Физика твердого тела - Ашкрофт Н.
Скачать (прямая ссылка):
— концентрация носителей II 197, 198 сопротивление TT 185—188
га-типа II 199
р-типа II 199
уровень Ферми TT 195 (с)
фотопроводимость II 186
химический потенциал IT 195, 197 —199
--и энергия Ферми I 149 (с), IT 195 (с)
циклотронный резонапс II 193, 194. 208
электрохимический потенциал II 213, 214 Поляризация колебаний решетки II 67
в решетке с базисом TI 372—374
и рассеяние нейтронов TT 104 (с), 385
и симметрия решетки TI 77
продольная и попрпечная'*ТТ 70 Поляризуемость TT 166 — 176
атома водорода TT 182
атомная II 166—168
атомов тшертиых газов TT 168
и диэлектрическая пропицаемость (соотношение Клаузиуса — Моссотти) II 166
попов галогепов TI 168 ионов щелочных металлов TT 168 ковалептных кристаллов TT 177 —179 модель деформируемых ионов TI 169, 173 связи II 177
406
Предметный указатель
смещения II 106, 168—170
См. также Диэлектрическая проницаемость Поляризуемость Поляритон II 174 Полярные кристаллы II 170 (с) Полярные полупроводники II 180 Поляроны II '243, 244
Порошковый метод (метод Дебая — Шеррора)
I 111-113
— — построение Эвальда для него I 112 Постоянная Больцмана I 38
— — точное численное значение I 371 Постоянная Маделунга II 35, 36 Постоянная решетки I 85
гексагональной плотноупаковапной структуры I 89
о. ц. к. и г. ц. к. моноатомной решетки Бравэ I 82
ромбических кристаллов I 135
ромбоэдрических (тригональных) кристаллов I 135
структуры алмаза I 88
хлорида натрия I 92
хлорида цезия I 92
цинковой обманки I 93
тетрагональных кристаллов I 135 Построение Эвальда I 109
в методе вращающегося кристалла I 112
в методе Лауэ I 111
в порошковом методе I 112 Потенциал Борна — Майера II 39 Потенциал «6—12» Леннарда-Джонса TI 28— 30
— — — параметры для ипертных газов
II 29
Потенциал решетки см. Периодический потенциал
Потенциал ГОкавы I 341
Правила Хунда II 265—268
в применении к ионам переходных металлов II 274
— — к рвдкоземольпым ионам II 273 формула II 283
Правило Колера I 263 Правило Матиссепа I 323, 324 Предел Казимира II 133 (с) Предположение о локальности I 32, 278, 390
Приближение времени релаксации (т-пртт-ближение) I 21, 246, 247
для общей неравновесной функции распределения I 247—251
и законы сохранения I 327
и локальное сохранение заряда Т 261
и правило Матиссена I 323, 324
критика I 313—328
применимость для изотропного упругого рассеяния на примесях и закон Видо-мапа— Фраттца Т 322, 323
сравнение с более общей формулировкой I 318
См. также Столкновения; Уравнение Больцмана
Приближение Гайтлера — Лондона II 293, 304, 305
в модели Хаббарда для молекулы водорода II 305, 306 пределы применимости II 293 формула для величины обменного расщепления в молекуле водорода II 294 Приближение жестких ионов II 168
— — — недостатки II 169, 173 Приближение малой амплитуды колебаний
II 50, 115
Приближение независимых электронов I 21, 73, 139, 195 недостаточность в магнитных задачах II 287, 288, 290-294
— в редкоземельных металлах I 309
— в сверхпроводниках II 340
— в электронном газе низкой плотности II
299
— для частично заполненных зон в рамках
метода сильной связи I 191 и приближение свободных электронов I
21, 73 обоснование I 344
учет электрон-электронного взаимодействия I 329—337.
См. также Теория ферми-жидкости; Уравнения Хартри — Фока; Электрон-электронное взаимодействие Приближение почти свободных электронов I 157-179
аналогия в теории колебаний решетки I 77 (с)
в одномерном случае I 161 геометрический структурный фактор Т 173—178
зпачения энергии вблизи одной брэггов-ской плоскости I 162—165, 175—178
— — вдали от брэгговских плоскостей I
160
зоны р-тнпа и s-типа I 161
иллюстрация на примере некоторых металлов, I 283—306
п порог межзонных оптических переходов в алюминии II 302—304
— — — — — п щелочных металлах I
294, 295
и спин-орбитпльное взатшодейстнтТе~Т~г7-5 номер зоны I 158
соотношение с методом псевдопотенциала
I 211-213 сравпение с обычной теорией возмущений
Т 159 (с)
теория поверхностных уровней I 366—369 уровни в гранепентрированной кубической
решетке I 167 уровни в схемах расширенных, приведенных и повторяющихся зон I 164, 165 Приближение самосогласованного поля (приближение Хартри) см. Периодический потенциал Приближение свободных электронов I 21, 72, 73
в двумерном случае I 67 вигнеровский кристалл II 299
Предметный указатель
407
волна спиновой плотноети II 299 диамагнетизм II 280, 281 диэлектрическая проницаемость I 33, 338— 343
и взаимодействие между электронами I
329—352 и когезия в металлах II 40—44 и приближение независимых электронов I
21, 73
и щелочные металлы I 284—287 и экранирование I 337—344 квантование уровней в магнитном поле I
270, 271, 281 корреляционная энергия I 336 модель Друде I 17—42 модель Зоммерфельда I 43—69 модуль всестороннего сжатия I 52, 53 недостатки I 70—72 обменная энергия I 334 парамагнетизм I 277—280
— в невырожденном случае I 284 основное состояние, свойства I 45—53 основные формулы I 371, 372 плотность электронов проводимости I 19,
20, 72
