Теория поглощения и испускания света в полупроводниках - Грибковский В.П.
Скачать (прямая ссылка):
191. С. Benoit a la Guillaume, М. Voos. Luminescence line shape of free excitons in pure Ge. Solid State Commun., 12, 1257, 1973.
192. T. Nishino, M. Takeda, Y. Hamakawa. Analysis of derivative spectrum of indirect exciton absorption in silicon. Solid State Commun.,
12, 1137, 1973.
193. M. Cardona. Modulation Spectroscopy. New York—London, Academic Press, Solid State Phys. Suppl., 1969.
194. P. E. Холстед. Излучательная рекомбинация в области края полосы пвглощения. Сб. «Физика и химия соединений А2В6». М., «Мир», 1970, стр. 296.
195. J. J. Н о р f i е 1 d. The quantum chemistry of bound extion complexes. Phys. semiconduct. Paris, 1964, p. 725.
196. D. G. Thomas, M. G e r s h e n z о n, J. J. H о p f i e 1 d. Bound excitons in GaP. Phys. Rev., 131, 2397, 1963.
197. В. В. Соболев. Природа тонкой структуры линий краевого поглощения монокристаллов селенида и сульфида кадмия. Опт. и спектр.,
20, 673, 1966.
198. С. А. Москаленко, М. И. Ш м и г м о к. Об энергетическом спектре экситонов в кристаллах типа CdS. ФТТ, 6, 3534, 1964.
199. М. Борн, Хуан Кунь. Динамическая теория кристаллических решеток. М., ИЛ, 1956.
200. С. И. П е к а р. Добавочные световые волны в кристаллах и эксито-нах поглощения. УФН, 77, 309, 1962.
201. Е. Ф. Гросс, С. А. П р е м о г о р о в, В. В. Травников, А. В. Селькин. Светоэкситоны в кристаллах CdS. ФТТ, 13, 699, 1971.
202. W. С. Т a i t, R. L. W e i h e r. Contribution of scattering of polaritons by photons to absorption of light waves in II—VI crystals. Phys. Rev.,
166, 769, 1968.
203. E. Gross, S. Permogorov, V. Travnikov, A. Y. Selkin. Hot
426
exitons and exciton excitation spectra. J. Phys. Chem. Solids, 31, 2595,
1970.
204. E. Ф. Г p о с с, С. А. П e p м о г о p о в, В. В. Т р а в и и к о в, А. В. Селькин. Спектроскопическое проявление времени жизни свободных экситонов. ФТТ, 14, 1388, 1972.
205. Н. J. Stocker, Н. К о р 1 a n. Theory of oscillatory photoconductivity in semiconductors: Boltzmann-equation approach. Phys. Rev., 150, 619, 1966.
206. R. М. M a rit i n, С M. Varma. Cascade theory of inelastic scattering of light. Phys. Rev. Lett., 26, 1241, 1971.
207. Э. Л. Нолле. О рекомбинации через экситонные состояния в полупроводниках. ФТТ, 9, 122, 1967.
208. В. П. Грибковский, Г. П. Яблонский, П. Г. Лукашевич. Тушение экситонной фотолюминесценции теллурида цинка в электрическом поле. ФТП, 8, 2210, 1974.
209. Б. М. Ашкинадзе, С. М. Рцвкин, И. Д. Ярошецкий. Термическая и ударная ионизация экситонов в GaP при двухфотонном возбуждении. ФТП, 3, 535, 1969.
210. В. Л. Б р о у д е, И. И. Т а р т а к о в с к и й, В. Б. Тимофеев. Кинетика люминесценции свободных и связанных экситонов в кристаллах CdS. ФТТ, 14, 3531, 1972.
211. Э. Л. Нолле. Кинетика рекомбинации через экситонные состояния в полупроводниках. ФТП, 2, 1679, 1968.
212. Р. А. Б а л т р а м е ю н а с, Ю. Ю. В о й т к у с, Ю. К- В и щ а к а с. Фотопроводимость и люминесценция в монокристаллах селенистого кадмия при возбуждении двойными оптическими переходами. Литовский физический сб., 9, 515, 1969.
213. F. Urbach. The long-wavelength edge of photographic sensitivity and the electronic absorption of solids. Phys. Rev., 92, 1324, 1953.
214. Y. Toyzawa. Theory of line-shapes of the exoiton absorption bands. Prog. Theor. Phys., 20, 53, 1958.
215. Y. Toyzawa. A proposed model for the explanation of the Urbach rule. Prog. Theor. Phys., 22, 455, 1959.
216. Y. Toyzawa. The Urbach rule and the exciton-lattice interaction. Techn. Rept. ISSP, A, № 119, 68, 1964.
217. Ю. П. Гнатенко, В. М. Кур и к. Экситон-фононное взаимодействие в CdS. ФТТ, 12, 1143, 1370.
218. Ю. П. Гнатенко, М. В. Кури к. Экситон-фононное взаимодействие в кристаллах CdSe и CdS—CdSe. Опт. и спектр., 29, 339, 1970.
219. Ю. П. Гнатенко, М. В. Кури к. Экспериментальные закономерности правила Урбаха в полупроводниках АпВуп. ФТП, 5, 1347, 1971.
220. D. Dunn. Urbach’s rule in an electron-phonon model. Phys. Rev., 174, 855, 1968.
221. В. Л. Бонч-Бруевич. Квазиклассическая теория движения частиц в случайном поле. Сб. «Статистическая физика и квантовая теория поля». М., «Наука», 1973.
222. Е. Burnstein. Anomalous optical absorption limit in InSb. Phys. Rev., 93, 632, 1954.
223. T. S. Moss. The interpretation of the properties of indium antimonide. Proc. Phys. Soc., B67, 775, 1954.
224. J. I. Pankove, P. A i grain. Optical absorption of arsenic-doped degenerate germanium. Phys. Rev., 126, 956, 1962.
225. В. П. Грибковский, П. Я- Старостин. Об эффекте Бурнштей-на-Мосса в арсеииде галлия «-типа. Вестник БГ’У, сер. I, № 1, 61, 1975.
226. D. Е. Hill. Infrared transmission and fluorescence of doped gallium arsenide. Phys. Rev., 133, 866, 1964.
'227. A. S. Fil ipchenko, D. N. N a s 1 e d о v, L. N. R a d a i k i n a, I. I.
427
Rat пег. The Moss-Burstein Effect in re-type InSb Crystals doped with Selenium and Tellurium. Phys. Stat. Sol. (a), 14, 71, 1972.
228. W. К о h n. Shallow impurity in silicon and germanium. Solid State Phys., 5, 257, 1957.
229. Ю. В. Ill м a p ц e в, А. Д. Решенюк, E. М. К и с т о в а. Поглощение инфракрасного излучения в фосфиде галлия «-типа. IV. Фотоионизация доноров с переходом электронов в более высокую зону проводимости. ФТП, 4, 195, 1970.
