Электроразведка методом сопротивлений - Шевнин В.А.
ISBN 5-211-03303-5
Скачать (прямая ссылка):
нотонно возрастает от 1 до Аист, а для градиент установки проходит через область слабого минимума, где Ак < 1 (в интервале разносов 1-3 м).
Замечание. Пытаясь сравнить свои расчеты с результатами других авторов, мы испытывали определенные затруднения от отсутствия цифровых таблиц, т.к. рисунки плохо подходят для сопоставления результатов. Поэтому помещаем краткую таблицу с расчетами для рис.5.2.2.А.
АВ/2
pJ'(U)
PJ(U)
A. (U)
РІ' (E)
РІ(Е)
А„(Е)
1
25.23
24.75
1.02
43.45
44.20
0.98
2
14.01
11.80
1.18
26.23
27.86
0.94
5
9.67
3.77
2.56
9.89
6.89
1.44
10
9.72
2.65
3.67
9.68
3.36
2.88
20
9.71
2.40
4.04
9.75
2.54
3.84
50
9.69
2.35
2.35
9.70
2.37
4.09
100
9.69
2.33
2.33
9.69
2.35
4.13
9» ISXX
На рис.5.2.2,В кривые рк для продольных и поперечных установок обнаруживают более заметные различия. Продольные кривые выходят к значению рм снизу, а поперечные - к значению рт сверху, при этом первые являются двухслойными по форме, а вторые - трехслойными типа К. На графике Хк для градиент-установки заметен широкий минимум в интервале разносов от 1 до 10 r/h, где парадокс анизотропии отсутствует.
Кривые рк для продольных и поперечных зондирований на рис.5.2.2,С различаются еще более резко, чем в предыдущем случае. Продольные кривые являются монотонно восходящими двухслойными, а поперечные - нисходящей двухслойной для потенциал-установки и трехслойной типа К для градиент-установки. График Ак для градиент-установки также имеет минимум с Ак < 1 в области малых r/h < 5.
Сравнение кривых ВЭЗ для анизотропной и изотропной моделей
На рис. 5.2.3 можно видеть поведение кривых рк (U и E) для анизотропной слоистой модели (1,2) в сравнении с изотропной слоистой моделью (3,4). Значение P1=50 Ом.м на рис.(А,В)и P1 = I Ом.м на рис.(C1D); р2 = 10(кр.З) илир2=2(кр.4), а для анизотропного основания pt=2, pn=50, рт=Ю, А=5. Для нисходящих кривых рк (U и E) рис.А, В изотропные и анизотропные UnE кривые ведут себя похоже, при этом продольные анизотропные кривые (1) раньше выходят к асимптоте 10 Омм, чем изотропные, а поперечные анизотропные кривые (2) выходят к асимптоте 2 Омм позже, чем изотропные. Для модели с P1 = IOmM (pnc.C,D) продольные анизотропные кривые позже выходят к асимптоте 10 Ом.м, чем изотропные, а поперечные анизотропные кривые имеют форму трехслойных типа К, совершенно отличную от восходящих изотропных кривых и, естественно, приближаются к асимптоте 2 Ом.м намного позже изотропных.
Результаты расчетов для дипольной экваториальной установки
На рис.5.2.4 приведены результаты расчетов продольных и поперечных кривых ВЭЗ и графиков кажущейся анизотропии для дипольной экваториальной установки над анизотропным полупространством с рт = 1 и pN=2 и разными сопротивлениями верхнего слоя: 10 (А), 0,1 (В) и 0,8 Омм (С). Выбор трех моделей аналогичен описанному ранее для потенциал- и гради-
ент-установок (рис.5.2.2), но значение коэффициента анизотропии уменьшено. Для сравнения для каждой модели приведены графики кажущейся анизотропии для потенциал-установки. Дипольная экваториальная установка, как было показано в разделе 5.1,. обладает существенно большей чувствительностью к анизотропии, достигающей в пределе А5, по сравнению с линейными установками (AM, AMN). Соотношение сопротивлений наносов и нижнего полупространства существенно влияет на форму кривых зондирования и на выход этих кривых к асимптотическим значениям. При мощности первого слоя в 1 м, выход на асимптоту в случае (А) можно отметить при г>10, в случае (С) он отмечается при r=100, а в случае (В) при г > 200.
Номера на кривых Рис.5.2.4. Результаты расчетов для рис.5.2.4(А-С) соответствуют: установки ДЭЗ 1 - продольной и 2 - поперечной кривой зондирования, 3 - кажущейся анизотропии для ДЭЗ, 4 - кажущейся анизотропии для установки AM. На графиках кажущейся анизотропии для ДЭЗ (3) не отмечены случаи нарушения парадокса анизотропии, в отличие от градиент-установки AMN. Для случаев В и С поперечные кривые зондирования (2) над двухслойной средой имеют вид трехслойных, особенно вслучае В. P1=SO, Н=1,рт=2, pN=50, рм=Ю, А=б На рис.5.2.5 и 5.2.6 показаны круговые диаграммы для установок AM или U ( 1 ), AMN или E ( 2 ) и ДЭП или T ( 3 ), для двух моделей: 1 и 3 с
5 100
рис.5.2.2 и нескольких разносов г, значения которых указаны на каждом рисунке. Горизонтальный отрезок, выходящий из центра каждой диаграммы вправо (по направлению простирания) приведен для масштаба, его длина равна 10 Омм.
На рис.5.2.5-5.2.6,A для г=1 м диаграммы КЭП близки к окружностям. Диаграммы для EnD установок практически совпадают, а для U отличаются по радиусу в силу разной глубинности потенциал и градиент установок.
На рис.5.2.5-5.2.6,B показаны диаграммы КЭП для переходного состояния от первого ко второму слою, когда круговые диаграммы для трех установок уже заметно отличаются друг от друга.
На рис.5.2.5,В диаграмма для E почти идеальная окружность, т.к. если посмотреть на рис.5.2.2,А, видно что на разносе 3 м график Хк как раз пересекает ось X11= 1. При этом диаграммы для UnD показывают заметную кажущуюся анизотропию. Так как асимптотическое значение р]} для UnE установок 10 Ом.м, то по кривой 1 (рис.5.2.2,A) видно, что рк для установки AM близко к правой асимптоте (потенциал-установка имеет наибольшую глубинность).