conference, Chapman and Hall, John Wiley and Sons, 1956, p. 307.
116. Stierwald D. L., Potter R. ?., Semiconductors and Semimetals,
Academic Press, 3, 1967, p. 71.
117. Roosbroeck VP. Van, Phys. Rev., 101, 1713 (1956).
118. Данишевский А. М., Кастальский А. А., Рывкин С. М., Ярошецкий И. Д.,
ЖЭТФ, 58, 544 (1970).
119. Gibson A. F., Kimmit М. ?., VPalker А. С., Appl. Phys. Lett., 17, 75
(1970).
120. Gibson A. F" Walker A. C" Journ. Phys., C4, 2209 (1971).
121. Patel C. K- N., Appl. Phys. Lett., 18, 25, 274 (1971).
122. Cardona М., Semiconductors and Semimetals, Academic Press, 3, 1967,
p. 125.
123. Tauc J., Progress in Semiconductors, Heywood, 9, 1965, p. 87.
124. Franz VP., Zs. Naturforsch., 13a, 484 (1958).
125. Келдыш Л. В., ЖЭТФ, 33, 994 (1957).
126. Callaway J., Phys. Rev., 130, 549 (1963).
127. Tharmalingam K-, Phys. Rev., 130, 2204 (1963).
410
10. Оптические и высокочастотные явления
128. Penchina С. М., Phys. Rev., А138, 924 (1965).
129. Келдыш Л. В., Вавилов В. С., Брицын К• И., Proc. Vth Intern. Conf.
Phys. Semicond., Czechoslovak Acad. Sci., 1961, p. 824.
130. Moss T. S., Journ. Appl. Phys., 32, 2136 (1961).
131. Blossey D. F., Handler P., Semiconductors and Semimetals, Academic
Press; 9, 1972, p. 257.
132. Aspnes D. ?., Boltka N.. Semiconductors and Semimetals, Academic
Press, 9, 1972, p. 457.
133. Cardona М., Skacklee K- L" Poliak F. H., Phys. Rev., 154, 696
(1967).
134. Cardona М., Solis State Physics, Academic Press, suppl. 11, 1969.
(Имеется перевод: Кардона М. Модуляционная спектроскопия.- М.: Мир,
1972.)
135. Seraphin В. О., Optical Properties of Solids, ed. Haidemenakis E.
D., Gordon and Breach, 1970, p. 213; Semiconductors and Semimetals,
Academic Press, 9, 1972, p. 1; Optical Properties of Solids, ed. Abeles
F., North Holland, 1972, p. 163.
136. Hamakawa Y., Handler P., Germane F. A., Phys. Rev., 167, 709
(1968).
137. Hamakawa Y., Nishimo Т., Optical Properties of Solids-New
Developments,
ed. Seraphin В. O., North Holland, 1976, p. 225.
138. Balslev I., Semiconductors and Semimetals, Academic Press, 9, 1972,
p. 403.
139. Haynes J. R., Lax М., Flood W. F., Proc. lVth Intern. Conf. Phys.
Semicond., Journ. Phys. Chem. Solids, 8, 392 (1959).
140. Haynes J. R., Phys. Rev. Lett., 4, 361 (1960).
141. Thomas D. G., Hop field J. J., Phys. Rev., 128, 2135 (1962).
142. Reynolds D. C., Electronic Structure in Solids, ed. Haidemenakis E.
D., Plenum Press, 1969, j). 110.
143. Thomas D. G., Gershenzon М., Trumbore F. A., Phys. Rev., A113, 269
(1964).
144. Dean P. J., Henry С. H., Frosch C. J., Phys. Rev., A168, 812 (1968).
145. White A. М., Dean P. J., Taylor L. L., Clarke R. C., Ashen D. J.,
Mullin J. B., Journ. Phys., C5, 1727 (1972).
146. Bebb H. B., Williams E. W., Semiconductors and Semimetals, Academic
Press, 8, 1972, p. 181.
147. Phillips J. C" Phys. Rev., Bl, 1545 (1970).
148. Dean P. J., Progress in Solid State Chemistry, Pergamon Press, 8,
1973, p. 1. i*49. Ульмер Э. А., Фрэнкл Д. P., Труды IX Международной
конференции по
физике полупроводников. J1.: Наука, 1969, с. 179.
150. Williams Е. W., Bebb Н. В., Semiconductors and Semimetals, Academic
Press, 8, 1972, p. 321.
11
ЗОННАЯ СТРУКТУРА И МЕТОД ЭФФЕКТИВНОЙ МАССЫ
11.1. Концепция эффективной массы
В гл. 2 мы кратко обсудили вид зависимости энергии от волнового вектора
к, а также вид волновых функций электронов, соответствующих состояниям с
заданным значением энергии Е. Из сходства зависимости энергии электрона
от к вблизи экстремума зоны с зависимостью Е (к) для свободного электрона
мы заключили, что свободные электроны и дырки в полупроводнике имеет
смысл рассматривать как частицы, обладающие эффективной массой, которая в
простейшем случае может быть скалярной, но в общем случае выражается
тензорной величиной. Эти массы не должны зависеть от к только вблизи
экстремумов зон и лишь при определенных условиях. Использование концепции
эффективной массы подкрепляется еще и тем, что уравнения движения
