Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Смирнов Л.С. -> "Легирование полупроводников методом ядерных реакций" -> 48

Легирование полупроводников методом ядерных реакций - Смирнов Л.С.

Смирнов Л.С., Соловьев С.П., Стась В.Ф., Харченко В.А. Легирование полупроводников методом ядерных реакций: Монография — Новосибирск: Наука, 1981. — 186 c.
Скачать (прямая ссылка): legir.zip
Предыдущая << 1 .. 42 43 44 45 46 47 < 48 > 49 50 51 52 53 54 .. 76 >> Следующая

различных направлениях облучения. Оказалось, что скорость образования дефектов, отжигающихся на стадии /, больше при облучении в направлении <111), а скорость образования дефектов, отжигающихся на стадии II — при облучении в направлении (111). Таким образом, сделав вывод о том, что дефекты, отжигающиеся на стадии J, образуются смещением атомов Sb, а дефекты, отжигающиеся на стадии II,— смещением атомов In. Определены пороговые энергии смещения: для индия — 6,4 эВ, для сурьмы — 8,5—9,9 эВ.

При изучении стадии II отжига сделан вывод [171] о существовании двух типов дефектов, ответственных за эту стадию, и определены их энергетические уровни: Ех — Ev +0,04 эВ, Et ~ Ес —0,03 эВ, причем оба являются акцепторами. Предполагается, что это две различные конфигурации комплекса междоузлие — вакансия, обусловленные смещением атомов индия во время облучения. Все стадии восстановления в [1723 интерпретируются как обусловленные восстановлением первичных дефектов без существенного образования комплексов

дефект — примесь.

В работе [175] обнаружено введение уровня Е„ + 0,03 эВ (по-видимому, донорное) со скоростью 3,5 см-1 в случае облучения при 80 К. Облучение при 200 К вводит уровни Еь + 0,048,

+ 0,081 и группу уровней в области от Ес — 0,03 до Ес — 0,10 эВ с приблизительно одинаковыми скоростями введения

1,5 см-1. Автор указанной работы делает вывод, что отжиг, обнаруживаемый между 80 и 200 К, нельзя объяснить только рекомбинацией вакансий и междоузлий, ибо перегруппировка неотожженных дефектов и изменение их зарядового состояния играет важную роль в процессах отжига. При у-облученим антимонида индия, как и при облучении электронами, наблюдается уменьшение концентрации электронов в материале n-типа и увеличение концентрации дырок в материале р-типа [176]. В re-InSb после конверсии типа проводимости концентрация дырок растет и стремится к предельному значению, мало зависящему от исходной концентрации электронов. В InSb p-типа концентрация дырок при облучении также стремится к предельному значению. В исследованных образцах предельные концентрации дырок для InSb re-'и p-типа близки между собой (Во = 2,9-1013-1,6.101\ р„ - 5,3• 1013—3,3-Ю1*) 1176]. Начальные скорости образования радиационных дефектов Дге/ДФ и Др/ДФ, определенные в [176], не зависят от исходной концентрации носителей заряда и близки для ге- и p-InSb (Дге/ДФ ~ 5,8’К)-®; Др/ДФ ~ (6,3—8,8)-10'+

Изохронный отжиг облученных р- и re-Inbb (см. рис. о.оо,ге) обнаруживает четыре стадии восстановления [178], соответствующие стадиям II — V, наблюдавшимся при электронном облучении. По мнению авторов, стадия I отсутствует потому, что дефекты, ответственные за нее, отжигаются во время облу^

116
чения. Наблюдалось расщепление стадии II для гг-InSb, конвертированного в p-тип облучением, и резкое увеличение энергии активации процесса (от 0,24 до 0,40 эБ). Анализируя совокупность данных об облучении и отжиге InSb электронами различных энергий (от 0,4 до 4,5 МэВ) и у-лучами, авторы [178] отмечают, что зависимость положения стадий отжига от энергии радиации отсутствует. С другой стороны, соотношение концентраций дефектов, отжигающихся на различных стадиях, зависит от энергии радиации: чем больше энергия» тем больше вклад стадий III — V.

В работах [176, 177] исследовалась энергетическая схема уровней дефектов, возникающих в антимониде индия нри у-облучении и отжиге. Можно выделить три уровня, по-видимому, принадлежащие радиационным дефектам: 1) Ev + 0,038 эВ образуется сразу после п — р-конверсии, скорость образования близка к начальной скорости убывапия электронов; 2) Ее — 0,083 эВ — донор; 3) ED -f* 0,048 эВ — акцептор, проявляется при облучении и отжигается на стадии I.

В [179] нашли, что при облучении гг-InSb сразу после п — р-конверсии растет концентрация акцепторов М2 с уровнем Ev -f 0,040 эВ. В материале p-типа, легированном Ge и Мп, непосредственно после облучения начинают увеличиваться концентрации М3 и М4 акцепторных состояний Ev.-b 4* 0,034 эВ. Концентрации М2, М3 и М± растут линейно с дозой и достигают предельных значений, близких к концентрациям примесей—-доноров в материале ?г-типа и Ge и Мп в материале p-типа. Исходя из полученных результатов, авторы [1791 считают, что дефекты М2, Мъ и включают примесные атомы, и на этом строят предположение о природе этих дефектов.

При облучении InSb рентгеновскими лучами с энергией кванта ниже пороговой (hv — 55 [178, 180], 100 [181] и 250 кэВ [182, 183]) при температуре 78 К возникали дефекты. В образцах p-типа существенно изменялись концентрации дырок, проводимости и подвижности в том же направлении, что и при у-облучении. Концентрация электронов в гг-InSb не изменялась, однако после предварительного облучения у-лучами и отжига до комнатной температуры концентрация электронов заметно уменьшалась при облучении рентгеновскими лучами. В p-InSb при повторном облучении начальная скорость образования дефектов больше, чем при первом облучении [180]. Начальная скорость введения дырок в р-InSb, определенная в [1783, оказалась равной (4 ±2)*10"& см-1. В [182] установлено, что предельное изменение концентрации дырок Ар c±z 1,2 «10й для всех образцов (р0 = 1012—1016) одинаково. Обнаружено также уменьшение с одинаковой скоростью концентраций акцепторов iVa и доноров Ад при облучении InSb, легированного Ge и Мп.
Предыдущая << 1 .. 42 43 44 45 46 47 < 48 > 49 50 51 52 53 54 .. 76 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed