Легирование полупроводников методом ядерных реакций - Смирнов Л.С.
Скачать (прямая ссылка):
ЛИТЕРАТУРА |
1. McKinley A., Feshbaeh II. The Coulomb Scattering of Relativistic Electrons by Nuclei.— Phys. Rev., 1948, v. 74, N 12, p. 1759—1963.
Z. Месси 1. 1 еория атомных столкновений. М., Мир, 1969. 756 с.
3. Кинчиц Г. Н., Диз Р. С. Смещение атомов твердых тел под действием излучения.—Усп. фив. наук, 1956, т. 60, вып. 4, с. 590—615.
4. Cahn J. Н. Irradiation Damage in Germanium and Silicon Due to Elee-trons and Gamma Rays.— J. Appl. Phys., 1959, v. 30, p. 1310—1316.
*)• Иванов H* AM Космач В* Ф., Кулаков В* М. и др. Вклад продуктов ядерных реакций в образование простых дефектов при облучении электронами и у-квантами.— Физ. и техн. полупров., 1975 т 9 вып. 6, с. 1049—1052. ' ’
6. Келли Б. Радиационное повреждение твердых тел. М. Атомивдат, 1970. 236 с.
7. Вавилов В. С. Действие излучений на полупроводники. М., Физмат-гиз, 1963. 264 с.
8. Булгаков Ю. В., Кумахов М. А. Пространственное распределение радиационных дефектов в материалах, облученных пучками моно-знергетических частиц.— Физ. и техн. полупров., 1968, т. 2, вып. И с. 1003—1607.
9. Коноплева Р. Ф., Остроумов В. И. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием. М., Атомиздат, 1975.
128 с.
10. Космач В. Ф., Кулаков В. М., Остроумов В. И., Петухов А. М. Расчет числа дефектов, образованных в кремнии быстрыми неигро-нами.— Физ. и техн. полупров., 1972, т. 6, вып. 2, с. 420—422.
11. Radiation Effects in Semiconductors. N. Y., Plenum Press, 1968.
12. Radiation Effects in Semiconductors. N. Y., Gordon and Breach, 1971.
13. Proceeding of the International Conference on Radiation Damage and Defects in Semiconductors. London, Institute of Physics, 1973.
14. Lattice Defects in Semiconductors. Conf. Ser. N 23, Inst, of Phys. London — Bristol, 1975.
15. Radiation Effects in Semiconductors. Conf. Ser. N 31. Inst, of Phys. Bristol — London, 1976.
16. Вавилов В. С., Ухип Н. А. Радиационные эффекты в полунроводнн-ках и полупроводниковых приборах. М., Атомиздат, 1969. 311 с.
17. Corbett J. W. Electron Radiation Damage in Semiconductors and Metals. N. Y., Acad. Press, 1966.
18. Конозенко И. Д., Семенюк А. К., Хиврич В. И. Радиационные дефекты в кремнии. Киев, Наукова думка, 1974. 220 с.
19. Физические процессы в облученных полупроводниках. Новосибирск, Наука, 1977. 256 с.
Ш-
20.
21.
22.
23.
24.
25.
26.
27.
28.
29.
30.
31.
32.
33.
34.
35.
36.
37.
38.
Коноплева Р. Ф., Литвинов В. Л., Ухин И. А. Особенности радиа» ционного повреждения полупроводников частицами высоких энер-
гий. М., Атомиздат, 1971. 176 с.
Waikim GГ DTAt' Vw. Defects in Irradiated Silicon: Electron
41.
Paramagnetic Resonance of Divacancy.—Phys. Rev., 1965, v. 138,
t^t О A Tj Q ¦ __
DalvD F*.,Noffke H.E.An EPKStudy of Fast-Neutron Radiation Damage in Silicon.-In: Radiation Effects in Semiconductors. London -]Sf. y.— Paris, Gordon and Breach, 1971, p. 179—188.
Barnes C. E. Absorption Measurements in Neutron Irradiated Silicon.—In: Radiation Effects in Semiconductors. London — N. V,— Paris, Gordon and Breach, 1971, p. 203—210.
Cheng L. J., Corelli J. C., Corbett J. W., Watkins G. D. 1,8-, 3,3-, and 3 9 u Bands in Irradiated Silicon: Correlation with the Divacan-cv _ Phvs Rev., 1966, v. 152, N 2, p. 761—7/4. ile Y. H , BrosiousP. B., Corbett j. W. New EPH Spectra m Neutron Irradiated Silicon (II).— Rad. Effects, 1974, v. 22, p._ 169 172.
Jung W., Newell G. S. Spin-1 Centers in Neutron Irradiated Silicon.— Phys. Rev., 1963, v. 132, N 2, p. 648—662.
Brower K. L., vook F. L., Borde« J, A. Electron Paramagnetic Resonance of Defects in Ion Implanted Silicon.— Appl. Phys. Lett., 1969,
BrowerNK7,LP,' BeezholdW. Electron Paramagnetic Resonance of the Lattice Damage in Oxygen-Implanted Silicon.— J. Appl. Phys., 19/^,
Lee4Y H.%orbett9jTwvEPR studies in Neutron Irradiated Silicon: A Negative Charge State of a Non-Planar Five-Vacancy Cluster (Fs).-Phvq Rev 1973 v. В 8, p. 2810^-2826,
L*e j. H., Corbett J. W. EPR Study of Defects in Neutron Irradiated Silicon: Quenched in Alignment under 110 uniaxial Stress. Phvq Rev 1974 v. 9, N 10, p. 4351—43Ы. , , .
Nisenoff MFan H. J. Electron Spin Resonance in Neutron Irradiated
Silicon.- Phys. Rev., 1962, v. 128, N 4, p. 160o-1613.
Corbett J. W , Watkins G. D. Silicon Divacancy and Its Direct Production by Electron Irradiation.— Phys. Rev. Lett. 1961, v. 7, N 8,
ВавиловUf c., Исаев H. У., Мувашев Б. H., Спицин А. В. Влияние размера атомов донорной примеси на накопление и отжиг радиаци гашх дефектов' в кремнии n-типа,— В кн.: Радиациовные дефекты в полупроводниках. Минск, Изд-во Белорусского гос. ун-та
Hasigut^R.lilfeWn^^’llefect Mobility had Annealing in Irradiated Germanium and Silicon— In: Radiation Damage m Semiconductors.
Wkim g!°D. Ilefects in ^Irradia ted Silicon: electron Paramagnetic Resonance and Electron-Nuclear Doule Resonance o? the Alummmm-
Silicon.—
UUH: the Но-Vacancy
