Теория экситонов - Агранович В.М.
Скачать (прямая ссылка):
ГЛАВА IV
ТЕНЗОР ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ КРИСТАЛЛОВ В ЭКСИТОННОЙ
ОБЛАСТИ СПЕКТРА И ФОРМА ЭКСИТОННЫХ ПОЛОС ПОГЛОЩЕНИЯ
§ 1. Методы расчета тензора диэлектрической проницаемости ....
136 § 2. Вычисление тензора диэлектрической проницаемости для
экситонной области спектра 142
§ 3. Комплексный поперечный тензор диэлектрической
проницаемости
и дисперсия электромагнитных волн в кристалле 145
§ 4. Теория формы линий экситонного поглощения и правило
Урбаха . 152
ГЛАВА V
ТЕОРИЯ НЕЛИНЕЙНЫХ ОПТИЧЕСКИХ ЭФФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ ДЛЯ
ЭКСИТОННОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА
§ 1. Методы теоретического изучения нелинейных оптических эф-
фектов 172
§ 2. Оператор энергии кубического энгармонизма в молекулярных
кристаллах 177
§ 3. Вероятности нелинейных оптических процессов третьего
порядка.
Правила отбора. Роль конечности размеров кристалла 185
§ 4. Расчет тензора нелинейной поляризуемости кристалла для
экситонной области спектра 194
ГЛАВА VI
ТЕОРИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ состояний В МОЛЕКУЛЯРНЫХ
КРИСТАЛЛАХ
§ 1. Введение 202
§ 2. Основные соотношения. Смешивание молекулярных
конфигураций
в примесной молекуле 204
§ 3. Локальные состояния в окрестности вакансий и молекул
примеси.
Роль резонансного взаимодействия между примесью и молекулами
основного вещества 207
§ 4. Поляризация примесного поглощения в молекулярных
кристаллах 212 § 5. Экситонные состояния в смешанных
молекулярных кристаллах . . . 215
ОГЛАВЛЕНИЕ
5
ГЛАВА VII
ЕСТЕСТВЕННАЯ ОПТИЧЕСКАЯ АКТИВНОСТЬ И КРУГОВОЙ ДИХРОИЗМ
§ 1. Введение
§ 2. Тензор yfjnn ((r); s) в молекулярных кристаллах
§ 3. Некоторые соотношения для дипольно-разрешенных экситонных
состояний в гиротропных кристаллах. Форма зон при малых к и
свойства волновых функций
§ 4. Тензор у^пп (ю; s) в кристаллах, состоящих из
негиротропных молекул
§ 5. Тензор YTmn ((r); s) в кристаллах, состоящих из гиротропных
молекул § 6. Дисперсия оптической активности молекулярных
кристаллов и
круговой дихроизм
§ 7. Экспериментальные исследования дисперсии оптической
активности кристаллов
ГЛАВА VIII ТЕОРИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ ЭКСИТОНОВ
§ 1. Введение
§ 2. Феноменологическая теория поверхностных экситонов без
учета
запаздывания
§ 3. Феноменологическая теория поверхностных экситонов при
учете
запаздывания
§ 4. Микроскопическая теория поверхностных экситонов в
молекулярных кристаллах без учета запаздывающего
взаимодействия . . . . § 5. Микроскопическая теория
поверхностных экситонов в молекулярных кристаллах при учете
запаздывающего взаимодействия . . . .
ГЛАВА IX
МИГРАЦИЯ ЭНЕРГИИ ЭЛЕКТРОННОГО ВОЗБУЖДЕНИЯ В КРИСТАЛЛАХ
§ 1. Механизмы переноса
§ 2. Длина свободного пробега и коэффициент диффузии
локализованных экситонов в молекулярных кристаллах
§ 3. Длина свободного пробега и коэффициент диффузии свободных
экситонов в молекулярных кристаллах
§ 4. Рассеяние свободных экситонов на примесях и дефектах
кристаллической структуры
§ 5. Захват экситонов в молекулярном кристалле примесными
молекулами
§ 6. Феноменологические уравнения диффузии экситонов
§ 7. Макроскопические характеристики экситонной люминесценции
в условиях сильной реабсорбции
§ 8. Экспериментальные исследования кинетических параметров,
определяющих перенос энергии электронного возбуждения в
молекулярных кристаллах, и сравнение результатов этих
исследований с теорией
219
221
224
228
233
235
243
246
247
257
261
269
274
278
282
288
294
308
319
337
6 ОГЛАВЛЕНИЕ
ГЛАВА X
СТАТИСТИКА И КОЛЛЕКТИВНЫЕ СВОЙСТВА ФРЕНКЕЛЕВСКИХ
ЭКСИТОНОВ
§ 1. Метод приближенного вторичного квантования 349
§ 2. Представление операторов Паули через операторы Бозе 352
§ 3. Коллективные свойства идеального газа паулионов 356
§ 4. Коллективные свойства френкелевских экситонов при учете
динамического взаимодействия между ними 361
§ 5. Фермиевский характер френкелевских экситонов в одномерных
молекулярных кристаллах . . . • 366
Приложение. Диагонализация гамильтониана, квадратичного
относительно бозе-амплитуд 369
Литература 372
ПРЕДИСЛОВИЕ
Фундаментальное понятие об экситоне как о бестоковом
электронном возбуждении глубоко проникло в современную физику
твердого тела и ныне широко используется при обсуждении
оптических (поглощение и дисперсия света, люминесценция),
фотоэлектических и других свойств кристаллов.
В последние годы интерес к экситонам резко возрос в связи с
открытием лазеров. Использование лазеров дало толчок развитию
нелинейной оптики, в рамках которой стало возможным изучение
более широкого, чем прежде, класса экситонных состояний
кристалла. Кроме того, с помощью лазеров оказалось возможным
получать высокие концентрации экситонов, при которых
становятся существенными различные и неоптические эффекты
взаимодействия экситонов друг с другом.
Выяснение возможности сверхтекучести экситонов, а также ряд
других эффектов, которые могут стать доступными для
экспериментального изучения при высоких концентрациях
