Легирование полупроводников методом ядерных реакций - Смирнов Л.С.
Скачать (прямая ссылка):
Watkins G. D. Lattice Defects in II—VI Compounds.— In: Radiation Effects in Semiconductors. Conf. Ser. N 31. Inst, of Phys. Bris-; tol — London, 1976, p. 95—111.
Eisen F. H. Stage-II Recovery in Electron Irradiated InSb.— PhysJ Rev., 1966, v. 148, № 2, p. 828—838. Л
Eisen F. H. Recovery of Electron Radiation Damage in n-Type InSb.—! Phys. Rev., 1961, v. 123, № 3, p. 736—744. |
Eisen F. H, Orientation Dependence of Electron Radiation Dama^ in InSb.— Phys. Rev., 1964, v. 135, № 5A, p. A1394—A1399.
Eisen F. H., Bickel P. W. Electron Damage Threshold in InSb.— Phys. Rev., 1959, v. 1115, № 2, p. 345—346. |
Aukennan L. W. Electron Irradiation of Indium Antimonide.— Phvs ^ Rev., 1959, v. 115, № 5, p. 1125—1132. J
Машовец Т. В., Хансеваров P. Ю. Низкотемпературное облучение! и отжиг сурьмянистого индия.— Физ, тверд, тела, 1966, т. 8, с.1690— 1 1697. I
Машовец Т. В., Хансеваров Р. 10. Энергетический спектр дефектов*! образующихся в антимониде индия при низкотемпературном v-об-3 лучении.— Физ. тверд, тела, 1965, т. 7, вып. 7, с. 2229—2231 |
Витовский Н. А., Машовец Т. В., Хансеваров Р. Ю., Челустка Исследование изохронного и изотермического отжига InSb, облу-1 ченного рентгеновскими и v-квантами.— Физ. и техн. полущи, i 1967, т. 1, вып. 5, с. 766—773. j
Абдуллаев A., Витовский Н. А., Машовец Т. В., Мустафакулов Д. | Процесс облучения дефектов структуры в антимониде индия при I 7-облучепии.— Физ. и техн. полупр., 1975, т. 9, вып. 2, с. 282—286.1 Челустка Б., Хансеваров Р. К)., Машовец Т. В., Козлова И. Р. Об-1 разование структурных дефектов при низкотемпературном рентге-1 новском облучении сурьмянистого иядия.— Физ. тверд, тела. 1967.1 т. 9, вып. 1, с. 338—340. *1
Arnold G. W., Vook F. L. Production of Defects in InSb by X Rays,--1 Phys. Rev., 1965, v. 137, № 6A, p. A1839—A1842. $
Витовский H. A., Вихлнй Г. A., Машовец Т. В. Радиационно-сти-| мулированное комплексообразование в антимоиидэ индия р-типа —Ф Физ. и техн. полупр., 1972, т. 6, вып. 10, с. 1995—2002. , й;
Абдуллаев А., Витовский II. А., Машовец Т. В., Морозов ТО.Г.Йони% зационный механизм создания дефектов структуры в антимонида! индия.— Физ. и техн. полупр., 1975, т. 9, вып. 1, с. 68—75. Витовский Н. А., Вихлий Г. А., Галавапов В. В. и др. Образование радиационных дефектов в антимониде индия при допороговых энер-| гиях излучения.— Физ. и техн. полупр., 1909, т. 3, вып. 1, с. 132—
134. . ч?
Cleland J. W., Crawford J. H. Neutron Irradiation of Indium Antimonide.— Phys. Rev., 1954, v. 95, № 5, p. 1177—1182.
Водопьянов JI. К., Курдиани H. И. Электрические свойства сурь| мянистого индия, облученного нейтронами при 77К и электронам?
128
при 300К.— Физ. тверд, тела, 1965, т. 7, вып; 9, с. 2749—2753.
187. Водопьянов Л. H., Курдиани Н. И. О разупорядоченных областях в InSb, обусловленных облучением быстрыми нейтронами.— Физ. и техн. полупр., 1967, т. 1, вып. 5, с. 646 —648.
188. Капиашвили Р. Г., Курдиани Н. И. Влияние нейтронного облучения на подвижность электронов в пластически деформированных кристаллах.— Физ. и техп. полупр., 1971, т. 5, вып. 6, с. 1170— 1173.
189. Foyt A. G., Lindley W. Т., Donnelly J. P. n — p Junction Photodetectors in TnSb Fabricated by Proton Bombardment.—Appl, Phys. Lett., 1970, v. 16, № 9, p. 335—337.
190. Вавилов В. С., Водопьянов Л. K., Курдиани Н. И. Действие облучения быстрыми нейтронами и электронами на электрические свойства сурьмянистого индия.— В кн.: Радиационная физика неметаллических хфисталлон. Киев, Назгкова думка, 1967, с. 191—200.
191. Витовский Н. А., Машовец Т. В., Оганесян О. В. Влияние интенсивности электронного .облучения на дефектообразование в антимо-ниде индия.— Физ. и техн. полупр., 1978, т. 12, выл. И, с. 2143— 2148.
Г л а в а 4
ТЕХНОЛОГИЯ ЯДЕРНОГО ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ
В гл, 2, 3 были рассмотрены физические основы процессов,; протекающих в .полупроводниковых материалах при облучении различными ядерными частицами. Проанализированы возможные ядерные реакции и ожидаемое распределение образующихся примесей по объему легируемых кристаллов. Отмечена перспективность использования радиационной технологии для легирования монокристаллического кремния фосфором с помощью ядерных реакций на медленных нейтронах с целью получения материала /г-типа и алюминием с помощью фотоя-дерных реакций под действием тормозного у-излучения для получения материала р-типа. Однако фотоядерные реакции пока еще не получили реального практического применения. Поэтому в данной главе рассматривается только технология легирования кремния с помощью медленных нейтронов*, ибо этим способом можно получить и материал р-типа. В частности* показывается, как физические принципы ядерного легирования реализуются на практике, какие при этом достигаются технико-экономические показатели и какая требуется для этого аппаратура.
4.1. ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ СХЕМА ПРОЦЕССА ЯДЕРНОГО ЛЕГИРОВАНИЯ
Схема процесса ядерного легирования на основе имеющихся данных (см.* например,. [1* 21) показана на рис. 4.1. Главной операцией, определяющей основные качественные и экономические показатели процесса* является облучение слитков
