Тонколенточные солнечные элементы - Чопра К.
Скачать (прямая ссылка):
Литература
401
85 Фофанов Г. М., Китаев Г. А. Анализ условий осаждения селенидов металлов из водных растворов селеносульфатом натрия. — Журнал неорганической химии, 1969, т. 14, № 3, с. 616 — 620,
'86 Китаев Г. А., Терехова Т. С. Анализ условий осаждения селенида кадмия из водных растворов селеносульфатом натрия. — Журнал неорганической химии, 1970, т. 15, № 1, с. 48-51.
87 Китаев Г. А., Соколова Т. П. Химическое осаждение тонких пленок селенида цинка. — Журнал неорганической химии, 1970, т. 15, № 2, с. 319 — 323.
88 N.C. Sharma, D.K. Pandya, Н.К. Sehgal and K.L. Chopra, Mater. Res. Bull., 11, 1109
(1976).
89 N.C. Sharma, R.C. Kainthla, D.K. Pandya and K.L. Chopra, Thin Solid Films, 60, 55 (1979).
90 R.C. Kainthla, D.K. Pandya and K.L. Chopra, J. Electrochem. Soc., 127, 77 (1980).
91 I. Kaur, D.K. Pandya and K.L. Chopra, J. Electrochem. Soc., 127, 943 (198C).
92 R.J. Cashman, J. Opt. Soc. Am., 36, 356 (1946).
93 D.O. Skovlin and R.A. Zingaro, J. Electrochem. Soc., Ill, 42 (1964).
Китаев Г. А., Щербаков В. Я., Двойнин В. И. и др. Изучение состава и строения пленок сульфида кадмия, полученных химическим осаждением из раствора. - Журнал прикладной химии, 1978, т. 51, № 1, с. 18 - 22.
95 R.C. Kainthla, Ph.D. Thesis, Indian Institute of Technology, Delhi (1980).
96 N.C. Sharma, D.K. Pandya, H.K. Sehgal and K.L. Chopra, Thin Solid Films, 42, 383
(1977).
97 I. Kaur, Ph.D. Thesis, Indian Institute of Technology, New Delhi (1981).
98 N.C. Sharma, Ph.D. Thesis, Indian Institute of Technology, New Delhi (1978).
99 N.C. Sharma, D.K. Pandya, H.K. Sehgal and K.L. Chopra, Thin Solid Films, 59, 157
(1979).
100 A. Vecht, Physics of Thin Films, Vol. 3 (Eds., G. Has^ and R.E. Thun), Academic Press, New York (19?6), p. 165. [Имеется перевод: Вехт А. Методы активации и
рекристаллизации пленок соединений . A* . - Физика тонких пленок.
Т. 3: Пер. с англ./Под ред. В. Б. Сандомирскаго. М., Мир, 1968, с. 173 — 224.
101 S. Vojdani, A. Sharifnai and М. Doroudian, Electron. Lett., 9, 128 (1973).
102 N. Croritoru and S. Jakobson, Thin Solid Films, 56, L5 (1979).
103 N. Nakayama, H. Matsumoto, K. Yamaguchi, S. Ikegami and Y. Hioki, Jpn. J. Appl. Phys., 15, 2281 (1976).
104 N. Nakayama, H. Matsumoto, A. Nakano, S. Ikegami, H. Uda and T. Yamashita, Jpn. J. Appl. Phys., 19, 703 (1980).
105 D.W. Hamer and J.V. Biggers, Thick Film Hybrid Microcircuit Technology, Wiley-Interscience, New York (1972).
106 J.W. Mellor, A Comprehensive Treatise on Inorganic and Theoretical Chemistry, Vol. 6, Longmans-Green, New York (1957)^
107 C.F. Powell, J.H. Oxley and J.M. Biocher, Jr., (Eds.), Vapor Deposition, Wiley, New York (1966).
[Имеется перевод: Осаждение из газовой фазы: Пер. с англ. — М.: Атомйздат, 1970. — 471 с.]
108 W.M. Feist, S.R. Stiele and D.W. Readey, Physics of Thin Films, Vol. 5 (Eds., G. Hass and R.E. Thun), Academic Press, New York (1969), pp. 237-322. Also references therein.
402
Литература
[Имеется перевод: Фейст У. М., Стил С. Р., Риди Д. У.
Получение пленок химическим осаждением из паровой фазы. — Физика тонких пленок. Т. 5: Пер с анг^./Под ред. В. Б. Сандомирского, А. Г. Ждана.
М., Мир, 1972, с. 245 -341.]
Ю9 R.W. Christy, J. Appl. Phys., 31, 1680 (1960).
ПО E.S. Wajda, B.W. Kippenham and W.H. White, IBM J. Res. Develop., 4, 288 (1960).
111 J.A. Amick, E.A. Roth and H. Gossenberger, RCA Rev., 24, 473 (1963).
112 G.A. Long and T. Stavish, RCA Rev., 24, 488 (1963).
113 M.V. Sullivan and G.H. Kolb, J.'Electrochem. Soc., 115, 62C (1968).
114 W. Kern and V.S. Ban, Thin Film Processes (Eds., J.C. Vossen and W. Kern), Academic Press, New York (1978), p. 257. Also references therein.
115 T.L. Chu and K.N. Singh, Solid-State Electronics, 19, 837 (1976).
116 G. Eriksson, Acta Chem. Scand., 25, 2651 (1971).
117 V.S. Ban and S.L. Gilbert, J. Cryst. Growth, 31, 284 (1975).
118 F.C. Eversteijri, Philips Res. Rep., 29, 45 (1974).
119 r.R. Lever, IBM J. Res. Develop., 8, 460 (1964).
120 V.S. Ban,'A.F. Gossenberger and J.J. Tietjen, J. Appl. Phys., 43, 2471 (1972).
121 D.W. Shaw; J. Crystal Growth, 31, 130 (1975).
122 W. Kern and R.S. Rossler, J. Vac. Sci. Technol., 14, 1082 (1977).
123 J.D. Filby, S. Nielsen and G.J. Rich, The Use of Thin Films in Physical Investigations (Ed., J.C. Anderson), Academic Press, New York (1966), p. 233.
124 J.H. Oxley, Vapor Deposition (Eds., C.F. Powell, J.H. Oxley and J.M. Blocher, Jr.) Wiley, New York (1966), p. 493.
[Имеется перевод: Оксли Дж. Теоретические основы процесса переноса. — Осаждение из газовой фазы: Пер. с англ. М., Атом--издат, 1970, с. 95 — 115.]
125 Е. Sirtl, J. Phys. Chem. Sol., 24, 1285 (1967).
126 F.H. Nicoll, J. Electrochem. Soc., 110, 1165 (1962).
127 F. Bailly, G. Cohen-Solal and Mimila-Arroyo, J. Electrochem. Soc., 126, 1604 (1979).
128 j.g. May, J. Electrochem. Soc., 112, 710 (1965).
129 B.J. Curtis and H. Brunner, J. Cryst. Growth, 6, 269 (1970).
130 J. Saraie, M. Akiyama and T. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys., 11, 1758 (1972).
131 G.E. Gottlich and F. Coro, RCA Rev., 24, 585 (1963).
