Легирование полупроводников методом ядерных реакций - Смирнов Л.С.
Скачать (прямая ссылка):
иль 3, с. 543—|48- „ с Взаимодействие радиационных
ЙЗГ дислок’аХРГ= «рманиі-0.^3. тверд, тела, 1967.
БарановАІи!; Гадив«"“в., Рузавкия С Ф. Ч—ое.дааедире-
вание дефектов.— Сб. В КМ И «Рипорт», 19 То, - • и Диф-
Тетельбаум Д. И., Павлов П. В.^Зорш ^Диф
накопления радиационных де-Физ. и техн. полу пр., .1975,
Морозов Н. П.,
фуатюнно-коагуляционнад модель
фектов. при ионной бомбардировке.
т. 9, вып. 12, с. 2292—2295. 7 • т? т п» f.a1cii-
Morozov N. P., Tetel’bauin П. I., Pavlov P. ., plantation of Sili-ut;nn nrxr Bp.fpct, Formation at Jon Hnplantatipn от p. ы
con.— Phys. Stat. Sol. (a), 1976, v. 37, N r- у , Defects Dbser Madden P. K., Davidson S. M. The Nature of Hod-Like Detects Uhser
ved in B+ Irradiated Si Seshan K., Washburn J Ion Implanted Si.— Phys.
352. ¦ ¦¦
Пчеляков О. П., Асеев А* Л-, Смирнов Л
- Rad. Eft,'1972, v, 14, N 3—4, p.
The Nature and Habit Planes oh Defects m P Stat. Sol. (a), 1974, y. 26, N 1-, p. 345-
C., Стенин С, И. Радиа-
Физ. тверд, тела,
Де
81
82
83
84
пионные высо^тейпТ^а» эффекты, в германии при облучении ?%™^кроскопе.- Физ, И техн. полупр.,
Редев Р. Г.’ н“ов%ше®4 иактивныо центры в полупроводниках.
“ййЖК дефекты в полупроводниках.
Л., Наука, 1972, 334 с. _
Конорова Л. Ф. Термические дефекты в германии.
Жаке Б’. и“‘ КонортЙ х'І. ііл'У“1ХГ;Гт«“'и. полупр.. на время жизни носителей тока в германи . , • !
1бда4тнова С.4н2 Витовский И. Д., м»Й ла'Гты® Ф
Исследование тер мо дефекте в в германии ^ _
и техн. полупр., 1970, т. 4, вып. 1н, с. 22 'п нии терМо-
Машовец Т. В., Рывкин С. М., >Ханееваров Р. 10- Р влиршуут^рмо дефектов на радиационную, стойкость германия. . : ,, РД
1967, т. 9, вып. 2, с. 535—538.
Баранский П. И., Клочков В. П.,
пиковая электроника. Киев, Наукова думк.,
Курило П. М., Сеитов Е., Хитрень М. 11. рппрпяпшєго' вы-
обработки на электрические свойства п і I і ! тготтчпо' 1970
сокую концентрацию кислорода,-— Физ. У *’ ’
т. 4, вып. 12, с. 2267—2270. __ ^ ^ Влияние высокотцьшира-
Бибик В. Ф., Дадыкин А. •> ппийовенхностный слой кремниевых турного прогрева в вакууме на пРг™°в Р ® ,,, ¦¦ іай/_ікяя
. ?:
ЙЩЖТаЛі® . ісД. &71. с. 284^288.
Потыкевич Н. В. Полуцррвод-1, 1975. 704 с.
М. И. Влияние термической
85. Бортник М. В., Новокрещекская Т. И., Юхневич А. В. РадиациоД ный нарушения в термообработанных кристаллах кремния, облу| черных V-квантами Со60.— В кн.: Радиационная физика неметадЦ ли^еских кристаллов. Т. 3. Ч. 1. Киев, Наукова думка, 1971, с. 264-1
86. Патзов В. и., Смирнов Л. С., Тишковский Е. Г.О взанмодействш! тер мо- и радиационных дефектов в кремнии. —Физ. и техн. по луп p. J 497S, т. 9, выи. 8, -С. 1580—1583. УI
87. Хайновская В. В., Смирнов Л. С. О взаимодействии радиационных! АРФ«™» с дислокациями в германии.— Физ. тверд, тела, 1966, т. 8| быз^» о4:03'~“3<404ы \щ
88. Хат*иовекая В. В., Смирнов Л. С. Взаимодействие радиационных! дефектов с дислокациями в германии.— Физ. тверд, тела, 1967, т. 9,1 выгс« • > с. 2043—2046. ,'j
89. Хайновская В. В., Смирнов Л. С, Взаимодействие дислокаций с ра-| диайионными дефектами в германии.— Физ. тверд, тела. 1968. т 10 I выи- 6, с. 1549—1550.
90. Смирнов Л. С., Стась В. Ф., Хайновская В. В. Облучение и отжиг! германия с большой плотностью дислокаций.— Физ. и техн. полупр. J 1969, т. 3, вып. 12, с. 1760—1765. i
91. Фридель Ж. Дислокации. М., Мир, 1967, с. 643.
92. Смирнов Л. С., Стась В. ф., Хайновская В. В. Влияние дислокаций ! ¦¦ на кинетику накопления радиационных дефектов в германии —• 3
Физ. и техн. полупр., 1971, т. 5, вып. 1, с. 85—90. |
93. Романов С. И., Смирнов Л. С. О взаимодействии точечных дефектов I с границей раздела SiOa—Si.— Физ. и техн. иолупр., 1976, т, 10,1 вып. 5, с. 8/6—881. f
94. Романов С. И., Смирнов Л. С. Образование разупорядоченных слоев при бомбардировке кристаллов ионами.— Физ. и техн. полупр 1 1972, т. 6, вып. 8, с. 1631—1634. 4
95. Герасименко Н. II., Двуреченскмй А. В., Качурин Г. А. и др. Ра-1 диаци^нныи отжиг дефектов, образующихся при бомбардировке! кристаллов ионами.— Физ. и техн. полупр., 1972, т. 6, вып. 9, | С. 1&>о4—1835. * ш
96. Мордкович В. Н., Соловьев С. П., Темпер Э. М., Харченко В. А.
О радиационном отжиге дефектов в облученном нейтронами крем-нии.^ Физ и техп. полупр., 1974, т. 8, вып. 5, с. 1024—1025.
97. Вихрев Б. И., Герасименко Н. Н., Двуреченский А. В., Смирнов Л. С. Взаимодействие в кремнии атомов водорода с дефектами, введенными а моннои Оомоардировкой. — Физ. и техн. полупр., 1974, т. 8, вып. 7,1 С. 1340—1348. V'f
S8. Sander Н. Н., Gregory В. L. Transient Annealing in Semiconductor Devicesi lollowmg pulsed Neutron Irradiation.— IEEE Trans. Nucl. ' Sci., 1966, v. NS-13, p. 53—62.
99. Binder D., Butcher D. Т., Crepps J. R., Hammer E. L. Rapid Annealing ; m Silicon Transistors.— IEEE Trans. Nucl. Soi,, 1968, v. NS-15,i p. 84—87. * '*
100. Gregory В. L., Sander H. H. Transient Annealing of Defects in Irra diated Silicon Devices.— Proe. IEEE, 1970, v. 58, N 9, p. 1328—1 1342/ 1 -5
