Физические величины - Бабичев А.Н.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка):
CrsO3 Геке., D63d 0,4954 (а); 0,13584 (с) [242] 1,59—1,63 [2421 —
CrTe2 — - 0,17 [16] 12 (fxn) (70)
MoS2 Геке., Dlh 0,315 (а); 0,1230 (с) [1] 1,2 [10] 200 - 300 ([Xp) [249]
TeO2 Тетр., Dl4h 0,479 (а); 0,377 (с) [1] 1,5 [10] -
535 Таблица 22.27. Электрофизические свойства сплавов SejrTe1^ [293]
Кристаллическая структура («п«Р)1/3 !Sl (||С)' Hp (IIO.
Система Ь. с. нм р, г/см3 смг/(В-0 см2/(В-с)
Триг. х = 0 — 1; 0,446—0,438 (а) 0,593—0,492 (с) 6,2(х=0,05) 5,01 (JC=O, 9) 0,36 (X=O1OlG) 0,2 (jt:=0,55) 0,4 (jc=0,85) 0,17 (х=0,05) 0.22 (jc=0,1) IO14-IOle(X=O-Hl) 10000(JC=0,1) 1000(jc=0,l) 350 (jc=0,2) 17 (jc=0,5) 48 (х=0,8)
а,}
о ' А ) о к?
у о о
\о оЧ
0,Z5 0,50 0,75
Рис. 22.233. Зависимость ширины запрещенной зоны Ee з Sex Te1-X от х [111]:
/ — собственная проводимость; 2 — фотопроводимость; 3 — температурная зависимость проводимости
О OtZS .0,50 0,75
Рис. 22.234. Зависимс SejtTei-* от х из данных и подвижности дыр определенны! А —' по магнетосопрот
І п j
t Чо
У\о
о
в Se* азлич
о О,ZS О,SO 0,75 X
концентрации дырок в змерению термо-ЭДС [87] (а) Геі-х от X при Г = 300 К (о), ими методами [111]: 3 — по термо-ЭДС; Q — по эф-Холла
Рис. 22.235. Температурная зависимость подвижности дырок в Sejt Tej-X в направлении оси с при различных значениях X (из данных по измерению магнетосопро-тивления) [87]
22.3.7. Соединения типа ЛУПВШ— Avll-Bv1
Известны полупроводниковые соединения MnAl3 типа /jvii?in (?g=0,45 ч-0,58эВ, Цп > 200 см2/(В-с), рр~, ~200 см2/(В-с) [242]) и ReSi2 типа /IvilSn (Eg= =0,13 эВ [16]) и MnSi, кристаллизующееся в кубической решетке (й=0,456 нм, ??,=0,5+0,6 эВ, fv =IO-H 40 см2/ /(В-с) [242]).
536 Таблица 22.28. Полупроводниковые соединения ?VI [288]
Соединение Кристаллическая структура р, г/см8 Гпл, К TD , К TN > К Egj эВ
Система я, г. HM
MnS Куб. 0,522 3,83 1S90 150
MnSe То же 0,545 5,35 1780 360 150 0,7
MnTe*2 Геке. 0,415 (а); 0,671 (с) _ 1470 160 310 1.3
MnS2 Куб., T6 0,610 — 677 _ 48
MnSe2 То же 0,643 — 863 _ 75 0,15
MnTe2 То же 0,695 — 1010 — 84 0,01—0,04
МпО" Ромб. 0,927 (а); 0,287 (6); — _ _ 92 0,13—0,19
0,453 (с)
Все соединения, приведенные в табл. 22.:
- антиферромагнетики, T — температура Нееля.
/т. -0,25 (_L с) и 0,47; ^ 1 см*/(В-с) [106]. 1,2 cmV(B c) [242].
22.3.8. Соединения типа Av ni?v_/4vin?vi
Соединения типа ^viiiBv изучены слабо. Зона проводимости PtSb2 — восемь эллипсоидов вращения, боль-
шие оси которых направлены вдоль [111]. Валентная зона — шесть эллипсоидов вращения, расположенных вдоль осей [100] [41]. Энергия прямого перехода Ed=0,4 эВ, Eg соответствует непрямому переходу [175],
Таблица 22.29. Полупроводниковые соединения .4VI11 Bv
Кристаллическая структура
njme
CoSb2 CoSb3 PtSbj
Орторомб. Куб., Tl Куб., T6b
0,321 (а); 0,578 IiЬ); 0,642 (с) [1] 0,9034 [242] 0,9936 [242] 0,643 [1]
1131 [249] 1503 [41]
0,2 [16] 0,5 [16. 2491
0,08 [41] 0,1 [288]
0,42—0,54 [41] 1,4 [41]
уЗ/2
0,57-0,72 (md) [41] 0,168(.-H11) [175] 0,098(шх1) [1751 0,06 (шх2) [175]
300 [16]
3,26-ю6: [288]
ехр (0,11 эВ/2 кТ)
Таблица 22.30. Полупроводниковые соединения А
Кристаллическая структура
Соединение Система, группа а, Ь. с, нм гпл, К зв Ilrlj CMV(B-C)
Fe2O3 Ромбоэдр. 0,5427 [242] 1500 [242] 1838 [16] 1,6 [16] 2,2 [242] -
FeS2 Куб., Tl 0,5405 [242] 962 [249] 1,25 [16] 200 [16]
FeS2 Ромб., Dyl 0,358 (а); 0,479 (Ь)\ 0,572 (с) [11 1183*1 [16] 0,95 [16] —
FeTe2 То же 0,385 (а); 0,534 (Ь); 0,626 (с) [1] 1015*1 [16] 0,46 [16] 1 [511
NiO*2 Куб., Ol 0,418 [1] 3170 [42] 3,7*3 [95] 0,2 [25] 0,1 [95]
Соответствуем не ширине запрещенной :
электронному переходу 3d -»• 4s. ширина запрещенной зоны значительно больше.
537 СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Landoit-Bornstein. Zahlenwerte und Funktionen aus Physik, Chemie, Astronomie, Geophysik, Technik. Berlin: J. Springer. 1955. Bd. 1, S. 4.
2. Wickoff R. W. G. Crystall Structures N. Y.: Inter-sci. Publ. 1953.
3. Харциев В. Е.//Физика твердого тела. 1662. Т. 4. С. 433—436.
4. Horn F. H.//Boron/Ed.: Kohn J. A., Nye W. F., Ganle С. K-, N. Y. Plenum Press. 1960. Vol. 1. P. Hille.
5. Голикова О. А., Соловьев H. E., Угай Я. А., Фей-гельман В. А-//Физ. и техн. полупроводников. 1979. Т. 13.
С. 825—827.
6. Golikova О. A.//J. Less-Common Met. 1982. Vol. 82. P. 362—366.
7. Голикова О. А., Жубанов М. Ж., Климашин Г. H.//
Физ. и техн. полупроводников. 1968. Т. 2. С. 548—551.
8. AsanabSe S.//J. Phys. Soc. Jap. 1960. Vol. 15. P. 989—995.
9. Harbeke G., Tosatti E.//Proc. 12 Intern. Conf. Phys. Sem. Stuttgart 1974. P. 626—629.
10. Бьюб P. Фотопроводимость твердых тел: Пер. с англ. M.: Изд-во иностр. лит. 1962.
11. Смит Р. Полупроводники: Пер. с англ. M.: Изд-во иностр. лит. 1962.
12. Ybuki I.//J. Phys. Soc. Jap. 1955. Vol. 10. P. 549-
563.
13. Drabble G.//J. Phys. Soc. 1956. Vol. B69. P. 1101—1140. 1958. Vol. B72. P. 380—387.
14. Golikova 0. A., Subanov M. Z.//Boron/Ed. Nie-myski T. Warsaw. Pol. Sei. Publ. 1970. Vol. 3. P. 269—273.
