Физика полупроводников - Бонч-Бруевич В.Л.
Скачать (прямая ссылка):
sn, sp—скорость поверхностной рекомбинации электронов, дырок.
TD — температура Дебая.
Те — электронная температура. и — электрическое напряжение; деформация. и\xv — компоненты тензора деформации.
U (г) — потенциальная энергия электрона в идеальной кристаллической решетке двух атомов.
V — потенциальная энергия колеблющейся решетки; фундаментальный (основной) объем.
Va — объем элементарной ячейки; электродвижущая сила.
\d — дрейфовая скорость носителя заряда.
v (р, I) — скорость носителя заряда с квазиимпульсом р в /-той зоне.
vr—тепловая скорость.
vs — фазовая скорость звуковых волн.
Ys = ефJkT — безразмерный поверхностный потенциал.
672
ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
а — дифференциальная термоэдс; коэффициент рекомбинации зона — зона; коэффициент усиления тока в биполярном диффузионном транзисторе в схеме с общей базой.
«я. ар — коэффициент захвата электрона, дырки на локальные уровни.
Р — магнетон Бора; коэффициент передачи неосновных носителей в транзисторах и фотоэлементах; коэффициент в формуле зависимости подвижности от напряженности поля; пьезоэлектрический модуль.
Ра, nv — компоненты тензора пьезоэлектрических модулей. у — коэффициент поглощения света или звука; холл-фактор; магнитная длина. Д — энергия спин-орбитального расщепления валентной зоны в центре зоны Бриллюэна.
AG — поверхностная проводимость.
8=6!+ ге2 — диэлектрическая проницаемость решетки (sb s2 — вещественные числа).
?, = F — Ес (г) — химический потенциал для электронов.
?* = Z,/kT — безразмерный химический потенциал для электронов.
?л (Ч. s) — вектор, указывающий направление смещения /г-ro атома решетки при нормальном колебании ветви s с квазиволновым вектором q.
г] = Ev (г) — F — химический потенциал для дырок; кпд; степень неупру-гости рассеяния.
г) * = r\lkT — безразмерный химический потенциал для дырок.
X — длина волны де Бройля; совокупность квантовых чисел, характеризующих стационарные состояния носителей заряда.
¦Аар,nv — компоненты тензора модулей упругости.
Ил \р> — дрейфовая подвижность электронов (дырок).
v (?) — плотность поверхностных уровней на единичный интервал энергии, v (со) — квантовый выход внутреннего фотоэффекта.
р — удельное сопротивление; объемная плотность электрического заряда; плотность кристалла.
р (йсо) — среднее число фононов в единице объема и в единичном интервале энергии, содержащем энергию Йсо.
а — удельная электропроводность.
а (со) = cTj -j- ia2 — комплексная электропроводность на частоте со (с^, а2 —¦ вещественные числа).
а — спиновый вектор Паули; компоненты его суть матрицы Паули ах, ау, аг. % (Е) — время релаксации импульса.
= е/4яа — максвелловское время релаксации.
Тр = (т (?)) — среднее время релаксации импульса (время свободного пробега).
те — среднее время релаксации энергии, т — время жизни электронно-дырочных пар.
тп 1р, —среднее время жизни избыточных (неравновесных) электронов (дырок). т5 — время жизни неравновесных носителей заряда, обусловленное поверхностной рекомбинацией.
ср — электрический потенциал; угол Холла.
Фп — интеграл Ферми — Дирака с индексом п.
Ф — термоэлектронная работа' выхода; волновая функция колеблющейся решетки.
¦ф (г) — одноэлектронная волновая функция.
X (г) — сглаженная волновая функция в методе эффективной массы.
% — электронное сродство полупроводника.
Нlit)—константа акустического потенциала деформации для продольных (поперечных) фононов.
Е0Пт — константа оптического потенциала деформации.
со — круговая частота электромагнитной или звуковой волны.
сос — циклотронная частота.
<°о — предельная частота оптического фонона.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие......................................................... 10
Глава I
НЕКОТОРЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
§ 1. Кинетические явления в полупроводниках......................... 13
а. Электропроводность (13). б. Эффект Холла (15). в. Изменение сопротивления в магнитном поле (17). г. Термоэдс (18). д. Эффект Томсона (19). е. Эффект Пельтье (20). ж. Эффект Нернста —Эттингсгаузена (21). з. Эффект Риги—Ледюка (22). и. Продольные термомагнитные эффекты (23).
§ 2. Время релаксации .............................................. 23
§ 3. Элементарная теория гальваномагнитных явлений.................. 25
а. Тензор электропроводности в магнитном поле (25). б. Угол Холла и постоянная Холла (28). в. Магнетосопротивление (30).
§ 4. Смешанная проводимость......................................... 32
а. Эффект Холла (32). б. Магнетосопротивление (35).
§ 5. Некоторые экспериментальные результаты......................... 35
а. Электронная и дырочная проводимость (35). б. Собственная и примесная проводимость (36). в. Запрещенная энергетическая зона (40). г. Удельная электропроводность (42). д. Подвижности (43). е. Собственная концентрация электронов (45). ж. Магнетосопротивление (47).
