Основы теории фотопроводимости - Роуз А.
Скачать (прямая ссылка):
носителей; k — постоянная Больцмана; К — диэлектрическая проницаемость; L — расстояние между электродами; ід —длина диффузии; средняя длина свободного пробега между столкио-
отношение полного заряда анода к полному заряду
электронов на уровнях, находящихся в тепловом
равновесии с зоной проводимости;
мзсса свободного электрона;
эффективная масса электрона;
эффективная масса дырки;
подвижность;
— концентрация возбужденных светом электронов; концентрация возбужденны* светом дырок;
тем нова я концентрация электронов;
— темповая концентрация дырок;
концентрация уровней прилипания, заполненных электронами;
концентрация свободных от электронов уровней прилипания;
-концентрация уровней прилипания для электронов;
— концентрация уровней прилипания для дырок; концентрация уровней рекомбинации, заполненных электронами;
— концентрация свободных от электронов уровней рекомбннацни;
— концентрация уровней рекомбннацни (п,+рА\
— полное число свободных электронов;
— полное число заполненных электронами уровней прилипания;
полное число свободных от электронов уровней рекомбинации; оптическая частота;
частота теплового возбуждения для электронов; частота теплового возбуждения для дырок; сеченне захвата свободных электронов уровнем рекомбинации;
сечение захвата свободных дырок уровнем рекомбинации;
время жизни свободных носителей; время жизнн свободных электронов, время жизни свободных дырок; время фотоответа для свободных носителей; IRQ
т0я—время фотоответа для свободных электронов;
T0р—время фоюответа для свободных дырон;
Тред '-= • Ю~12 — впсм я диэлектрической релаксации;
т, —среднее время пребывания свободного электрона в зове проводимости между захватами его уровнями прилипания; T — абсолютная температура;
Tc — характеристическая температура, используемая для описания экспоненциального распределения уровней по энергии, Tr — время пролета свободных носителей между электродами; V — тепловая скорость; а—телесный угол. ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие редактора перевода ......................в
Предисловие автора ...............7
Глава 1. Введение .....................................11
Литература...... ...... • . 13
Глава 2. Произведение коэффициента усиления на ширину
полосы для фото пров один ко в, Часть I..............14
Литература...............21
Глава 3. Рекомбинация ..................................22
Изоляторы......................23
§ 1 Один тип центров рекомбинации Низкая интенсивность света (п, р <пг, рг) . . ¦ . . 25 § 2 Один тип центров рекомбинации. Высокая интенсивность света (п. p>tr, рг)......28
§ 3. Один тип центров рекомбинации и уровня прилипания. Низкая интенсивность света (л+Я|,
Р + Р,<Пт, Pr)............30
§ 4 Один тип центров рекомбинации и уровни прилипания. Высокая интенсивность света (n-f-n,,
Р+Рі>Пт. рг).............35
§ 5. Переходная область (nr>n+n,>pr- n+nt>p+pi) 35
§ 6. Электронное легирование ......... 36
§ 7. Демаркационные уровни.........39
§ 8 Некоторые наиболее важные модели ..... 47 § 9. Модель, соответствующая условиям r=consl и
іо«/7"' ..............48
§ 10. Модель, соответствующая условию Ir ~F*
(0,5<а<1) .............53
§ 11. Очувствление..............59
§ 12, Суперлинейность ............64
§ 13. Инфракрасное и температурное гашение . , , 67
Полупроводники .......... .... 69
§ 14 Полупроводники. Равные времена жизни электронов и дырок.............70 Оглавление 191
§ 15. Полупроводники. Неравные времена жизни электронов и дырок..........77
§ 16 Переход от «полупроводника» к «изолятору» , , 80
§ 17, Отрицательный фотоэффект........83
Литература..............86
Глава 4 Токи, ограниченные объемным зарядом..........87
§ I Изолятор без уровней прилипания или содержащий мелкие уровни прилипания .... .87
§ 2, Изолятор с глубокими уровнями прилипания . , 91
§ 3 Распределение поля и заряда.......93
§ 4 Переходные процессы ..........95
Литература...............100
Глава 5 Произведение коэффициента усиления на ширину
полосы. Часть Il 101
§ 1 Чистые фотопроводники и фотопроводиики при
наличии мелких уровней прилипания .... IOl § 2, Фотопроводники с глубокими уровнями прилипания .............. . . 105
§ 3. Случай, когда время прилипания больше, чем
время жизни...... .......IlO
§ 4. Фототриоди ..............Ill
§ 5. Сравнение фотопро водника вых и полупроводниковых усилителей............J15
Литература .........(.....117
Глава 6 Шумовые токи....................
§ 1, Общие соотношения...........118
§ 2 Поток фотонов ............120
§ 3. Токи, ограниченные скоростью эмиссии .... 120
§ 4. Фотоумножители ....... .... 121
§ 5. Фотопроводиики (случай отсутствия уровней
прилипания)..............121 .
§ 6 Джонсояовскнй шум...........124
§ 7. Токовый шум в полупроводниках при наличии
уровней прилипания ......................126
§ 8. Токи, ограниченные объемным зарядом . , , , 128 § 9. Фотопроводник при наличии уровней прилипания 129 § 10. Сравнение шумовых ограничений для фотопроводников и оптических мазеров ............132
