Легирование полупроводников методом ядерных реакций - Смирнов Л.С.
Скачать (прямая ссылка):
Wa&PGf D.YMfeAcVView Ol R’aLtion Damage ^Somicon-ductors Using EPR as a Probe— IEEE Trans. Nucl. Sei., 1969, v. NS-
Bem&i^G. Paramagnetic Resonance in ElectronL8?“«?«-J. Appl. Phys., 1959, v. 30, p. 1195—1198; WatkmsG. D. e. a., ibid.,
WatkintG1.1»9, A Review of EPR St^os.in^^^l^c^Q}“5
Radiation Damage in Semiconductors. Paris, Dirnod, 19Ь5, р. У Brower K. L. Electron Paramagnetic Resonance of the Neutre i (s >
121
'¦*'11 ¦"Ono-Vaoanoy-Oxyge n1 Center'in Irradiated Silicon. — Phys. Rev.7' 1 9$k v. ¦ 4, N 6, p. *
42. Brower K. L. Structure of Multiple-Yacancy {.Oxygon) Confers in Jrra-
. t^1: j diated Silicon.- Rud. Eff., iQ7I, .y. 8, N 3, 4, p. -213-219. . r;s • 1
43. JIanno M. T; IIK-rioRuoiuediie Ha ocTafouuHx npHMecux, TepMO- u pa. ^uanHonnux ,/te(|)euTax b KpoMUHH. A »roped)• , Awe. Mhuck, .1973,
ll C. j' ( . . . r; , .j, , j. .. j ’ j -( . ... / i ’ j i , ‘ ' i ’ A
44. James H.'Rl.,Lark-Botoyit;?;'tf.i'/LpcdUzed'Rldutrdiic Siatos in 7Bom-, Larded Semieondue.tors.—'J'. Pbiyh Chem., 1951, V. 198, p. 107—115,
45. Blount E. J. Eriorgy Leyela in Irradiated Germanium.— J. Appl;
' Phys., 1959, V. 30,% \8, p,;i218 ^¦1221, /, V:'1';.; - :
46» Gwozdz P. S., Koehjei JCr''R.' Ghangfes 'in a'c .C^ductiyity of Silicop ‘ \vilh Electron Irradiation el 0,5 K .— Phys. Rev1., 1972, v. 6,tk 4571—‘
' 4574. ,;I ! '// ,;il ;
47. Berry B. S., Frank W.. Tan S. J. In: Ion Implantation,1 in Semicon,--» ¦ - — and Other .Matdrials. N. y., Plenum Press,, 1973, p. 19—25:
ice Location and Atomic Mobility of Imp -
48. Frank W., Berry B. S*. Lattice ]anted ВRrSi.—1 Rad. ,tffІ974, v. 21, К 2, р.!105- lit."
49. Frank W. rThe Nature of Interstitials in Silicon, and/ • Germanium. — 77 In: 'Lattice Defects In Semiconductors.' Conf.: 1 Ser. N 23tlie 1 nst.’
. • of Phys. London -- - Bristol^ 197n,'p. 23-43. ;У,7'':!'77: .7
50.. Lee L, H., Corbett J. W. EPlt Evidence'of the Self-Interstitials щ '77 Niaitroii Irradiated Silicon. - Sol. St. Com., 1974, v. 15, N 11/12-,•
. p. 1781-1784. '' M'"’' C .'-•/ у:/;:, 7'УУ' 'кУ;;У ’
51. Lee Y. Д., Gerasimenko N. N.„ Corbeft J. \V/An EPRBtudy of Neut-'Год — Irradiated;''Silicbni A Positive Charge of the:. <100> Split Di-1 :Interstitial.— Phys. llev., 1976, v.' В 14, p. 4506-4517/ ;7M7;
52.. Brower K. L, EPR of a <00iy Si Interstitial Gouijilex in Irradiated •' Silicon.— Phys. Rev.,' 1976, v. В 14, p. 872^82. ; /71 ?/y ^
KQ ' T Ал T tT V ИЇ ГліЛІл** ¦ r - 'ViT- '¦ :іЧТлт.г;
VJ.» JLW 1 Л-** *tTJk. *¦ «j Л. ^ иш.ц.ку, Л-М • ^ * V J.TJL • л*,». J-J.IA
рамашитны‘е1 центры в Кремнии, обоучоннЬм тнпгелылги ааряжепшллгц 1 ' частицами.— ФиЗ.-и техн. полупр., 1972, тс 6/вып. 9, с..1683—1686/
55. Brower К. L/Electron Paramagnetic Resonance of the. Aluminium Interstitial ід Silicon.^ Phys, Rev., 1970, v. В 1, p. 1908—1917,.
56. Bean A. R., Newnan R. C., Smith R. S. Electron Irradiation Damage’ in S.TJ.iooii Containing СЦгЬon and Oixygenі — J. Phys. Chem. Sol..
" 1970, v. зі, к« 4„ p. 739-751'/ "c: :y/: ¦
57. Brozel M. R., NeTvhiari R. С., Totterbell D. H; Interstitial Defects Ini' yolying Carbon in .Irradiated. Silicon.—Д : Phys:':Ct Solid, State Phys,..
: '1975, v. 8, pi 243—248.1 ' '1 ' ' ! у .et пп.с.уП
58. Lee X. W.,’Corbel t J. W., Btoiwer K. L. EPR of Cdrbon-Oxygon-Diva-..еццеу Complex in. Irradiated Silicon.— riiys. State Sol. (a), 1977,,
y. 4i,-p.; 637-047. <u::;N..,{; '!1. ¦rJ ' '
59. Gossik B. R'., Disordored' Regions in Semiconductors Bombarded by Fast Neutrons.— J. Appl. Phys., 1959, v. ¦ '30, N 8, p. 1214—
¦ " • !f'8-i Q ‘ IM (, Hili л:. .• !;¦ >: i.j ¦ .'.і і. Ю г У1 . і і ПіТ.у! і •' / .ІС
60.. Ухші II. : A.. Модель р.азупорядоченнйх 'областей !:в< .кремнии,’ создав ' ваемых быстрыми ¦ нейтрона’ми. — Физ. и техи. подуир., , 1972, т. 6 ' ^ 5, с « : 031 * 934..;;;-;,,'O/NA; -А . ;у r/i111
6І> Ленчецко В. М:, Акилов Ю. 3. Исследование с помощью ЭВМ струк^ " туры 'каоИадов смОщейшІ ‘в Ge, Si и' RbS.—йфиз. Ацтеки«: йолунр., 1971:, т. ; 5, выл, 3, с.. 397--402.. .... ,, ..’ ! : ', ; т.
62.; Дщілов Ю. 3., .ЛєнчЄнко В. М. .Каскады смещений атомов в Ge и Si ! 1 (машинное ьюделированио).— Фяз. п! техн. цол.\ттр.,: 1974,. т/ 8,
,ВЫП„,1.; jCi.» 3Q“38. .„.f ..; ... ¦ г. ,.-,.т.г ч, . . ..... У ’/А \ .’А’: ¦ г1
63. Martynenko’ ’Yu/',y.1 )Annealing ' and; Clustering of ¦ Defects".’in1 Caeca*: des.—.Rad,EffM’1976, v. .29, N; 3, ;p: 129—lc^. ' 4,
64. БарИнйв' А. И/ Ыакопленйё' дефектов и процессы амортизаций при’
42 №
65.
66.
67.
68.
69.
70.
71.
72.
73.
74.
75.
76.
77.
78.
79.
80.
бомбардировке полупроводников ионадні.- 13 кн.; Радиадионны* Эффекты в полупроводниках. Новосибирск, ^аУка,¦^ оченных Баранов А. И.^Смирнов Л. С. О, взаишденснвикр,аэ^^ядоченных областей и окружении в полупроводниках., Физ. У Р »
1973, т. 7, вып. 11, ^б2^~2ц9д Стась в. Ф. Приповерхностный
Й"~‘н"м кД»Г-в"».: Грационные аффекты в ш-
^рнГГс^^Го^Хе.
вакансий в кристаллах кремния.— Физ. и техн. „ Рч ’ *
