Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике - Петров М.П.
Скачать (прямая ссылка):
поверхность кристалла.
или ПРОМ. Действительно, в линейном приближении плотность заряда, индуцируемая в ФРК, р ос EW, где Е — внешнее поле, W —• экспозиция записывающим светом. Поэтому, сканируя поверхность кристалла пятном записывающего света постоянной интенсивности и изменяя напряжение на электродах U (t), в кристалле можно создать неоднородный электрический заряд
Р (х, у) ос WE(x, у), (8.12)
где Е (х, у) = U (х, y)/d, х и у соответствуют моменту времени t, в течение которого записывающий свет освещал данную точку кристалла. Записанное таким образом изображение может быть затем считано, как обычно в фоторефрактивных ПВМС, за счет поперечного (в ПРИЗе) или продольного (в ПРОМе) электрооптических эффектов.
На рис. 8.27 показаны конструкции модуляторов, которые позволяют производить одновременно запись нескольких электрических сигналов. В первом варианте модулятор представлял пластину кристалла BSO, с одной стороны которой нанесены электроды в виде прозрачных проводящих полосок, а с другой — один сплошной общий электрод. Количество одновременно записываемых электрических сигналов соответствует количеству полосковых электродов. Электроды создают в кристалле в основном продольное электрическое поле. Во втором варианте (рис. 8.27, б) напряжения записываемых сигналов прикладываются к паре полосковых электродов, расположенных на одной поверхности кристаллической пластины. Для экспериментальных образцов электроды изготавливались фотолитографическим способом с расстоянием между ними 125 мкм. Причем величина управляющих сигналов ограничивалась пробоем по воздуху и не превышала 200 В, что ограничивало дифракционную эффективность ПВМС. При записи все электроды одновременно сканировались узкой полосой записывающего света. Считывание осу-
202
ществлялось за счет поперечного электрооптического эффекта. Экспериментально на кристаллах BSO была осуществлена электрически управляемая запись в полосе частот от 2 до 200 Гц при скорости сканирования кристалла записывающим светом 10 мм/с. Граничные частоты определялись по критерию спада дифракционной эффективности ПВМС в 10 раз от ее максимального значения [8.92].
Литература к главе 8
8.1. Oliver D. S., V о h 1 P., А 1 d г i с h R. E. et al. Image storage and optical readout in ZnS device//AppI. Phys. Lett. 1970. Vol. 17, N 10. P. 416—418.
8.2. Oliver D. S., В u с h a n W. R. An optical image storage and processing device using electrooptic ZnS//IEEE Trans. 1971. Vol. ED-18, N 9. P. 769— 773.
8.3. H о u S. L., О 1 i v e r D. S. Pockels readout optical memory using Bi12SiO20// Appl. Phys. Lett. 1971. Vol. 18, N 8. P. 325—328.
8.4. Feinleib J., Oliver D. S. Reusable optical image storage and processing device//Appl. Opt. 1972. Vol. 11, N 12. P. 2752—2759.
8.5. Vohl P., N i senson P., Oliver D. S. Real time incoherent-to-cohe-rent optical converter//IEEE Trans. 1973. Vol. ED-20. P. 1032—1037.
8.6. Lipson S., Nisenson P. Imaging characteristics of the ITEK PROM// Appl. Opt. 1974. Vol. 13, N 9. P. 2052—2060.
8.7. Horwitz B. A., Corbett F. J. The PROM theory and applications for the Pockels readout optical modulator//Opt. Eng. 1978. Vol. 17, N 4. P. 353— 365.
8.8. Грехов Ю. Н.Дотляр П. E., H e ж e в e н к о Е.С. и др. Пространственно-временной модулятор света на монокристалле В112ОеО20//Письма в ЖТФ. 1976. Т. 2, вып. 10. С. 457—461.
8.9. Хоменко А. В., Ковалев Н. Н., Петров М. П. Оптическая запись информации в ПРОМ-структуре на основе Bi12SiO20//nncbMa в ЖТФ. 1976. Т. 2, вып. 23. С. 1095—1098.
8.10. Т a ngu ay A. R. Material requirements for optical processing and computing devices//Opt. Eng. 1985. Vol. 24, N 1. P. 2—18.
8.11. Бережной А.А..Гуревич В. 3.,Морозов С. В..Попов Ю. В. Запись оптической информации в кристаллах силиката висмута//Письма в ЖТФ. 1976. Т. 2, вып. 3. С. 198—200.
8.12. Minemoto Т., Suemoto Y.,Fujita S. Characteristic curve of reusable optical image recorder of transmistiontype using Bi12SiO20 single cry-stal//Jap. J. Appl. Phys. 1977. Vol. 16, N 9. P. 1683—1684.
8.13. Minemoto Т., Numata S., Miyamoto K- Optical parallel logic gate using light modulators with Pockels effect: applications to fundamental components for optical digital computing//Appl. Opt. 1986. Vol. 25, N 22. P. 4046—4052.
8.14. Abrahams S. C., Svensson C,, Tanguay A. R. Crystal chirality and optical rotation sence in isomorphous Bi12Si02o and Bi12GeO20//Sol. St. Commun. 1979. Vol. 30. P. 293—295.
8.15. Петров М. П., Хоменко А. В., Березкин В. И.., Красинь-к о в а М. В. Предельная разрешающая способность транспаранта на основе В!125Ю20//Микроэлектроника. 1979. Т. 8, вып. 1. С. 20—23.
8.16. Хоменко А. В., Петров М. П., Красинькова М. В. Дифракционная эффективность оптически управляемого транспаранта типа ПРОМ// Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5, вып. 6. С. 334—337.
8.17. Casasent D., Caimi F., Khomenko A. Test and evalution of the Soviet PROM and PRIZ spatial light modulators//Appl. Opt. 1981. Vol. 20, N 24. P. 4215—4220.
8.18. С a s a s e n t P. Performance evaluation of spatial light modulators//Appl. Opt. 1979. Vol. 14, N 14. P. 2445—2453.
