Физические величины - Бабичев А.Н.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка):
CuBr Куб. ,7* 0,568 [1] 4,72 [121] 750 [290] 2,9 [16] 3,08 [290] 30[16] - 0,28 [290] 1,4 8,6 4,06 163
T-CuI Куб., O5h 0,604 [290] 6,67 [290] 642 (ї+?) 681 875 [290] 3,1 [238] 0,33 [290] 1,4 2,4 6,5 4,6 165
AgCl То же 0,555 [290] 5,56 [216] 728 [216] 3.0 [242] 4.1 [11] 70 (200 К) 45 000 [109] (12 К) 240 [10] 4000 1123] 600 000 [82] (1.7 К) 40 (200 К) [Н] 2 [290] 30 000 (4,2 К) 0,30 [290] 0,36[109] — 11,1 3,9 161
AgBr 0,577 [1J 6,47 [216] 703 [216] 2,0 [78] 0,29 (291) — 12,4 4,6 120
AgI Куб., T2 0,647 [1] 5,67 [121] 825 [121] 2,8 [10] 50 [16] — — — 7,0 4,1 114
Таблица 22.9. Полупроводниковые соединения A11Biv
Соединение Кристаллическая структура, а нм [123] р, г/см» [123] Гпп, К [123] Eg. эВ [293] OEg/dT. 10-«эВ/К TD. К [293]
Mg2Si* 0,634 1,95 1375 0,78 (OK) —6,4 [131] 450
Mg2Ge* 0,639 [293] 3,086 1388 0,57 [67] -1,8 [67] 363
Mg2Sn* 0,676 3,592 1051 0,23 0,36 (OK) —3,5 [293] 240
Mg2Pb* 0,686 [293] 5,54 [293] 828 [293] 0,15 — 244
475 Продолжение табл. 21.7 |
Соединение тп/т<1 тР,т° Hn. см2/(В • с) 11P-см!/(В - с) Eo "і-CM-» [293]
Aig2Si 0,46 (та) [75] 0,87 [10] 2,0 [288] 550 [293] 70 [123] 18,8 [293] 13,3 [293] IO14
Mg2Ge 0,18 (та) [55] 0,31 [10] 530 F293] 4335 "(77 К) 320 (Т~2'2) [123] 110 1180 (77 К) [293] 21,7 [293] 13,9 [293] 2-Ю14
Mg2Sn 0,8 (Шц ) [133] 1,28 110] 260 [123] сг-2,2, 23,75 [219] 15,5 [219] 2,7-IO17
0,3 (mj [133]
1,17 (md) [293]
Mg2Pb [293] 11 SS OO 12 000 (4,2К) 14 000 -
* куб., о%.
Таблица 22.10. Полупроводниковые соединения AuBv [293]
Кристаллическая структура dE JdT, 10-1 эВ/К
Соединение Система, группа a. b. c. HM p, г/см" jW k V3B
Mg3As2 Куб. 1,233 - 1073 2,6 —9
Mg3Sb2 Триг., Dld 0.454(c); 0.723(c) [1] 4,09 [123] 1500 [123] 0,82 [151] -
O=-Zn3P2 Тетр., D\ 0,508(0): 1.859 (c) 3,54 1258 1313 [288] 2,18 2,0 [288] —5,5
P-ZnP2 Моноклии., гь 4? 0,885(0); 0,729(6); 0.756(c) 3,55 1265 1,37 -
Zn3P2 Тетр., DxI 0,81 (a); 1,145 (c) [2] 4,54 [16] 1466 1,15 [10] -
ZnAs2 Моноклин., cIh 0,921 (o); 0,764(6); 0,798 (c); p = 10228' 4,94 1041 [133] 0,92 [16] -
Zn3As2 Тетр., D1iI 1.178(a); 2.364(c) 5,58 [123] 1288 1,0 (OK) -4,55
ZnSb Орторомб., г) 15 2ft 0.622(a); 0,774(6); 0.812(c); [П7] 6,38 [117] 819 [117] 0,5; 0,61 (4,2 K) [103] -
P-Zn4Sb3 Мсноклин., С 1,074(0); 1,22(6); 0.820(c) 6,81 836 1,2 [16] -
CdP4 Моноклии., C2h 0.527 (a): 0,519(6); 0.766(c); p = 80°32' 2,04 3,90 [288] - 1,0 [111] —(2,7—3,7)
P-CdP2 Тетр., D14I 0,529(0); 1,974 (c) 4,19 1057 2,02 -8,6
Cd3P2 Тетрагон., D15 4ft 1.256(a); 2.544(c) 5,60 [123] 970 [123] 1015 [288] 0,55 [54| -1,8
CdAs2 Тетрагон., D\° 0.795(c); 0.468 (c) 5,88 5,64 [288] 894 [133] 1,13 [16] 1,0 [15] -
O-Cd3As2 Тетрагон., Г12 4v 1.265(a); 2.544(c) 6,25 [123] 994 [133] 0.12 (OK) —3,3
CdSb Орторомб., П15 u2h 0.647(c); 0.824(6); 0.853(c) [117] 0.815(a); 0.816(6); 1.196(c) 6,92 [117] 729 [133] 0,56 [117] —5,4 1117]
P-Cd4Sb3 Моноклин., Г)13 2ft — 703 1,25 [16] —5,4 [288) —3,6
476 Продолжение табл. 21.7 |
465 [288] 288 [288]
320
369 (160 К)
234
284 (55 К) 290
275(120 К) 225
(80 К) [117]
251
235 (55 К)
233 (55 К)
3,1 (md)
0,35 [28{ 1,7 [16]
0,175 (т,|) [117]
0,146(тх)
0,16 [288]
0,09 [77] 0,05 [188] &71 = 2,15 0,15 (тц ) [133] 0,58 (тх) 0,37 (md)
2,45 [288] 0,65 [16] 0,53 [18] 0,12
0,5
0,094 (т,,) [133] 0,346 (Ui1) 0,22 (md)
1800 3,5
10 ¦ (Г/300)-1*1
[135] 800 (100 К)
330
150 [111]
3000 (Г""1'1) [54] 5-Ю4 (4,2 К)
100—400 [133]
V
смг/іВ ¦ с)
100 (~7^-3'2)[10] 20 [288]
1000 (77 К) [288] 100 [288] 20 100
I7 (~Т~1-64) [16] 700(~Т~3/2) [50]
600 [288]
400 [133]
Соединение Td, К mJm• тр/т„ Hn. см2/(В • о см7(в • с) S0
е-Cd3ASj6 258 [288] 0,046 (та); 0.12 2,6 • Ю4; 430 [16] 42 16
?„=174-30,2 [52] 2,8-IO4 (4,2 К)
CdSb 180(80 К) 0,72 0,34—0,4 660 2000[117] 16,4 _
[ИТ] 1,07 (~Г- 3/2)
P-Cd4Sb3 — 0,1—0.2 [288] 0.35 [288] 1000 [288] 110 — _
900 [288]
і Анизотропия сопротивления Pfl S Pft : | 1 K1 = 3.56 - 10" см-". ' п, — 10« см-3.
= 14 * 17-11,5 -5- 13,8.
Таблица 22.11. Параметры валентной зоны соединений типа AuB [138,
Соединение ASO' ЭВ Acr, эВ E1. эВ E2, эВ Соединение Aso, ЭВ Дсг, эВ E1, эВ Et, эВ
Сфалерит Вюрцит
ZnS 0,06—0,07 _ _ _ ZnO _ _ 0,007 [159] 0,052 [159]
ZnSe ZnTe CdTe HgSe HgTe 0,43 0,9—0,96 0,8—0,9 0,40—0,45 0,94—1,1 !Iill — ZnS CdS CdSe 0,092 0,065 0,42 0,055 0,027 0,041 0,029 0,015 0,078 0,117 0,025 0,433
477 Таблица 22.13. Полупроводниковые соединения Л11^v 11 [293]
Кристаллическая структура dEg/dT, IO-1 эВ/ К
Соедішение Система, группа р, г/см3 гпл. К Er ЭВ
ZnO Геке. Cl Вюрцит*1, 0,325 (а); 0,591 (с) [290] 5,60 [121] 5,66 [123] 2248 [123] 3,35 [144] 3,43 [66] —8 [144]
ZnS Куб., T2d Сфалерит*2, 0,541 (с)[138] 4,10 [140] 2103 [236] 3,54*з [J23] 3,6 [114] 3,67(ш) [138] 3,91 (W) [123] —5,3*3 [1141 —3,8 (BD)
ZnSe То же Сфалерит, 0,5668(а) [138] 5,42 [121] 1788 [123] 2.7 [114] 2.8 [138] 2,1 [47] 2,34 [142] -4,5 [289]
