Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Киселев В.Ф. -> "Основы физики поверхности твердого тела "

Основы физики поверхности твердого тела - Киселев В.Ф.

Основы физики поверхности твердого тела

Автор: Киселев В.Ф.
Другие авторы: Козлов С.Н., Зотеев А.В.
Издательство: М.: МГУ
Год издания: 1999
Страницы: 284
Читать: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128
Скачать: osnovifizikipoverhnostitverdogotela1999.djvu

В. Ф.Киселев, С.Н.Козлов, А.В.Зотеев ОСНОВЫ ФИЗИКИ ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО
ТЕЛА
М.: Изд-во Московского университета. Физический факультет МГУ, 1999. 284
стр.
В книге рассматриваются электронные, атомные, молекулярные процессы и
взаимосвязь между ними в поверхностных фазах. Обсуждаются явления в
областях пространственного заряда, природа поверхностных электронных
состояний, размерные эффекты.
Для студентов старших курсов, аспирантов и научных работников физических
специальностей. Ряд разделов может заинтересовать химиков, биофизиков,
биохимиков и других специалистов, сталкивающихся в своих исследованиях с
проблемами физикохимии поверхности твердого тела.
Содержание
Предисловие 3
Список принятых основных сокращений 5
Введение 7
1. Краткие исторические сведения 7
2. Выбор физической модели поверхности. Структура курса 9
Глава 1. Область пространственного заряда 14
1.1. Область пространственного заряда в термодинамическом равновесии 14
1.1.1. Возникновение областей пространственного заряда в ограниченных
кристаллах (14). 1.1.2. Основное уравнение ОПЗ (17).
1.1.3. Электрическое поле в ОПЗ и на границе раздела (19). 1.1.4.
Электростатическое экранирование свободными носителями заряда (20).
1.1.5. Экранирование локализованными носителями заряда (20).
1.2. Пространственные характеристики ОПЗ 21
1.2.1. Типы ОПЗ (21). 1.2.2. Общее соотношение (22). 1.2.3. Сильное
обогащение и сильная инверсия (23). 1.2.4. Слой истощения (23).
1.2.5. Численное решение (24).
1.3. Электрофизические характеристики областей пространственного 25
заряда
1.3.1. Поверхностные избытки носителей заряда (25). 1.3.2. Полный заряд
ОПЗ (26). 1.3.3. Дифференциальная емкость ОПЗ (26).
1.4. Область пространственного заряда в неравновесных условиях 78
1.4.1. Представление о квазиравновесии (28). 1.4.2. Квазиравновесие в
ОПЗ. Основное уравнение (29). 1.4.3. Уровни инжекции и квазиуровни Ферми
(30).
1.5. Поверхностная фотоэдс при квазировании в ОПЗ 32
1.5.1 Происхождение поверхностной фотоэдс (32). 1.5.2. Фотоэдс области
пространственного заряда (барьерная фотоэдс) (33). 1.5.3.
ЭДС Дембера (35). 1.5.4. Фотоэдс поверхностных электронных состояний
(37).
1.6. Электрофизические размерные эффект 37
1.6.1. Классический размерный эффект по дебаевской длине (37).
1.6.2. Квантовые размерные эффекты в тонких пленках (40). 1.7.
Размерное квантование в ОПЗ (43).
Глава 2. Процессы электронного переноса в областях пространственного
заряда и тонких пленках
2.1. Электронный перенос в тонких металлических пленках
2.2. Проводимость областей пространственного заряда в
монокристаллических полупроводниках
2.3. Подвижность свободных носителей заряда в области
пространственного заряда
2.3.1. Феноменологический подход (51). 2.3.2. Механизмы поверхностного
рассеяния (54).
2.4. Эффект поля
2.4.1. Общие представления (57). 2.4.2. Иерархия характерных времен (57).
2.4.3. Релаксационные процессы в эффекте поля (58).
2.4.4. Подвижность эффекта поля (60).
2.5. Фотопроводимость ограниченных кристаллов
2.5.1. Общие представления (61). 2.5.2. Спектральная зависимость
фотопроводимости (62).
2.6. Некоторые гальваномагнитные явления
2.6.1. Эффект Холла (64). 2.6.2. Квантовый эффект Холла (66). 2.6.3.
Осцилляции Шубникова- де Хааза. Магнитофононный резонанс (69).
2.7. Специфика электронного переноса в неоднородных тонких пленках и
областях пространственного заряда
2.7.1. Перенос в тонких поликристаллических пленках (70). 2.7.2.
Электронный перенос в пленках с крупномасштабными флуктуациями
электрофизических свойств (72). 2.7.3. Некоторые особенности электронного
переноса в неупорядоченных системах (73).
Глава 3. Поверхностные электронные состояния
3.1. Происхождение и общие свойства поверхностных состояний
3.2. Заряд поверхностных электронных состояний
3.3. Дифференциальная емкость поверхностных состояний
3.3.1. Дискретный энергетический спектр ПЭС (84). 3.3.2. Квазинепрерывный
энергетический спектр ПЭС (84). 3.3.3. Полная дифференциальная емкость
поверхности (85).
3.4. Взаимодействие локальных электронных состояний с разрешенными
энергетическими зонами
3.4.1. Темпы захвата и эмиссии (87). 3.4.2. Сечения захвата. Нейтральные,
притягивающие и отталкивающие центры (88). 3.4.3. Механизмы диссипации
энергии в актах захвата. Быстрые и медленные электронные состояния (89).
3.5. Центры захвата
3.5.1. Условия захвата (91). 3.5.2. Термодинамическое равновесие (92).
3.5.3. Стационарный неравновесный случай (93). 3.5.4.
47
47
49
51
57
61
64
70
77
77
82
84
87
91
Нестационарный случай. Принципы релаксационной спектроскопии глубоких
уровней (95).
3.6. Центры рекомбинации
3.6.1. Условия рекомбинации (97). 3.6.2 Центры рекомбинации в
термодинамическом равновесии. Стационарный неравновесный случай (98).
3.7. Характеристики процесса рекомбинации неравновесных носителей
заряда
3.7.1 Темп рекомбинации. Время жизни неравновесных носителей заряда в
объеме (100). 3.7.2. Темп поверхностной рекомбинации. Истинная и
< 1 > 2 3 4 5 6 7 .. 128 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed