Тонколенточные солнечные элементы - Чопра К.
Скачать (прямая ссылка):
Предисловие редактора перевода .......................................... 5
Глава 1 Анализ свойств электронно-дырочных переходов и исследование характеристик полупроводниковых материалов ... 7
1.1 Введение...................................................7
1.2 Анализ свойств переходов...................................8
1.2.1 Анализ вольт-амперных. характеристик.......................8
1.2.2 Емкостные измерения........................................11
1.2.3 Емкостная спектроскопия глубоких уровней...................17
1.3 Исследование характеристик материалов......................21
1.3.1 Структурные характеристики.................................21
1.3.2 Анализ состава материалов..................................26
1.3.3 Оптические характеристики..................................31
1.3.4 Электрические и оптоэлектронные характеристики.............32
Глава 2 Методы осаждения тонких пленок...................................38
2.1 Введение...................................................38
2.2 Физическое осаждение из паровой фазы.......................39
2.2.1 Вакуумное испарение........................................39
2.2.2 Эпитаксиальное осаждение...................................47
2.2.3. Методы ионного распыления..................................51
2.3 Методы химического осаждения...............................58
2.3.1 Пульверизация с последующим пиролизом.....................58
2.3.2 Осаждеиие пленок из раствора . :......................69
2.3.3 Получение пленок методом трафаретной печати................82
2.3.4 Химическое осаждение из паровой фазы.....................91
2.3.5 Реакция замещения..........................................ИЗ
2.3.6 Электролитическое осаждение................................115
2.3.7 Анодирование...............................................124
2.3.8 Электрофорез...............................................126
2.4 Методы осаждения из жидкой фазы............................129
2.5 Другие методы осаждения....................................131
2.5.1 Кремний (Si) . : : :...................................131
2.5.2 Сульфид кадмия (CdS).......................................132
Глава 3 Физические свойства тонких пленок, применяемых в солнечных элементах.................................................. ... 134
3.1 Введение...................................................134
3.2 Полупроводниковые пленки...................................134
3.2.1 Кремний (Si) ..............................................134
438
Оглавление
3.2.2 Селенид кадмия (CdSe)........................................14$
3.2.3 Теллурид кадмия (CdTe).......................................150
3.2.4 Фосфид индия (InP).........................................153
3.2.5. Фосфид цинка (Zn3P2).......................................!5S
3.2.6 Арсенид галлия (GaAs).......................................157
3.2.7 Сульфид кадмия (CdS)........................................159
3.2.8 Селенид меди (Cu2Se)........................................175
3.2.9 Сульфид меди (Cu2S)..........................................175
3.2.10 Селенид меди и индия (CuInSe2)...............................182
3.3 Прозрачные проводящие оксиды.................................185
3.3.1 Оксид кадмия (CdO)...........................................195
3.3.2 Оксид олова (Sn02)...........................................195
3.3.3. Оксид индия (1п203).......................................... 198
3.3.4 Станнат кадмия (Cd2Sn04) ............................. 200
3.3.5 Оксид цинка (ZnO)............................................200
3.4 Кинетические явления в металлических пленках.................203
3.4.1 Электрические свойства . :................................205
3.4.2 Оптические свойства..........................................2iO
3.5 Диэлектрические пленки . .................................215
3.5.1 Электронные свойства.........................................215
3.5.2 Оптические свойства..........................................219
Глава 4 Солнечные элементы на основе сульфида меди . . . , 220
4.1 Введение.....................................................220
4.2 Методы изготовления...........................'..............222
4.2.1 Конструкции элементов........................................223
4.2.2 Элементы, получаемые вакуумным испарением....................224
4.2.3 Элементы, получаемые методом пульверизации с последующим пиролизом..............................................227
4.3 Физические модели............................................228
4.3.1 Микроструктура...............................................228
4.3.2 Анализ состава...............................................233
4.4 Фотоэлектрические характеристики.............................235
4.4.1 Вольт-амперные характеристики ...............................235
4.4.2 Спектральная чувствительность................................243
4.4.3 Диффузионная длина неосновных носителей заряда .... 245
4.4.4 Емкостные измерения..........................................247
