Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Мухитдинов М. -> "Свето-излучающие диоды и их применение"

Свето-излучающие диоды и их применение - Мухитдинов М.

Свето-излучающие диоды и их применение

Автор: Мухитдинов М.
Другие авторы: Мусаев Э.С.
Издательство: М.: Радио и связь
Год издания: 1988
Страницы: 80
Читать: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29
Скачать: svetloizluchaushieelementi1988.djvu

Массовая
библиотека
инженера
элвитрпнюиа
Scan Pirat
М. Мухитдинов Э.С.Мусаев
Светоизлучающие диоды и их применение
Москва
«Радио и связь» 1988
ББК 32.852 М 92 УДК 621.383.8
Редакционная коллегия:
Б. Ф. Высоцкий, Г. Г. Горбунова, JI. Г. Дубщкий, В. И. Иванов, И. В. Лебедев, Ю. Р. Носов, Ю. Н. Рысев, В. Н. Сретенский, В. И. Стафеев, В. А. Шахнов
Рецензенты: А. С. Сидоров и Л. Е. Эпштейи
Редакция литературы по электронной технике
Мухитдинов М., Мусаев Э. С.
М92 Светоизлучающие диоды и их применение. — М.: Радио и связь, 1988. — 80 с.: ил.— (Массовая б-ка инженера «Электроника»).
ISBN 5-256-00140-Х
Даны основные эксплуатационные характеристики, методика расчета режимов питания и выбора вариантов включения светоизлучающих диодов. Рассмотрены устройства регулирования, усиления, контроля и коммутация с применением светоизлучающих диодов. Приведены практические схемы некоторых устройств и справочные данные светоизлучающих диодов.
Для инженерно-технических работников, занимающихся проектированием радиоэлектронной аппаратуры.
2403000000—052 п
М -------------------130—88 ББК 32,852
046(01)—88
ISBN 5-256-00140-Х
<?) Издательство «Радио и связь», 1988
ПРЕДИСЛОВИЙ
Оптоэлектроника — одно из направлений микроэлектроники — развивается быстрыми темпами. Ее новейшие достижения открывают широкие возможности для решения практических задач, имеющих важное народно-хозяйственное значение.
Перспективным элементом оптоэлектроники является светоизлучающий диод. Достоинства светоизлучающего диода — высокие надежность и быстродействие, малые габариты и квазимонохроматичность спектральных характеристик в видимой и ИК- областях спектра — позволяют широко применять их в качестве индикаторов, элементов систем регулирования и управления, формирователей импульсных сигналов и источников анализирующего излучения. С помощью светоизлучающих диодов могут разрабатываться фотометры, влагомеры и анализаторы состава и свойств различных материалов и веществ. Применение новых структур и совершенствование технологии позволили получить светоизлуча-ющие диоды, спектр излучения которых от 0,4 до 3 мкм.
В настоящей книге обобщены разрозненные сведения по применению светоизлучающих диодов. Приведены классификация приборов и их основные характеристики, режимы питания и схемы включения, а также методы компенсации временной и температурной нестабильностей интенсивности излучения диодов. Рассматриваются общие принципы построения устройств с использованием светоизлучающих диодов. Показана возможность применения светоизлучающих диодов в устройствах метрологического обеспечения и калибровки.
Обращаем особое внимание читателей на описание практических схем различных электронных устройств с использованием светоизлучающих диодов: индикаторов, преобразователей угол — код, уровнемеров, генераторов и др.
3
Глава 1
СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ
И ИХ ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ.
ФОТОПРИЕМНИКИ
1.1. ТИПЫ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ диодов
Светоизлучающий диод (СИД) представляет собой полупроводниковый электрически управляемый элемент. Электрические и излучательные свойства СИД зависят от механизма переноса носителей при смешении переходов в прямом и обратном направлениях и законов излучательной и безызлучательной рекомбинации в полупроводниках. В основе принципа действия СИД лежит преобразование электрической энергии в электромагнитное излучение, спектр которого может лежать в видимой и инфракрасной (ИК) областях спектра.
Светодиодная структура представляет собой электронно-дырочный переход, в котором одна из областей, например п, является эмиттерной, а другая — р — базовой. В базовую область дополнительно вводят нейтральную примесь, например кислород или азот. Введение этой примеси не приводит к образованию в полупроводнике дополнительных носителей заряда, но способствует генерации света. При подаче на р-п переход прямого смещения начинается инжекция электронов из эмиттерной области в базовую (рис. 1.1). Одновременно происходит процесс инжектирования дырок из базовой области в эмиттерную соответственно, и рекомбинации носителей происходят как в базовой, так и в эмиттерной
Рис. 1.1. Структура р-п перехода светоизлучающего диода («+», «—» — знаки объемных зарядов р-п перехода; ©, © —носители заряда: дырка, электрон)
Рнс. 1.2. Энергетическая диаграмма рекомбинации электронов в базовой области светоизлучающего диода <Ув—энергетическая граница свободной и валентной зон; X1, Я11 и Я111 — краевое, примесное и междупримесное излучение; 8'п, — энергия при-
месных уровней; hk> — ширина запрещенной зоны)
<Г'П — энергия при-
4
областях, но базовая область является той частью полупроводниковой структуры, в которой происходит эффективное преобразование энергии инжектированных электронов в энергию излучения. Прямой ток, текущий через переход, складывается из токов электронов и дырок, которые определяют число актов излучательной (в p-области) и безызлучательной в (п-области) рекомбинации. Чтобы повысить число излучательных рекомбинаций, эмиттер легируют сильнее, чем базу. Поток электронов из п-области в р-область больше потока дырок в п-область, что приводит к увеличению числа актов излучательной рекомбинации.
< 1 > 2 3 4 5 6 7 .. 29 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed