Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Порохов А.М. -> "Физическая энциклопедия Том 4" -> 404

Физическая энциклопедия Том 4 - Порохов А.М.

Порохов А.М. Физическая энциклопедия Том 4 — М.: Большая российская энциклопедия, 1994. — 701 c.
Скачать (прямая ссылка): fizenciklopedt41994.djvu
Предыдущая << 1 .. 398 399 400 401 402 403 < 404 > 405 406 407 408 409 410 .. 818 >> Следующая


Рис. 7. Схема получения брэгг-френелевской зонной пластинки: Ai и A1 — когерентные источйики; E — эллиптические изофаз-ные поверхности; M — многослоййая структура.

коэф. отражения или фазу рассеяния от зоны к зоне, можно получить эффект фокусировки, как и в случае плоской ЗПФ. Параметрич. ур-ния пространственной структуры Б ФЛ:

1=75Ы‘*1,(1+*’)- тгг]-

у*=л*(?*—1)(1—ц*)—(tagu —“—j*,

ак

где к — тангенс наклона элемента к оптич. оси, M0 — отиосит. коэф. увеличения системы, 2а — расстояние от объекта до изображения, ?>1 и —1< r| < 1— парамет-

ры системы, ?=?„-!- «V4, S0 — У (I 4- A*/Af*)/(A:2 -Ь 1). Трёхмерные БФЛ изготовляются из совершенных кристаллов или зеркал с МСП. Одномерные брэгг-френелевские элементы (БФЭУ с вариацией периода, в объёме структуры являются дифракц. ггризнака-ми. Управляя положением отражающих плоскостей БФЭ с помощью электрич., оптич. и УЗ-снгналов,. можно менить коэф. отражения и фазу отражённой!
волиы. Модулировать положение отражающих плоскостей можно также путём смещения плоскостей из отражающего положения, изменением параметра решётки (межплоскостного расстояния) виеш. воздействием, искажением формы поверхности кристалла в целом импульсными или волновыми процессами и путём модуляции электронной плотности в кристалле. БФЭ могут быть использованы в широком диапазоне длин волн, имеют большие механич., термич. н радиац. устойчивости. На базе управляемых БФЭ можио создавать устройства сканирования рентг. пучком, модуляции и передачи информации. БФЛ, совмещённые с интерферометрами Фабри — Перо и изготовляемые иа прозрачных для реитг. излучения мембранах, рассматриваются как осн. элементы для резонаторов рентг. лазеров.

Перспективы развитии Р. о. связаны гл. обр. с совершенствованием технологии изготовления рентгенООП-тич, элементов (получения сверхгладких зеркальных поверхностей разл. профиля, улучшения качества поверхностей многослойных покрыткй, повышения разрешения микроструктур и т. д.). Наибольшие надежды возлагаются на Р. о. многослойных покрытий и брэгг-френелевскую оптику в связи с разработкой рентг. лазеров, рентг. голографии, рентг. микроскопии и др. направлений.

Лит..: Зимкина Т. М., Фомичев В. А., Ультрамяг-кая рентгеновская спектроскопия, JI., 1971; Burek A. J., Crystals for astronomical X-ray spectroscopy, «Space Sci. Instr.», 1976 v. 2. Nb 1/3, p. 53; Каули Д., Физика дифракции, пер. с англ., М., 1979; П и а с к е р 3. Г., Рентгеновская кристаллооптика, М., 1982; Рентгеновская оптика и микроскопия, под ред. Г. Шмаля и Д. Рудольфа, пер. с англ., М., 1987;

мишетт А., Оптика мягкого рентгеновского излучения, пер. с англ., М., 1989; Зеркальная рентгеновская оптика, под ред. А. В. Виноградова, Л., 1989; Аристов В. В., Ep-но А. И., Рентгеновская оптика, М., 1991.

В. В. Аристов, А. И. Eprto, В. А. Слемаин, А. А. Снигирёв.

РЕНТГЕНОВСКАЯ СПЕКТРАЛЬНАЯ АППАРАТУРА — аппаратура для рентгеновской спектроскопии и рентгеноспектрального аналиаа, в к-рой реитг. излучение исследуемого объекта (илн рентг. излучение непрерывного спектра, прошедшее через наследуемый объект) разлагается в спектр, регистрируется и анализируется. С помощью Р. с. а., иапр., исследуют тонкую структуру рентг. спектров, определяют элементный состав вещества, осуществляют диагностику высокотемпературной плазмы (по рентг. спектрам много-за рядных ионов).

Р. с. а. принципиально отличается от оптич. спектральной аппаратуры, т. и. прозрачных для реятг. излучения оптич. материалов не существует ив Р. с. а. не используется линзовая оптика. Отражение реитг. излучении основано на эффекте полного внеш. отражения (см. Рентгеновская оптика), а в дисперсионных системах используется дифракция рентг. лучер. В Р. с. а. диспергирующие и фокусирующие элементы объединены. Для рентг. излучения с длиной волны А. < 2 А вся оптнч. часть Р. с. а. должна быть помещена в вакуум, высокая энергия квантов рентг. излучения (10*—IO5 эВ) позволяет проводить его регистрацию в счётном режиме.

Р. с. а. классифицируют по способу разложения излучения в спектр, типу рентг. источника и способу регистрации излучеикя. В дисперсионной Р» с. а. для разложения излучения в .спектр используют дифракц. решётки и кристаллы-анализаторы, в и е д и с-персноиной — нужный узкий участок спектра выделяют сцинтилляц. счётчиком или пропорциональным счётчиком и полупроводниковым детектором с амплитудным анализатором импульсов. Источниками рентг. излучения могут служить высокотемпературная плазма, синхротроны, рентг. трубкн, причём с помощью Р. с. а. исследуют как спектры нспуска-»ия (флуоресцентные спектры), так н спектры поглощения (абсорбционные). По способу регистрации излучения Р. с. а. разделяют на спектрографы с фоторегистрацией (применяются в осн. в рентг. спектроско-

пии) и спектрометры с регистрацией детекторами рентг. квантов. По области спектра Р. с. а. делится на коротковолновую (с длгйной волны X ~ 0,1 -г- 2 А), длинноволновую (Я —• 2 ч- 20 А) и ультрадлинноволновую (А. ~ 204-100А) аппаратуру.

В днсперемонной Р. с. а. в ультрадлинноволновой области спектра излучение разлагают в спектр с помощью вогнутых дифракц. решёток скользящего падения (рис. 1). Разрешение спектрометров с дифракц. решёт-
Предыдущая << 1 .. 398 399 400 401 402 403 < 404 > 405 406 407 408 409 410 .. 818 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed