Физика полностью ионизованного газа - Спитцер Л.
Скачать (прямая ссылка):
T1 — кинетическая температура ионов.
T\\ — кинетическая температура, определяемая компонентами скоростей, параллельными В. T і—кинетическая температура, определяемая компонентами скоростей, перпендикулярными к В.
и—относительная скорость (см. гл. 5). ит — среднеквадратичная величина максимального значения скорости и захватываемых частиц (относительно волны); формула (3.50).
U — электрический потенциал, в единицах CGSM (IO8 в).
V — макроскопическая скорость; формулы (2.5)
и (П.З).
V,— макроскопическая скорость электронов.
Vi — макроскопическая скорость ионов.
Vd— скорость диффузии.
\Dn—скорость диффузии, обусловленной конечной проводимостью (столкновения между электронами и ионами); формула (2.39). Vcil — скорость диффузии, обусловленной вязкостью (столкновения между ионами); формула (2.42).
Vot — скорость диффузии, обусловленной турбулентностью плазмы; формула (2.45),
V — объем.
Условные обозначения
17
ДУ, dV—элемент объема.
V—фазовая скорость (см. гл. 3).
Va—альфвеновская скорость; формула (3.29).
K5—скорость звука (акустические или ионные волны); формула (3.21).
w— скорость частицы.
щ>и — компонента скорости, параллельная В (см. гл. 1).
w_l— компонента скорости, перпендикулярная к В (см. гл. 1). [дои и w_l не следует путать с Ддоц и Ддо^ (см- гл- 5).]
W0—скорость дрейфа поперек магнитного поля; скорость ведущего центра.
Wr — скорость частиц, которые испытывают резонансное ускорение; формула (3.58).
W— энергия.
81^(1, S)-приращение полной энергии, за исключением кинетической, возникающее при смещении I-
BUTrs — часть приращения б№, обусловленная изменениями поля на поверхности плазмы; формула (4.6).
IWp—часть приращения 6TF, обусловленная изменениями поля в объеме плазмы; формула (4.7).
SW7t, — часть приращения Gfl?, обусловленная изменениями поля вне плазмы. х, у, z— координаты.
х — обозначение для необыкновенной волны (Е перпендикулярно к В).
Z—зарядовое число иона; во всех макроскопических уравнениях — среднее зарядовое число ионов.
— коэффициент рекомбинации; формула (5.67).
а —постоянная тонкой структуры (см. гл. 5, § 2).
а, р — коэффициенты термоэлектрического эф' фекта; уравнения (5.43) и (5.44),
18
Условные обозначения
P — отношение до к скорости света с.
Pu — отношение ДО II /с.
Px — отношение Дох /с.
P—157 000° Z2/T; формулы (5.67) — (5.69).
(— отношение удельных теплоемкостей.
Ц—постоянная Эйлера, равная 0,5772.
TеЛев — величины, на которые нужно разделить TjL, чтобы получить истинное TJ.
Г — параметр, входящий в выражение для вероятности убегания электронов, приблизительно равный отношению средней скорости дрейфа электронов к тепловой скорости; формула (5.39).
Ьт — множитель, на который нужно умножить g/Ti,, чтобы получить •
Д— приращение.
Да>ц — компонента приращения Aw, параллельная w.
Дда_1_— компонента приращения Aw, перпендикулярная к w.
Є—множитель, некоторый нужно умножитьеЗГ при учете термоэлектрического эффекта.
в//—скорость излучения при свободно-свободных переходах; формула (5.60).
Si — скорость синхротронного" излучения; формула (5.73).
esn — скорость излучения для п-й гармоники, формула (5.70).
С — отношение квадратов частот для двух компонент плазмы.
у — сопротивление, в единицах CGSM (IO9 ом • см).
fii — сопротивление лоренцовского газа; формула (5.34).
— сопротивление в направлении, перпендикулярном к сильному магнитному полю; формула (5.42).
9 — угол.
х — волновое число (2лД).
Условные обозначения
19
х„ — коэффициент поглощения на 1 CM3 для излучения с частотой V, в см2/см3.
— термоэлектрический коэффициент в силь-
I ном магнитном поле; формула (5.52).
Л — отношение дебаевского радиуса экранирования к ро, формула (5.14).
— магнитный момент (диамагнитный) заря-
женной частицы, вращающейся вокруг маг-
¦ нитных силовых линий; формула (1.17).
(— коэффициент вязкости.
Pjl — коэффициент вязкости для напряжений сдвига в плоскости, перпендикулярной к В.
V — частота (в том числе частота столкновений).
\ — циклотронная частота.
5 (г) — произвольное смещение в жидкости, р — плотность массы, в г/см3.
1 — плотность заряда, в единицах CGSM (1Ao кулон/см3).
— коэффициент затухания амплитуды волны. в4 — поперечное сечение рассеяния фотона на свободных электронах; формула (5.56). осп — поперечное сечение процесса захвата свободного электрона на п-й уровень «голым» ядром; формула (5.62).
* — постоянная времени спада магнитного поля. <р — гравитационный потенциал.
<Р (P) — функция, определяемая формулой (5.69). Ф — магнитный поток через поверхность.
Ф(х) — функция ошибок.
X — угол отклонения в плоскости орбиты при столкновении двух частиц..
<|>— угол, характеризующий столкновение между двумя частицами; фиг. 10 и формула (5.1).
Ir — тензор напряжений; формулы (2.6) и (П.13), «о — угловая частота.
% — циклотронная частота.
— длина волны.
20
Условные обозначения
